此帖已被刪除

??

請(qǐng)問(wèn)各位大俠,開關(guān)導(dǎo)通結(jié)束時(shí)原邊電流(Ip)的峰值該如何計(jì)算 ?

第二部分

基本描述
UBA2032是高壓?jiǎn)尉?、用EZ-HV SOI工藝的集成電路.電路的設(shè)計(jì)應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)全橋的MOSFET.另外,它還有阻塞功能、內(nèi)部可調(diào)振蕩器、外部高壓轉(zhuǎn)換可驅(qū)動(dòng)全橋的轉(zhuǎn)換功能.為保證50%的精確占空比,振蕩器在送到輸出之前通過(guò)一個(gè)除法器.

方框圖(圖1)

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1095203668.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
引腳功能

符   號(hào) 引     腳 描                           述
UBA2032T UBA2032TS
-LVS 1 1 付供電電壓(對(duì)邏輯輸入)
EXTDR 2 2 振蕩信號(hào)輸入
+LVS 3 3 正供電電壓(對(duì)邏輯輸入)
n.c. 4 4 空
n.c. - 5 空
HV 5 6 高電壓輸入
n.c. 6 7 空
n.c. - 8 空
VDD 7 9 內(nèi)部低電壓
SU 8 10 啟動(dòng)延遲內(nèi)部信號(hào)
DD 9 11 除法器阻塞輸入
BD 10 12 橋阻塞控制輸入
RC 11 13 內(nèi)部振蕩器RC輸入
SGND 12 14 信號(hào)地
GHL 13 15 左上MOSFET柵極
FSL 14 16 左邊懸浮供電
SHL 15 17 左上MOSFET源極
n.c. 16 18 空
n.c. - 19 空
GLL 17 20 左下MOSFET柵極
PGND 18 21 電源地
n.c. 19 22 空
GLR 20 23 右下MOSFET柵極
n.c. 21 24 空
n.c. - 25 空
SHR 22 26 右上MOSFET源極
FSR 23 27 右邊懸浮供電
GHR 24 28 右上MOSFET柵極
圖2,圖3.

能否提供具體的使用電路,謝謝!!

后面還有

第三部分

功能描述
供電電壓
供電電壓由HV腳來(lái)決定.例如全橋的供電電壓.IC自己內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生低壓來(lái)供內(nèi)部電壓使用,因此無(wú)需附加低壓電路.但要連接一個(gè)電容到VDD來(lái)濾波.電路也可以直接在VDD輸入低電壓來(lái)工作,在這種情況下,HV腳必須連到VDD腳或SGND腳.
啟動(dòng)
當(dāng)供電電壓升高時(shí),IC進(jìn)入了一個(gè)啟動(dòng)的狀態(tài),高端的晶體管仍然關(guān)閉,低端的打開.在啟動(dòng)狀態(tài)下,自舉電容充電,橋輸出電流是零.啟動(dòng)狀態(tài)的定義是在VDD=VDD(UVLO)之前.這里UVLO是等待低電壓鎖定.在啟動(dòng)狀態(tài)時(shí),橋阻塞功能無(wú)效.
電源驅(qū)動(dòng)的釋放
在VDD腳或HV腳上的供電電壓高到可釋放驅(qū)動(dòng)功率的時(shí)候,橋的輸出電壓依賴于EXTDR腳的控制信號(hào),見表1.如DD腳為低電平(除法器有效),全橋?qū)⒃陬A(yù)定義的位置開始工作,GLR和GHL為高電平,GLL和GHR為低電平.如果DD腳為高電平(除法器無(wú)效),橋的位置將依賴于EXTDR的狀態(tài).
如果VDD和HV腳上的供電電壓下降到復(fù)位電壓以下時(shí),IC將又進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài).
振蕩
在HV腳上的供電電壓經(jīng)過(guò)釋放功率驅(qū)動(dòng)點(diǎn)時(shí),橋在兩個(gè)定義的狀態(tài)之間互換.
·左上和右下MOSFET開
右上和左下MOSFET關(guān)
·左上和右下MOSFET關(guān)
右上和左下MOSFET開

