日韩在线不卡免费视频一区,日韩欧美精品一区二区三区经典,日产精品码2码三码四码区,人妻无码一区二区三区免费,日本feerbbwdh少妇丰满

  • 回復(fù)
  • 收藏
  • 點贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

【原創(chuàng)】逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護(hù)詳解

    【謝謝】這個帖子居然加分了,謝謝版主!

 

       這幾天沉下心來專門給逆變器的后級,也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子,用來深入了解相關(guān)的特性。

大家都知道,IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?,同樣電流容量的IGBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變H橋里頭,MOSFET上去沒有問題,但是IGBT上去,可能開機(jī)帶載就炸了。這一點很多人估計都深有體會。當(dāng)時我看到做魚機(jī)的哥們用FGH25N120AND這個,反映很容易就燒了,當(dāng)時不以為然。

只到我在工作中遇到,一定要使用IGBT的時候,我才發(fā)現(xiàn)我錯了,當(dāng)初我非常天真的認(rèn)為,一個IRFP460,20A/500V的MOSFET,我用個SGH40N60UFD  40A/600V的IGBT上去怎么樣也不會炸的吧,實際情況卻是,帶載之后,突然加負(fù)載和撤銷負(fù)載,幾次下來就炸了,我以為是電路沒有焊接好,然后同樣的換上去,照樣炸掉,這樣白白浪費(fèi)了好多IGBT。

后來發(fā)現(xiàn)一些規(guī)律,就是采用峰值電流保護(hù)的措施就能讓IGBT不會炸,下面我就會將這些東西一起詳細(xì)的說一說,說的不好請大家見諒,這個帖子會慢慢更新,也希望高手們多多提出意見。

我們將這個問題看出幾個部分來解決:

1,驅(qū)動電路;

2,電流采集電路;

3,保護(hù)機(jī)制;

 

一、驅(qū)動電路

這次采用的IGBT為IXYS的,IXGH48N60B3D1,詳細(xì)規(guī)格書如下:IXGH48N60B3D1 

    驅(qū)動電路如下:

 

這是一個非常典型的應(yīng)用電路,完全可以用于IGBT或者M(jìn)OSFET,但是也有些不一樣的地方。

1,有負(fù)壓產(chǎn)生電路,

2,隔離驅(qū)動,

3,單獨(dú)電源供電。

首先我們來總體看看,這個電路沒有保護(hù),用在逆變上100%炸,但是我們可以將這個電路的實質(zhì)摸清楚。

先講講重點:

1:驅(qū)動電阻R2,這個在驅(qū)動里頭非常重要,圖上還有D1配合關(guān)閉的時候,讓IGBT的CGE快速的放電,實際上看需要,這個D1也可以不要,也可以在D1回路里頭串聯(lián)一個電阻做0FF關(guān)閉時候的柵極電阻。

下面發(fā)幾個波形照片,不同的柵極電阻,和高壓HV+400V共同產(chǎn)生作用的時候,上下2個IGBT柵極的實際情況。

 

上面的圖,是在取消負(fù)壓的時候,上下2管之間的柵極波形,柵極電阻都是在10R情況下。

上面的圖是在不加DC400V情況下測量2管G極波形,下圖是在DC400V情況下,2管的柵極波形。

為何第二個圖會有一個尖峰呢。這個要從IGBT的內(nèi)部情況說起,簡單來說,IGBT的GE上有一個寄生的電容,它和另外的CGC一個寄生電容共同組成一個水池子,那就是QG,其實這個和MOSFET也很像的。

那么在來看看為何400V加上去,就會在下管上的G級上產(chǎn)生尖峰。借花獻(xiàn)佛,抓個圖片來說明:

 

