IGBT是如何導(dǎo)通與關(guān)斷的

我有點(diǎn)糊涂,IGBT開(kāi)通是要給個(gè)正的脈沖還是要在導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)都要給正電壓
IGBT關(guān)斷是要給負(fù)脈沖嗎?

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LV.6

2006-05-16 09:01

一般來(lái)說(shuō),我們認(rèn)為IGBT的導(dǎo)通過(guò)程是和MOSFET相同的,但是IGBT在關(guān)斷時(shí)為了防止誤導(dǎo)通我們會(huì)加上一個(gè)-10V左右的電壓,這里的具體原因我說(shuō)不清楚,但是和IGBT的物理結(jié)構(gòu)是相關(guān)的!

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emailcwb

LV.2

2006-07-18 22:48

@蒲公英的翅膀

快速抽去G極的電荷,使之快速關(guān)斷;提高其抗干擾的能力,這與的三極之間的分布電容有關(guān).

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led-sz

LV.5

2006-07-19 17:54

@emailcwb

快速抽去G極的電荷,使之快速關(guān)斷;提高其抗干擾的能力,這與的三極之間的分布電容有關(guān).

那請(qǐng)問(wèn)
正常的MOS驅(qū)動(dòng)電路(MOS)可以代換成IGBT嗎

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emailcwb

LV.2

2006-07-19 20:00

@led-sz

那請(qǐng)問(wèn)正常的MOS驅(qū)動(dòng)電路(MOS)可以代換成IGBT嗎

沒(méi)試過(guò).不過(guò),MOSFET和IGBT相比,工作頻率要高,再一個(gè)MOSFET的導(dǎo)通壓降比IGBT大,這個(gè)對(duì)IGBT的過(guò)流保護(hù)有影響.

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safetytest

LV.4

2006-07-21 11:56

MOSFET管具有開(kāi)關(guān)速度快,電壓控制的優(yōu)點(diǎn),缺點(diǎn)是導(dǎo)通電壓降稍大,電流,電壓容量不大;雙極型晶體管,卻與它的優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)互易,因而就產(chǎn)生了使它們復(fù)合的思想;控制時(shí)有MOSFET管的特點(diǎn),導(dǎo)通時(shí)具有雙極型晶體管的特點(diǎn),這就產(chǎn)生IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)管研制的動(dòng)機(jī),該管稱為絕緣柵雙極晶體管.

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云游四海

LV.1

2006-07-30 03:47

@safetytest

MOSFET管具有開(kāi)關(guān)速度快,電壓控制的優(yōu)點(diǎn),缺點(diǎn)是導(dǎo)通電壓降稍大,電流,電壓容量不大;雙極型晶體管,卻與它的優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)互易,因而就產(chǎn)生了使它們復(fù)合的思想;控制時(shí)有MOSFET管的特點(diǎn),導(dǎo)通時(shí)具有雙極型晶體管的特點(diǎn),這就產(chǎn)生IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)管研制的動(dòng)機(jī),該管稱為絕緣柵雙極晶體管.

哪里可以下載這方面的技術(shù)書(shū)籍?

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