振蕩在三個(gè)不同的模式下產(chǎn)生
·內(nèi)部振蕩器模式
在這種模式下,全橋頻率由外部電阻(Rosc)和電容(Cosc)的數(shù)值決定,這時(shí)EXTDR腳必須連到+LVS腳,為了實(shí)現(xiàn)精確的50%占空比,要使用內(nèi)部的除法器,內(nèi)部除法器的使用用連接DD到SGND腳來(lái)實(shí)現(xiàn).由于除法器的存在,橋的頻率是振蕩頻率的一半,橋的轉(zhuǎn)換在信號(hào)加到RC的下降沿時(shí)發(fā)生.為使電流的損耗最小,+LVS,-LVS和EXTDR一起連到SGND或VDD腳.在這種情況下,邏輯電壓供電電路的電流源是關(guān)斷的.
·無(wú)內(nèi)部除法器的外部振蕩器模式
在外部振蕩器的模式下,外部源連到EXTDR,RC腳對(duì)SGND短路,讓內(nèi)部振蕩器停止工作.如果內(nèi)部除法器無(wú)效(DD腳連到VDD腳),橋輸出信號(hào)的占空比由外部振蕩器信號(hào)決定,橋頻率等于外部振蕩器的頻率.
·帶內(nèi)部除法器的外部振蕩器模式
外部振蕩器的模式也適用于使用內(nèi)部除法器,(RC腳和DD腳連到SGND腳).由于存在除法器,橋頻率是外部振蕩頻率的一半,橋的轉(zhuǎn)換由EXTDR對(duì)V-lvs信號(hào)的下降沿來(lái)觸發(fā).
如果VDD或HV腳上的供電電壓下降到功率驅(qū)動(dòng)復(fù)位電壓以下時(shí),UBA2032將重新進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài),橋振蕩頻率的設(shè)計(jì)方程是


非重疊時(shí)間
非重疊時(shí)間是關(guān)斷導(dǎo)通的一對(duì)功率MOSFET和打開下一對(duì)功率MOSFET之間的時(shí)間.非重疊時(shí)間由合適的非重疊電路來(lái)實(shí)現(xiàn).在實(shí)際運(yùn)用中使用非重疊時(shí)間時(shí),每個(gè)頻率都要使非重疊時(shí)間最佳.非重疊時(shí)間是由相關(guān)半橋電壓的下降沿的延緩時(shí)間來(lái)決定的,見圖4,內(nèi)部將會(huì)檢測(cè)到斜線的存在,最小的非重疊時(shí)間已在內(nèi)部固定了
圖4..

除法器功能
如果DD腳連到了SGND腳,那么就存在有除法器的功能.如果除法器的功能存在,那么在橋輸出位置和EXTDR腳之間就沒有直接的聯(lián)系.

啟動(dòng)延遲
正常情況下,只要VDD腳或HV腳達(dá)到釋放功率驅(qū)動(dòng)的電平時(shí),電路就開始振蕩,這時(shí)低端三極管的柵極驅(qū)動(dòng)電壓等于VDD,而對(duì)于高端的三極管是VDD-0.6V,如果這個(gè)電壓對(duì)于驅(qū)動(dòng)太低時(shí),功率驅(qū)動(dòng)的釋放將通過(guò)SU腳來(lái)延遲.一個(gè)簡(jiǎn)單的濾波器(R是在VDD腳和SU腳之間;C是在SU腳和SGND之間)將用于制造延遲或用于處理器的控制信號(hào).

橋阻塞
只要BD腳上的電壓升到橋阻塞電壓(1.29V),橋阻塞功能用于關(guān)閉所有的MOSFET,橋阻塞功能在其他狀態(tài)下無(wú)效.

表1  邏輯表;注1
狀態(tài) 輸           入(注2) 輸        出(注3)
BD SU DD EXTDR GHL GHR GLL GLR
啟動(dòng)狀態(tài) 高 X X X 低 低 低 低
低 X X X 低 低 高 高
振蕩 狀態(tài) 高 X X X 低 低 低 低
低 低 X X 低 低 高 高
低 高 高 高 低 高 高 低
低 高 低 低 高
低 高 低(4) 低 高 低 低 高
低到高 高 低 低 高
高 高 低 低 高
高到低(5) 低 高 高 低
注釋:
1． X=不管
2． BD,SU和DD都是相對(duì)SGND的邏輯電平,EXTDR是相對(duì)-LVS的邏輯電平.
3． GHL是相對(duì)于SHL的邏輯電平,GHR是相對(duì)于SHR的邏輯電平, GLL和GLR是相對(duì)于PGND的邏輯電平.
4． 如DD腳＝低電平,橋進(jìn)入預(yù)定義位置(振蕩狀態(tài)和BD腳為低電平,SU腳為高電平),GHL為高,GLR為高,GLL為低,GHR為低.
5． 僅僅是EXTDR從高到低,GHL,GHR,GLL和GLR從低到高,或從高到低變化.