如上圖所示,當(dāng)上官開通的時候,此時是截止的,由于上官開通的時候,這個時候要引入DV/DT的概念,這個比較抽象,先不管它,簡單通俗的說就是上管開通的時候,上管等效為直通了,+DC400V電壓立馬加入到下管的C級上,這么高的電壓立刻從IGBT的寄生電容上通過產(chǎn)生一個感應(yīng)電流,這個感應(yīng)電流上圖有公式計算,這個電流在RG電阻和驅(qū)動內(nèi)阻的共同作用下,在下管的柵極上構(gòu)成一個尖峰電壓,如上面那個示波器的截圖所示。到目前為止,沒有引入米勒電容的概念,理解了這些,然后對著規(guī)格書一看,米勒電容是什么,對電路有何影響,就容易理解多了。

 

這個尖峰有許多壞處,從上面示波器截圖可以看出來,在尖峰時刻,下管實際上已經(jīng)到7V電壓了,也就是說,在尖峰的這個時間段內(nèi),上下2個管子是共同導(dǎo)通的。下管的導(dǎo)通時間短,但是由于有TON的時間關(guān)系在里面,所以這個電流不會太大。管子不會炸,但是會發(fā)熱,隨著傳輸?shù)墓β试酱?,這個情況會更加嚴(yán)重,大大影響效率。

本來是要發(fā)出加入負(fù)壓之后波形照片,負(fù)壓可以使這個尖峰在安全的電平范圍內(nèi)。示波器需要U盤導(dǎo)出位圖,這樣清晰,今天發(fā)懶沒有摸儀器了,后面再去補(bǔ)上去。


二,電流采集電路

說到這一步,就是離保護(hù)不遠(yuǎn)了,我的經(jīng)驗就是電流采集速度要很快,這樣才能在過流或短路的時候迅速告訴后面的電路->,這里出問題了。讓IGBT迅速安全的關(guān)閉。

這個電路該如何實現(xiàn)呢?對于逆變電路,我們可以直接用電阻采樣,也可以用VCE管壓降探測方式。管壓降探測這個論壇里有多次討論出現(xiàn)過,但是都沒有一個真正能用,
真正實際應(yīng)用過,測試過的電路(專用驅(qū)動芯片例外),這是因為每種實際應(yīng)用的參數(shù)大不一樣,比如IGBT參數(shù)不同,需要調(diào)整的參數(shù)很多,需要一定的經(jīng)驗做調(diào)整。


我們可以從最簡單的方式入手,采用電阻檢測這個電流,短路來了,可以在電阻上產(chǎn)生壓降,用比較器和這個電壓進(jìn)行比較,得出最終是否有過流或者短路信號。

用這個圖就可以了,因為原理非常簡單,就一個比較的作用,大家實現(xiàn)起來會非常容易,沒有多少參數(shù)可以調(diào)整的。

 

上圖是采樣H橋?qū)Φ氐碾娏?,舉個例子:如果IGBT是40A,我們可以采取2倍左右的峰值電流,也就是80A,對應(yīng)上圖,RS為0.01R,如果流入超過80A脈沖電流那么在該電阻上
產(chǎn)生0.01R*80A=0.8V電壓,此電壓經(jīng)過R11,C11消隱之后到比較器的+端,與來自-端的基準(zhǔn)電壓相比較,圖上的-端參考電阻設(shè)置不對,實際中請另外計算,本例可以分別
采用5.1K和1K電阻分壓變成0.81V左右到-端,此時如果采樣電阻RS上的電壓超過0.8V以上,比較器立即翻轉(zhuǎn),輸出SD 5V電平到外部的電路中。這個變化的電平信號就是我們
后面接下來需要使用的是否短路過流的信號了。

有了這個信號了,那我們?nèi)绾侮P(guān)閉IGBT呢?我們可以看情形是否采取軟關(guān)閉,也可以采取直接硬關(guān)閉。

采取軟關(guān)閉,可以有效防止在關(guān)閉的瞬間造成電路的電壓升高的情況,關(guān)閉特性非常軟,很溫柔,非常適合于高壓大功率的驅(qū)動電路。


