電感有六七十度，那MOS管呢？有多少度？MOS管有個(gè)100度都算是正常的。

上原理圖看看

終于有人回復(fù)了，謝謝！剛剛才上網(wǎng)看到，不好意思！

我寫的不太好，我那個(gè)是雙關(guān)語(yǔ)句，mos管也有那六七十度，這是我的原理圖：

電感上面的那些 是電流感應(yīng)電路，可以不管。

我還做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)：

就是利用現(xiàn)有的mos管在gate腳為5V的情況下，通入7A以上的電流，mos管一點(diǎn)也不熱，說(shuō)明應(yīng)該不是導(dǎo)通損耗，這個(gè)能說(shuō)明問(wèn)題嗎？

你看一下MOS管的驅(qū)動(dòng)波形及Vds波形，如果這兩項(xiàng)都是好的，沒(méi)什么振蕩，沒(méi)什么抖動(dòng)，工作頻率、占空比是你設(shè)置的值，就可以認(rèn)為工作是正常的，

70度的溫度真的是很正常。你的輸入輸出條件是怎樣的？

還得查你的驅(qū)動(dòng)，還有你的布線也得查一下

既然是同步整流的BUCK電路,那有可能是管子共通造成的發(fā)燙.可能是開\關(guān)延時(shí)較長(zhǎng),死區(qū)時(shí)間不夠,造成的...

驅(qū)動(dòng)波形就是上圖的gate腳波形，頻率大約400KHz，我的輸入是一個(gè)8V的恒壓源，輸出就是3.3V最大10A，或者通過(guò)調(diào)節(jié)反饋電阻可以隨意設(shè)定輸出電壓。你說(shuō)的mos管熱是正常的你做過(guò)嗎？你的輸出電壓和功率、效率是多少？這么熱，效率肯定上不了90%，那就不算合格。

不知道各位高手在做這種buck電路時(shí)mos管的溫度是多少，什么條件下測(cè)得的？求分享，謝謝！

你說(shuō)的這種共通是那種不會(huì)短路的共通？

這是驅(qū)動(dòng)電平，有很明顯的死區(qū)間隔，應(yīng)該不是同時(shí)導(dǎo)通

還有電感的溫度也超高，燙的手都不能碰。

我發(fā)現(xiàn)我在空載的時(shí)候電路一切正常，什么都不熱，但是只要加一點(diǎn)點(diǎn)負(fù)載立馬就燙起來(lái)了，連板子的PCB的都燙。這款電源打算做無(wú)風(fēng)扇的，不知道是不是沒(méi)經(jīng)驗(yàn)，我是不是想的太天真，還是技術(shù)不夠。

首先說(shuō)明下,我是個(gè)業(yè)余愛好者,就是愛玩這個(gè).其次要說(shuō)明上您給的電路圖太簡(jiǎn)單了,發(fā)燙的原因不在MOS管和電感上,如果您設(shè)計(jì)時(shí)電感計(jì)算正確的話,那么多數(shù)在驅(qū)動(dòng)電路上有問(wèn)題.MOS管導(dǎo)通是需要時(shí)間的,您有計(jì)算過(guò)MOS管由于始導(dǎo)通到完全導(dǎo)通的時(shí)間么,這個(gè)時(shí)間MOS管電阻遠(yuǎn)大于幾毫歐的,此時(shí)是開關(guān)管損耗最大的時(shí)候.其次是電感過(guò)小也會(huì)產(chǎn)生這個(gè)問(wèn)題.您可以測(cè)試下電感在帶載時(shí)的瞬時(shí)最大電流.