極限參數(shù)
根據(jù)絕對(duì)最大額定值規(guī)定(IEC60134);所有的電壓相對(duì)于SGND測(cè)量,正電流的方向?yàn)榱鬟M(jìn)IC.
符  號(hào) 參  數(shù) 條  件 最小值 最大值 單  位
Vdd 供電電壓(低電壓) 直流數(shù)值 0 14 V
瞬時(shí)小于0.1us 0 17 V
Vhv 供電電壓(高電壓) 0 550 V
Vfsl 懸浮左供電 Vshl=Vshr=550V 0 564 V
Vshl=Vshr=0V 0 14 V
Vfsr 懸浮右供電 Vshl=Vshr=550V 0 564 V
Vshl=Vshr=0V 0 14 V
Vshl 上左源極電壓 相對(duì)PGND和SGND -3 +550 V
相對(duì)SGND,t<1us -14 - V
Vshr 上右源極電壓 相對(duì)PGND和SGND -3 +550 V
相對(duì)SGND,t<1us -14 - V
Vpgnd 電源地電壓 相對(duì)SGND 0 5 V
V-lvs 邏輯輸入付供給電壓 T<1s 0 464 V
V+lvs 邏輯輸入正供給電壓 Vhv=450V;t<1s 0 464 V
Vhv=0V;DC  數(shù)值 0 14 V
Vhv=0V;瞬時(shí)t<1 us 0 17 V
Vi(extdr) EXTDR引腳外部振蕩器輸入電壓 相對(duì)V-lvs 0 V+lvs V
Vi(rc) RC腳輸入電壓 直流數(shù)值 0 VDD V
瞬時(shí)T<0.1us 0 17 V
Vi(su) SU腳輸入電壓 直流數(shù)值 0 VDD V
瞬時(shí)T<0.1us 0 17 V
Vi(bd) BD腳輸入電壓 直流數(shù)值 0 VDD V
瞬時(shí)T<0.1us 0 17 V
Vi(dd) DD腳輸入電壓 直流數(shù)值 0 VDD V
瞬時(shí)T<0.1us 0 17 V
SR 輸出腳回轉(zhuǎn)率 可重復(fù)的 0 4 V/ns
Tj 結(jié)點(diǎn)溫度 -40 +150 °C
Tamb 環(huán)境溫度 -40 +150 °C
Tstg 儲(chǔ)存溫度 -55 +150 °C
Vesd HV,+LVS,-LVS,EXTDR,FSL,GHL,SHL,SHR,GHR和FSR的靜電電壓 注1 - 900 V
注1:根據(jù)人體模型(HBM):等效于100pF串聯(lián)一個(gè)1.5K的電阻放電.

熱特性
符   號(hào) 參   數(shù) 條    件 數(shù)    值 單    位
Rth(j-a) 從結(jié)點(diǎn)到環(huán)境的熱阻UBA2032TUBA2032TS 在空氣里 80100 K/WK/W

質(zhì)量規(guī)定
按照“普通集成電路質(zhì)量規(guī)定:SNW-FQ-611”