如果采取硬關(guān)閉,可能會造成高壓DC上的電壓過沖,

比如第一圖中的DC400V高壓可能變成瞬間變成DC600V也說不定,當(dāng)時我看一些資料上的記載的時候,非常
難以理解:關(guān)就關(guān)了嘛,高壓難道還自己升上去了?實際情況卻是真實存在的。

如果大家難以理解,可以做個試驗,家里有水塔的,最清楚,水塔在很高的樓上,水龍頭在一樓,
打開水龍頭,水留下來了,然后用極快的速度關(guān)閉這個水龍頭,你會聽到水管子有響聲,連水管子都會要震動一下(不知道說的對不對,請高手指正,在此引入水龍頭這個例子
還得感謝我讀書的時候,老師看我們太笨了,講三極管特性原理的時候打的比喻,在此我要感謝他),IGBT在橋電路的原理同樣如此。在IGBT嚴(yán)重短路的時候,如果立馬硬關(guān)閉
IGBT,輕則只是會在母線上造成過沖的感應(yīng)電壓(至于為何會過沖可以查閱相關(guān)資料,很多資料都說到了),管子能抗過去,比如你在直流高壓母線上并聯(lián)了非常好的吸收電容,
有多重吸收電路等等。。

重則,管子關(guān)閉的時候會失效,關(guān)了也沒有用,IGBT還是會被過沖電壓擊穿短路,而且這個短路是沒有辦法恢復(fù)的,會立即損壞非常多的電路。有時候沒有過壓也能引起這種現(xiàn)象,
這個失效的原理具體模型本人未知,但是可以想象的是可能是由于管子相關(guān)的其他寄生電容和米勒電容共同引起失效的,或者是由于在過流,短路信號發(fā)生時候,IGBT已經(jīng)發(fā)生了擎柱效應(yīng)
就算你去關(guān),關(guān)也關(guān)不死了。

還有第三種方式,是叫做:二級關(guān)閉,這種方式簡單來說,就是檢測到了短路,過流信號,PWM此時這個脈沖并沒有打算軟關(guān)閉或直接關(guān)閉,而是立即將此時刻對應(yīng)的VGE驅(qū)動脈沖電壓降低到8V左右
以此來判斷是否還是在過流或短路區(qū)域,如果還是,繼續(xù)沿用這個8V的驅(qū)動,一直到設(shè)定的時間,比如多個個us還是這樣就會立即關(guān)了,如果不是,PWM將會恢復(fù)正常。這種方式一般可能見到不多,
所以我們不做深入研究。


理解了這些,我們可以看情況來具體采用那些關(guān)閉的方式,我認(rèn)為在2KW級別中,DC380V內(nèi),直接采取硬關(guān)閉已經(jīng)可以滿足要求了,只需要在H橋上并聯(lián)吸收特性良好的一個電容,就可以用600V的IGBT了。

關(guān)鍵的一點就是檢測時候要快速,檢測之后要關(guān)閉快速,只有做到了快,IGBT就不會燒。

 


(更新。。。。。。)打幾個字,好累,高手們繼續(xù)提出自己不同的見解!

 

(更新。。。。。。)打幾個字,好累,高手們繼續(xù)提出自己不同的見解!

全部回復(fù)(121)
正序查看
倒序查看
ta7698
LV.9
2
2011-12-28 16:00
說的不錯,IGBT代MOS確實是有這樣的問題,樓主繼續(xù),學(xué)習(xí)一下。
0
回復(fù)
2011-12-28 16:01
**此帖已被管理員刪除**
0
回復(fù)
2011-12-28 16:09
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**
樓上繼續(xù),坐等!
0
回復(fù)
2011-12-28 16:12
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**

IGBT自身C-E短路后,如何處理? 

