我看到過(guò)很多文章，都是介紹場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)點(diǎn)的，但在實(shí)際電路中用bjt時(shí)候很多，用fet卻很少。除了價(jià)格原因，我想還會(huì)有其它原因。否則IGBT就不會(huì)把fet 和bjt結(jié)合來(lái)使用了。
上面的電路中通常都是用BJT.那可能就是BJT優(yōu)點(diǎn)所在吧。
請(qǐng)各位明白人講解一下。
請(qǐng)教一個(gè)簡(jiǎn)單的問(wèn)題：三極管與場(chǎng)效應(yīng)管比有什么優(yōu)點(diǎn)。
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@wltxiaozhong
1）低開(kāi)關(guān)速度使得EMI與紋波小。2）導(dǎo)通壓降三極管在0.8V左右，MOS要幾V，低壓輸入需要加自舉電路升高驅(qū)動(dòng)電壓，電流較大而開(kāi)關(guān)速度較慢時(shí)三極管損耗小很多。3）在都能用的情況下，多數(shù)公司還是會(huì)首選三極管，之所以沒(méi)被淘汰，我覺(jué)得主要還是因?yàn)閮r(jià)格。
mos導(dǎo)通壓降沒(méi)幾V
在低壓，比如電腦主板電源
輸出50A 1.1V的電源
mos是導(dǎo)通電阻，可以選用0.001歐導(dǎo)通電阻的mos上面只有0.05V壓降，
而bjt 0.8V導(dǎo)通壓降，總共輸出電壓才1.1V
效率會(huì)下降很多
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@yu_ying
6.8V是irf840的極限導(dǎo)通壓降，8A的器件至少應(yīng)工作在峰值電流2~3A的場(chǎng)合，導(dǎo)通壓降為0.85*2=1.7V~0.85*3=2.55V。峰值電流1A以下用3A的器件即可，0.1A可用0.3A的器件。電流越小的高壓mos導(dǎo)通電阻越大，為了降低導(dǎo)通電阻選用更大電流的高壓mos從成本考慮不可取。
唉，
松下11W的臺(tái)燈就是用的8A額定電流的mos
另外，mos的安全工作區(qū)比較大，bjt比較小，mos導(dǎo)通電阻正溫度系數(shù)，bjt導(dǎo)通壓降負(fù)溫度系數(shù)
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@ssawee
唉，松下11W的臺(tái)燈就是用的8A額定電流的mos另外，mos的安全工作區(qū)比較大，bjt比較小，mos導(dǎo)通電阻正溫度系數(shù)，bjt導(dǎo)通壓降負(fù)溫度系數(shù)
“松下11W的臺(tái)燈就是用的8A額定電流的mos“
這就是既要用mos，又要降低導(dǎo)通壓降的結(jié)果：大馬拉小車。
其實(shí)用很小的bjt就能達(dá)到同樣的效果。
安全工作區(qū)與成本聯(lián)系起來(lái)才有意義，因?yàn)榭偰苓x取電壓電流足夠大的管子滿足所要求的安全工作區(qū)。應(yīng)該比較有同樣安全工作區(qū)的兩者成本。
導(dǎo)通壓降負(fù)溫度系數(shù)，溫度愈高，損耗愈小。
導(dǎo)通電阻正溫度系數(shù)，溫度愈高，損耗愈大，可能惡性循環(huán)。
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@yu_ying
“松下11W的臺(tái)燈就是用的8A額定電流的mos“這就是既要用mos，又要降低導(dǎo)通壓降的結(jié)果：大馬拉小車。其實(shí)用很小的bjt就能達(dá)到同樣的效果。安全工作區(qū)與成本聯(lián)系起來(lái)才有意義，因?yàn)榭偰苓x取電壓電流足夠大的管子滿足所要求的安全工作區(qū)。應(yīng)該比較有同樣安全工作區(qū)的兩者成本。導(dǎo)通壓降負(fù)溫度系數(shù)，溫度愈高，損耗愈小。導(dǎo)通電阻正溫度系數(shù)，溫度愈高，損耗愈大，可能惡性循環(huán)。
那為什么這么多地方用高壓mos而不是高壓bjt？有沒(méi)有考慮BJT開(kāi)關(guān)速度？
另外bjt是電流驅(qū)動(dòng)
正溫度系數(shù)的mos不容易熱失控
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@ssawee
那為什么這么多地方用高壓mos而不是高壓bjt？有沒(méi)有考慮BJT開(kāi)關(guān)速度？另外bjt是電流驅(qū)動(dòng)正溫度系數(shù)的mos不容易熱失控
高壓mos比bjt的優(yōu)點(diǎn)不是導(dǎo)通壓降，而是輸入端與集成電路的匹配。
mos由于內(nèi)部相當(dāng)于多個(gè)并聯(lián)，為了各部分溫度趨于均衡，導(dǎo)通電阻正溫度系數(shù)是必須的。但是從總體溫度特性而言，損耗為正溫度系數(shù)的器件不如損耗為負(fù)溫度系數(shù)的器件。
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