特性
Tj=25°C;所有的電壓相對(duì)于SGND;正電流流進(jìn)IC;除非其他說(shuō)明.
符  號(hào) 參  數(shù) 條  件 最小 典型 最大 單位
高壓
Ihv 高壓供電電流 t<0.5s和Vhv=550V 0 - 30 uA
Ifsl,Ifsr 高壓懸浮供電電流 t<0.5s和Vfsl=Vfsr=564V 0 - 30 uA
Iextdr EXTDR腳供電電流 t<0.5s和Vextdr=464V 0 - 30 uA
I+lvs +lvs腳供電電流 t<0.5s和V+lvs=464V 0 - 30 uA
I-lvs -lvs腳供電電流 t<0.5s和V-lvs=450V 0 - 30 uA
啟動(dòng);通過(guò)HV引腳的功率
Ii(hv) HV輸入電流 Vhv=11V;注1 - 0．5 1．0 mA
Vhv(rel) 釋放驅(qū)動(dòng)功率的電平 11 12．5 14 V
Vhv(uvlo) 復(fù)位驅(qū)動(dòng)功率的電壓 8．5 10 11．5 V
Vhv(hys) HV滯后電壓 2．0 2．5 3．0 V
Vdd 內(nèi)部供電電壓 Vhv=20V 10.5 11.5 13.5 V
啟動(dòng);通過(guò)Vdd的功率
Ii(dd) Vdd輸入電流 Vdd=8.25V;注2 - 0．5 1．0 mA
Vdd(rel) 釋放驅(qū)動(dòng)功率的電平 8．25 9．0 9．75 V
Vdd(uvlo) 驅(qū)動(dòng)功率的復(fù)位電平 5．75 6．5 7．25 V
Vdd(hys) 滯后電壓 2．0 2．5 3．0 V
輸出狀態(tài)
Ron(h) 高端MOS開通電阻 Vfsr=Vfsl=12V;對(duì)SHR和SHL;Isource=50mA 15 21 26 W
Roff(h) 高端MOS關(guān)閉電阻 Vfsr=Vfsl=12V;對(duì)SHR和SHL;Isink=50mA 9 14 18 W
Ron(l) 低端MOS開通電阻 Vdd=12V;Isource=50mA 15 21 26 W
Roff(l) 低端MOS關(guān)閉電阻 Vdd=12V;Isink=50mA 9 14 18 W
Io(source) 輸出電流 Vdd=Vfsl=Vfsr=12V;Vghr=Vghl=Vglr=Vgll=0V 130 180 - mA
Io(sink) 吸收電流 Vdd=Vfsl=Vfsr=12V;Vghr=Vghl=Vglr=Vgll=0V 150 200 - mA
Vdiode 自舉二極管壓降 Idiode=1mA 0.8 1.0 1.2 V
Tslope 適合非重疊的最小DV/Dt 絕對(duì)數(shù)值 5 15 25 V/us
Tno(min) 最小非重疊時(shí)間 600 900 1300 ns
Vfsl HS左邊電壓鎖定 3.0 4.0 5.0 V
Vfsr HS右邊電壓鎖定 3.0 4.0 5.0 V
Ifsl FS左邊供電電流 Vfsl=12V 2 4 6 uA
Ifsr FS右邊供電電流 Vfsr=12V 2 4 6 uA
DD輸入
Vih 高電平輸入電壓 Vdd=12V 6 - - V
Vil 低電平輸入電壓 - - 3 V
Ii(dd) 流進(jìn)DD腳的電流 - - 1 uA
SU  input
Vih 高電平輸入電壓 Vdd=12V 4 - - V
Vil 低電平輸入電壓 - - 2 V
Ii(su) 流進(jìn)SU腳的輸入電流 - - 1 uA
外部驅(qū)動(dòng)輸入
Vih 高電平輸入電壓 相對(duì)V-lvs 4.0 - - V
Vil 低電平輸入電壓 相對(duì)V-lvs - - 1.0 V
Ii(extdr) 流進(jìn)EXTDR腳輸入電流 - - 1 uA
Fbridge 橋頻率 注3 - - 200 KHz
低電壓邏輯供電
I+lvs 低電壓供電電流 V+lvs=Vextdr=5.75到14V(相對(duì)V-lvs) - 250 500 uA
V+lvs 低電壓供電電壓 相對(duì)V-lvs 5.75 - 14 V
橋失效電路
Vref(dis) 參考電壓無(wú)效 1.23 1.29 1.35 V
Ii(bd) 輸入電流無(wú)效 - - 1 uA
內(nèi)部振蕩器
Fbridge 橋振蕩頻率 注3 - - 100 kHz
DFosc(T) 相應(yīng)溫度變化的橋振蕩頻率 Fbridge=250Hz和Tamb=-40°C到+150°C -10 0 +10 %
DFosc(vdd) 相應(yīng)Vdd變化的橋振蕩頻率 Fbridge=250Hz和Vdd=7.25到14V -10 0 +10 %
Kh 高電平啟動(dòng)點(diǎn) Vrc(high)=KhXVdd 0.38 0.4 0.42
Kl 低電平啟動(dòng)點(diǎn) Vrc(low)=KhXVdd - 0.01 -
Kosc 振蕩器常數(shù) Fbridge=250Hz 0.94 1.02 1.10
Rext 連到Vdd的外部電阻 100 - - K ohm
注釋:
1． 電流定義在橋不振蕩的狀況.流進(jìn)HV引腳的電流大小由熱保護(hù)電路限制.電流限制在當(dāng)Tj=150°C時(shí)為11mA.
2． 電流定義在橋不振蕩的狀況同時(shí)HV連到Vdd腳.
3． 最小頻率由自舉電容決定.