發(fā)生這種情況,一般都是不可恢復(fù)的故障,我們通常的做法是在HV+400V上加入一個保險,這是變頻器的通常做法。

現(xiàn)實中商品機(jī)器,有的沒有加入這個保險絲,有的是在橋路下部有一個MOSFET/IGBT做開關(guān),沒有加入到保險絲的時候,前級會炸。會損壞相當(dāng)多的元件。

 

0
回復(fù)
2011-12-28 16:15

如果采用專用驅(qū)動芯片,比如HCPL316J.ACPL-330之類的芯片,由于芯片考慮了IGBT的所有情況,所有就有非常多的保護(hù)。

但是詳細(xì)了解IGBT特性之后,將會對產(chǎn)品設(shè)計帶來更好的效果,因為深層次的東西都了解了。

0
回復(fù)
2011-12-28 16:18
@lizlk
IGBT自身C-E短路后,如何處理? 發(fā)生這種情況,一般都是不可恢復(fù)的故障,我們通常的做法是在HV+400V上加入一個保險,這是變頻器的通常做法?,F(xiàn)實中商品機(jī)器,有的沒有加入這個保險絲,有的是在橋路下部有一個MOSFET/IGBT做開關(guān),沒有加入到保險絲的時候,前級會炸。會損壞相當(dāng)多的元件。 
**此帖已被管理員刪除**
0
回復(fù)
SZLQ
LV.4
8
2011-12-28 16:19
@lizlk
如果采用專用驅(qū)動芯片,比如HCPL316J.ACPL-330之類的芯片,由于芯片考慮了IGBT的所有情況,所有就有非常多的保護(hù)。但是詳細(xì)了解IGBT特性之后,將會對產(chǎn)品設(shè)計帶來更好的效果,因為深層次的東西都了解了。
繼續(xù)。。。
0
回復(fù)
2011-12-28 16:23
@lizlk
如果采用專用驅(qū)動芯片,比如HCPL316J.ACPL-330之類的芯片,由于芯片考慮了IGBT的所有情況,所有就有非常多的保護(hù)。但是詳細(xì)了解IGBT特性之后,將會對產(chǎn)品設(shè)計帶來更好的效果,因為深層次的東西都了解了。
0
回復(fù)
2011-12-28 16:24
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**

模塊除外,

實際上我認(rèn)為保險的左右是為了,在IGBT有不可恢復(fù)的災(zāi)難性故障的時候,熔斷,而不至于造成IGBT爆炸,現(xiàn)有的非常多的產(chǎn)品都是這樣實現(xiàn)的,繼電器的方式要解決許多問題,其中高壓直流拉弧的問題,一般繼電器用不了,只能用專用的繼電器高DC直流電壓的這種。

0
回復(fù)
2011-12-28 16:26
@SZLQ
繼續(xù)。。。
**此帖已被管理員刪除**
0
回復(fù)
2011-12-28 16:41
@滔滔江水~~~
[圖片]
樓主繼續(xù)專心聽講正好想學(xué)學(xué)IGBT驅(qū)動,買了幾個二手的還不只到咋用?
0
回復(fù)
2011-12-28 16:46
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**

告訴你吧,絕對不會炸整流器,這個保險絲放置的地方有學(xué)問的,看看變頻器就知道了。

我再次說明,保護(hù)IGBT不是靠保險絲,保險絲只是最后一道門檻,防止IGBT爆炸或者冒煙。

我做了很多這種產(chǎn)品,DC低壓輸入從來不用放置什么保險,全部在高壓保險,就算H橋全部直通,前級照樣不壞,只會炸保險絲,升壓不會產(chǎn)生任何影響。

0
回復(fù)
2011-12-28 16:48
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**
靠繼電器,也不能保護(hù)IGBT,你的方式只是在IGBT擊穿之后,不讓他炸開,或者起火而已,和保險絲相比不知道有什么優(yōu)勢,保險絲這個東西成熟,我沒有在變頻器上面看到用繼電器搞的,當(dāng)然有些有,也不一定。
0
回復(fù)
2011-12-28 16:52
@神舟八號
樓主繼續(xù)專心聽講正好想學(xué)學(xué)IGBT驅(qū)動,買了幾個二手的還不只到咋用?
**此帖已被管理員刪除**
0
回復(fù)
2011-12-28 16:57
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**
**此帖已被管理員刪除**
0
回復(fù)
tby2008
LV.9
17
2011-12-28 17:00