謝謝您的建議！我也認(rèn)為是mosfet開關(guān)的時(shí)候帶來(lái)了巨大的損耗。

原理圖就是還差一個(gè)芯片，LTC3869, 他是直接輸出驅(qū)動(dòng)PWM波，如下圖： 

芯片管腳上的TG，BG就是top gate 和bottom gate的驅(qū)動(dòng)，芯片資料上說(shuō)是可以直接拿來(lái)驅(qū)動(dòng)的。

至于這個(gè)開啟時(shí)間的損耗，對(duì)，我確實(shí)該算一算。

還有，我沒(méi)有電感上的瞬間電流如何測(cè)量，只有示波器，沒(méi)有電流計(jì)可以嗎？

在電感一側(cè)串上一只0.1歐的電阻,用示波器測(cè)電壓呀.也可以在輸入端只接接上一只0.1的電阻,測(cè)上面的電壓.可以比較近似的得到結(jié)果.

你查下該芯片的驅(qū)動(dòng)電流及最大驅(qū)動(dòng)電壓,再算下MOS開啟時(shí)間.

我看了電感左側(cè)的電壓的波形，他從0V上升到我的輸入電壓8V所用的時(shí)間大概是25ns，說(shuō)明上管導(dǎo)通的時(shí)間為25ns，很快，消耗的能量最大就是25ns*4V*10A=1ｕＷ，幾乎不算啊。

芯片資料上的知識(shí)理論值，實(shí)際波形才是他真正的工作狀態(tài)。

關(guān)鍵是從哪兒找個(gè)0.1Ω那么精確的大的功率電阻??？我自己繞個(gè)一也測(cè)不準(zhǔn)，可不可以看電感上的電壓除以電感的等效DCR啊？應(yīng)該也沒(méi)錯(cuò)吧。你看一下我上面的lx的波形，他是電感左側(cè)的電壓，沒(méi)有任何尖峰，基本上說(shuō)明應(yīng)該沒(méi)啥太大尖峰電流。

你做過(guò)buck電源嗎？你的mosfet和電感感覺怎么樣，在10A或者更好的電流的情況下。

我用過(guò)IRFR1205,44A的mos實(shí)際工作電流為18A,工作很正常.首先說(shuō)明,電壓上升時(shí)間不是電感電流時(shí)間,同時(shí)上升時(shí)間也不是內(nèi)阻達(dá)到最佳的時(shí)間.電感達(dá)到最大電流時(shí)是MOS管關(guān)閉時(shí)間,此時(shí)電流最大,電壓沖擊最大,接近您輸入電壓的二倍或更多,看您的電路情況了.從圖上看您關(guān)閉的時(shí)間遠(yuǎn)大于開啟時(shí)間,我懷疑您的電感太小了,計(jì)算有誤,導(dǎo)致終止時(shí)電流太大,因而在開啟和終止時(shí)功率損失大,導(dǎo)致發(fā)熱.你要以試著增大電感試下,應(yīng)該有所好轉(zhuǎn),換下10-22uH的電感試下.如果有所好轉(zhuǎn),那么您要對(duì)電路重計(jì)算下,看下情況.

您的分析很到位，理解的很深刻。我正在申請(qǐng)一些大電感來(lái)試試。

但我對(duì)您說(shuō)的還有幾點(diǎn)疑問(wèn)：

IRFR1205內(nèi)阻高達(dá)27mΩ，流過(guò)18A的電流，功率可以有8.75W，按一般工作時(shí)間算的也有4W，對(duì)應(yīng)的最好熱阻是50℃/W，那豈不是溫升有200度?。磕f(shuō)的工作正常是啥意思？

電感加大到1.5uH我試過(guò)，但是我從8V轉(zhuǎn)1-3.3V的低壓應(yīng)該不會(huì)用到10-22uH這么大的電感吧！況且電感加大內(nèi)阻跟著上升，我現(xiàn)在的1.5uH的電感內(nèi)阻8.4mΩ在通過(guò)12A電流時(shí)溫度也有60，多度，那么到了10uH豈不是更恐怖。除非自己手動(dòng)繞電感。

我記得mosfet的上升時(shí)間比下降時(shí)間長(zhǎng)主要是mosfet驅(qū)動(dòng)技術(shù)充電要比放電慢的原因。不過(guò)我這里的上升時(shí)間確實(shí)長(zhǎng)了一點(diǎn)。

您做的那個(gè)電源是多少伏的??？效率怎么樣？