應(yīng)用資料
基本應(yīng)用
應(yīng)用于HID燈的基本全橋結(jié)構(gòu)如圖5所示,這里沒有用到啟動(dòng)延時(shí)和外部驅(qū)動(dòng)功能.-LVS,+LVS,EXTDR和BD對(duì)SGND短路,用內(nèi)部的振蕩器實(shí)現(xiàn)50%的占空比,把DD連到SGND上來(lái)實(shí)現(xiàn)內(nèi)部除法器的功能.
IC的電源由高壓來(lái)提供,由于使用內(nèi)部振蕩器,橋轉(zhuǎn)換頻率由Rosc和Cosc決定.當(dāng)HV電壓上升到釋放驅(qū)動(dòng)時(shí),橋開始振蕩(典型情況是HV腳12.5V).如HV腳上的供電電壓下降到功率驅(qū)動(dòng)的復(fù)位電壓以下時(shí)(HV腳上的典型值是10V),UBA2032進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài).

外部控制的運(yùn)用
圖6給出包含系統(tǒng)地參考控制電路.+LVS象外部振蕩器控制單元那樣連接以及-LVS連到SGND.RC腳對(duì)SGND短路.橋的工作頻率由外部振蕩器決定,橋阻塞電路能立即關(guān)閉所有的MOSFET.

應(yīng)用于汽車前燈
HID燈的壽命依賴于鈉離子滲透過(guò)燈的石英玻璃的速度,為減小這些效應(yīng),燈必須工作在對(duì)系統(tǒng)地負(fù)電壓狀態(tài).圖7給出了HID燈用于汽車燈的實(shí)際應(yīng)用,+LVS和HV腳如控制電路那樣,沿著控制電路參考系統(tǒng)地和橋工作于付電壓對(duì)系統(tǒng)地連接.橋的輸出狀態(tài)和EXTDR的位置相關(guān),也可見計(jì)時(shí)圖.


附加應(yīng)用資料
柵極電阻
在HID的點(diǎn)火階段,會(huì)產(chǎn)生大量的EMC火花,這能在MOSFET柵極引起瞬時(shí)大電壓和振蕩.當(dāng)這些柵極直接連著驅(qū)動(dòng)器時(shí),將會(huì)發(fā)生驅(qū)動(dòng)輸出電壓超載.因此,在每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器串聯(lián)一個(gè)最小為100ohm的電阻來(lái)阻隔柵極驅(qū)動(dòng)器和實(shí)際的功率MOSFET的柵極.
很需要增加一個(gè)二極管和這個(gè)柵極電阻并聯(lián),其理由是:
1． 及時(shí)關(guān)閉功率三極管
2． 在橋的高DV/Dt點(diǎn)時(shí)來(lái)保證功率管處于關(guān)斷狀態(tài),典型的應(yīng)用依賴于功率MOSFET的特性(柵極電荷,米勒電容)
在高頻應(yīng)用時(shí)柵極電荷和供電電流
全部需要給功率MOSFET充電的所需電流等于

這里:I柵極＝柵極電流,f橋＝橋頻率,Q柵極＝柵極電荷.
這個(gè)電流通過(guò)內(nèi)部低電壓供給(Vdd),因?yàn)檫@個(gè)電流限制在11mA,在高頻和MOSFET有相對(duì)高的柵極電荷時(shí),這最大Vdd供給電流不太夠用.象這個(gè)結(jié)果,內(nèi)部的低電壓供給(Vdd)和柵極驅(qū)動(dòng)電壓將下降,導(dǎo)致全橋MOSFET導(dǎo)通的電阻值增加(Ron),在這種情況下必須有一個(gè)附加的低供電電壓.

經(jīng)典!頂
不過(guò)如果能有點(diǎn)實(shí)用的圖紙資料就更強(qiáng)了

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/24/1103183105.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

上圖來(lái)自:全橋驅(qū)動(dòng)器芯片UBA2032T/UBA2032TS  
文章作者:臨沂師范學(xué)院 劉永良
文章類型:設(shè)計(jì)應(yīng)用 文章加入時(shí)間:2004年2月10日13:14
http://www.21ic.com/new_info/news/files/news/2004210131412.asp

在附上圖片:500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/24/1103183371.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
有需要聯(lián)系我:有庫(kù)存,也可長(zhǎng)期供貨的.

現(xiàn)在還有現(xiàn)貨嗎?請(qǐng)報(bào)價(jià)Y2KLYZ@SINA.COM

我現(xiàn)需要樣片,大約二十片,請(qǐng)?zhí)峁﹥r(jià)格!
我的電話:13913520526

幫版主頂一把;樣片找我要,QQ:564592456.