最近我也一直在搜集關(guān)于IGBT保護(hù)的方法,降柵壓軟關(guān)斷技術(shù)還是比較先進(jìn)的

IGBT做H橋后級,曾經(jīng)看到過用mos和IGBT并聯(lián)的事例,利用mos的拖尾短的優(yōu)點,IGBT充當(dāng)主功率管,當(dāng)IGBT關(guān)掉后,mos要延時一會在關(guān);

還有一種是上臂用IGBT  下臂用mos的

談到IGBT和mos并用  曾經(jīng)有過一個想法  來改善mos推挽電路的尖峰吸收問題

主mos并聯(lián)按正常接法  同時并接一個副mos管承擔(dān)吸收的作用

就是在這個副mos GS間并接合適的電容

當(dāng)主mos先關(guān)斷后  由于副mos的延遲作用  從而吸收尖峰電壓

當(dāng)然推挽驅(qū)動的前提是要有合適的死區(qū)時間,不然副mos只好犧牲了

0
回復(fù)
2011-12-28 17:01
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**

我明白你的意思,你放置繼電器的作用是干嘛呢?不就是在IGBT擊穿之后,不會造成其他的東西破壞而已嘛,如果只是這個簡單的作用,為何不直接保險絲來的快,此時保險絲不是用來做保護(hù)的,而是用來在IGBT擊穿之后,不會燒別的東西,這一點沒有任何問題,不知道你明不明白。

以現(xiàn)在公司的產(chǎn)品方案,就算是H橋壞掉,直接短路,都只會燒保險,而不會燒升壓MOS,高壓二極管之類的東西。這一點,我相信很多人都體驗了,因為很多人做了壽版的600W機(jī)器上就是這樣,要是沒有這個保險,前級升壓MOS肯定壞掉。

IGBT短路保護(hù),這個一定要有,也就是本貼接下來要做的保護(hù)相關(guān)的事情。由于短路保護(hù),以及短路時候的檢測都涉及多方面的事情,今天寫不了啦,明天接著寫。

 

0
回復(fù)
2011-12-28 17:10
@tby2008
最近我也一直在搜集關(guān)于IGBT保護(hù)的方法,降柵壓軟關(guān)斷技術(shù)還是比較先進(jìn)的IGBT做H橋后級,曾經(jīng)看到過用mos和IGBT并聯(lián)的事例,利用mos的拖尾短的優(yōu)點,IGBT充當(dāng)主功率管,當(dāng)IGBT關(guān)掉后,mos要延時一會在關(guān);還有一種是上臂用IGBT 下臂用mos的談到IGBT和mos并用 曾經(jīng)有過一個想法 來改善mos推挽電路的尖峰吸收問題主mos并聯(lián)按正常接法 同時并接一個副mos管承擔(dān)吸收的作用就是在這個副mosGS間并接合適的電容當(dāng)主mos先關(guān)斷后 由于副mos的延遲作用 從而吸收尖峰電壓當(dāng)然推挽驅(qū)動的前提是要有合適的死區(qū)時間,不然副mos只好犧牲了

嗯,高手終于出現(xiàn)了,看得出你也研究的非常久和非常多了。

軟降柵壓是在IGBT過流情況下的時候需要這個操作,因為在IGBT過流的時候,如果里面關(guān)閉,DI/DT會跳出來和引線,雜散電感一起感應(yīng)出非常高的電壓,造成IGBT擊穿。挼關(guān)閉就可以解決這個問題。

除了軟關(guān)閉,還有一種方式,就是二極關(guān)閉,這是另外的一種,這種技術(shù)可以將驅(qū)動特性做的非常硬,而且性能和軟關(guān)閉一樣好。

IGBT和MOS的組合,應(yīng)用到非常多的地方就是大功率PFC的BOOST上的。這種方式很巧妙,做的好,效率很好,做的不好就會炸的很快。

H橋內(nèi)有IGBT,又有MOS,一般在特定的機(jī)器上會出現(xiàn),比如并網(wǎng)逆變器,通過一些高效的SPWM調(diào)制方式實現(xiàn)高效,低損耗,由于負(fù)載類型是單一,所以不需要考慮太多隱藏的因素。

希望高手們多多提出自己的意見,相互交流。

0
回復(fù)
2011-12-28 17:11
@tby2008
最近我也一直在搜集關(guān)于IGBT保護(hù)的方法,降柵壓軟關(guān)斷技術(shù)還是比較先進(jìn)的IGBT做H橋后級,曾經(jīng)看到過用mos和IGBT并聯(lián)的事例,利用mos的拖尾短的優(yōu)點,IGBT充當(dāng)主功率管,當(dāng)IGBT關(guān)掉后,mos要延時一會在關(guān);還有一種是上臂用IGBT 下臂用mos的談到IGBT和mos并用 曾經(jīng)有過一個想法 來改善mos推挽電路的尖峰吸收問題主mos并聯(lián)按正常接法 同時并接一個副mos管承擔(dān)吸收的作用就是在這個副mosGS間并接合適的電容當(dāng)主mos先關(guān)斷后 由于副mos的延遲作用 從而吸收尖峰電壓當(dāng)然推挽驅(qū)動的前提是要有合適的死區(qū)時間,不然副mos只好犧牲了
**此帖已被管理員刪除**
0
回復(fù)
2011-12-28 17:15
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**

我不明白你為何老是這么偏激,你看不進(jìn)半點人家的意見,誰說了保護(hù)靠保險絲???和你溝通真是太難了,扯技術(shù)問題都這么難溝通,真搞不懂你。

我上面一再說明,保險絲是用來在IGBT擊穿之后,不將故障范圍擴(kuò)大而已比如起火、爆炸之類,短路保護(hù)檢測還得用別的方式來進(jìn)行的。說了這么多,都是白扯,呵呵。

0
回復(fù)
2011-12-28 19:02
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**
我有個問題,繼電器的速度是否來得及?
0
回復(fù)
2011-12-28 19:11
@lizlk
嗯,高手終于出現(xiàn)了,看得出你也研究的非常久和非常多了。軟降柵壓是在IGBT過流情況下的時候需要這個操作,因為在IGBT過流的時候,如果里面關(guān)閉,DI/DT會跳出來和引線,雜散電感一起感應(yīng)出非常高的電壓,造成IGBT擊穿。挼關(guān)閉就可以解決這個問題。除了軟關(guān)閉,還有一種方式,就是二極關(guān)閉,這是另外的一種,這種技術(shù)可以將驅(qū)動特性做的非常硬,而且性能和軟關(guān)閉一樣好。IGBT和MOS的組合,應(yīng)用到非常多的地方就是大功率PFC的BOOST上的。這種方式很巧妙,做的好,效率很好,做的不好就會炸的很快。H橋內(nèi)有IGBT,又有MOS,一般在特定的機(jī)器上會出現(xiàn),比如并網(wǎng)逆變器,通過一些高效的SPWM調(diào)制方式實現(xiàn)高效,低損耗,由于負(fù)載類型是單一,所以不需要考慮太多隱藏的因素。希望高手們多多提出自己的意見,相互交流。

師傅,我的1000W機(jī)器,原先用的也是IGBT管G40N60,也燒過幾次,貌視這個尖峰是相當(dāng)危險的,所以,在沒有用316J的情況下,我一般不敢用IGBT管了。青島程工民也和我說,在大功率情況下,IGBT管的發(fā)熱比MOS管小,我當(dāng)時也覺得不可思議。

 

0
回復(fù)
btma
LV.8
24
2011-12-28 19:35
關(guān)注這個話題。IGBT的驅(qū)動和保護(hù)是一個專門的話題,有很多技巧。最有效的保護(hù)應(yīng)該是在設(shè)計階段就開始重視,防止發(fā)生功率管的損壞。至于已經(jīng)發(fā)生故障了,要保護(hù)IGBT已經(jīng)晚了,加保險、繼電器都在時間量級上來不及,熔斷器、繼電器都是ms以上級別,一般IGBT穿通時就能抗20us內(nèi),加保險或繼電器就是防止損壞的擴(kuò)大。因此才有IGBT的驅(qū)動過流保護(hù)電路,希望在開始過流時就關(guān)斷(含軟關(guān)斷)IGBT。
0
回復(fù)
qghqgh
LV.6
25
2011-12-28 19:55
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**
請您幫我推薦個能長時間過DC400V10A的繼電器看看?繼電器跳也是要時間的.這時間足夠炸管子了.
0
回復(fù)
ytwsdz
LV.7
26
2011-12-28 20:19

多幾句話哈,不明白就當(dāng)沒看到,我們不是研究永動機(jī)的料哈,正題。

說到保護(hù),有關(guān)書類有太多,西安那有個公司從那購了三大本有關(guān)功率器件的研究

有一天總于想明白了,保護(hù)千萬不要多不要亂,如請保標(biāo)一樣,能著幾個就可,多了沒用,有誰能確保標(biāo)的不變心不睡覺呢?同樣在電路上也是一樣。

問題還是在器件上,器件是廠家供給的,與理想總是有差別的,不可能不壞的,為了減小壞的故障率,就要給器件下半旗,留下余量是最好的辦法。如非要超能力研究,燒管那是太對的起你了,應(yīng)該燒。

做事有余量基本成就就快出來了,那為何還有燒的問題呢,前級!?。」茏尤缛梭w一樣,它張開口等著你給他吃什么,吃的不好就要有病了,所以嚴(yán)把入口關(guān),這入口電源一定要做到細(xì)細(xì)細(xì),內(nèi)層函蓋一個技術(shù)人員的心血,別小看這入口關(guān),你自己親手做的變壓器或許可放心(做到家才可以),別人加工的你不能相信更不能永遠(yuǎn)相信是合格品?。?!何況還有再生器件哈。

MOS與IGBT有著別,驅(qū)動是要調(diào)整的。那個G電阻多大是重要問題,防止共導(dǎo)產(chǎn)生的保護(hù)必須要有?。?!電路中的相位一定要測量哈!

從后面設(shè)置的保護(hù)如同到醫(yī)院化驗一樣泄后!不是強(qiáng)調(diào)的。

對于實際電路我也不能全推出來,點到為止。畢竟我要吃這碗飯,拍磚可以,粗口就讓你,

電路簡單是技術(shù),從讀完那三本書,爆出一些心血,再沒用過什么保護(hù)芯片,什么亂七八糟的保標(biāo)電路。

0
回復(fù)
2011-12-28 20:31
@蕭山老壽
師傅,我的1000W機(jī)器,原先用的也是IGBT管G40N60,也燒過幾次,貌視這個尖峰是相當(dāng)危險的,所以,在沒有用316J的情況下,我一般不敢用IGBT管了。青島程工民也和我說,在大功率情況下,IGBT管的發(fā)熱比MOS管小,我當(dāng)時也覺得不可思議。 

這幾天我搜尋了一下IGBT專驅(qū)芯片,有幾種非常值得推薦:

1,HCPL-316J

2,PC929,這個驅(qū)動大功率器件需要另外加圖騰。

3,ACPL-332J、330J

4,其實AVAGO公司網(wǎng)上有許多種帶VCE飽和檢測的專驅(qū)芯片。

對于米勒電容引起的這個尖峰,致命的是在下管,實際上下管也會通過寄生電容引起上管的柵極電壓過沖,不過是負(fù)向過沖,下管的是正向過沖,這個問題在MOSFET上可能會造成發(fā)熱和隨著功率加大,效率變得低下。

0
回復(fù)
2011-12-28 20:32
@btma
關(guān)注這個話題。IGBT的驅(qū)動和保護(hù)是一個專門的話題,有很多技巧。最有效的保護(hù)應(yīng)該是在設(shè)計階段就開始重視,防止發(fā)生功率管的損壞。至于已經(jīng)發(fā)生故障了,要保護(hù)IGBT已經(jīng)晚了,加保險、繼電器都在時間量級上來不及,熔斷器、繼電器都是ms以上級別,一般IGBT穿通時就能抗20us內(nèi),加保險或繼電器就是防止損壞的擴(kuò)大。因此才有IGBT的驅(qū)動過流保護(hù)電路,希望在開始過流時就關(guān)斷(含軟關(guān)斷)IGBT。
對的,只有檢測在短路的瞬間,也就是在US級的時候軟關(guān)閉IGBT,這樣才能安全。
0
回復(fù)
2011-12-28 20:38
@btma
關(guān)注這個話題。IGBT的驅(qū)動和保護(hù)是一個專門的話題,有很多技巧。最有效的保護(hù)應(yīng)該是在設(shè)計階段就開始重視,防止發(fā)生功率管的損壞。至于已經(jīng)發(fā)生故障了,要保護(hù)IGBT已經(jīng)晚了,加保險、繼電器都在時間量級上來不及,熔斷器、繼電器都是ms以上級別,一般IGBT穿通時就能抗20us內(nèi),加保險或繼電器就是防止損壞的擴(kuò)大。因此才有IGBT的驅(qū)動過流保護(hù)電路,希望在開始過流時就關(guān)斷(含軟關(guān)斷)IGBT。
**此帖已被管理員刪除**
0
回復(fù)
2011-12-28 20:48
@ytwsdz
多幾句話哈,不明白就當(dāng)沒看到,我們不是研究永動機(jī)的料哈,正題。說到保護(hù),有關(guān)書類有太多,西安那有個公司從那購了三大本有關(guān)功率器件的研究有一天總于想明白了,保護(hù)千萬不要多不要亂,如請保標(biāo)一樣,能著幾個就可,多了沒用,有誰能確保標(biāo)的不變心不睡覺呢?同樣在電路上也是一樣。問題還是在器件上,器件是廠家供給的,與理想總是有差別的,不可能不壞的,為了減小壞的故障率,就要給器件下半旗,留下余量是最好的辦法。如非要超能力研究,燒管那是太對的起你了,應(yīng)該燒。做事有余量基本成就就快出來了,那為何還有燒的問題呢,前級!??!管子如人體一樣,它張開口等著你給他吃什么,吃的不好就要有病了,所以嚴(yán)把入口關(guān),這入口電源一定要做到細(xì)細(xì)細(xì),內(nèi)層函蓋一個技術(shù)人員的心血,別小看這入口關(guān),你自己親手做的變壓器或許可放心(做到家才可以),別人加工的你不能相信更不能永遠(yuǎn)相信是合格品!?。『螞r還有再生器件哈。MOS與IGBT有著別,驅(qū)動是要調(diào)整的。那個G電阻多大是重要問題,防止共導(dǎo)產(chǎn)生的保護(hù)必須要有!??!電路中的相位一定要測量哈!從后面設(shè)置的保護(hù)如同到醫(yī)院化驗一樣泄后!不是強(qiáng)調(diào)的。對于實際電路我也不能全推出來,點到為止。畢竟我要吃這碗飯,拍磚可以,粗口就讓你,電路簡單是技術(shù),從讀完那三本書,爆出一些心血,再沒用過什么保護(hù)芯片,什么亂七八糟的保標(biāo)電路。

是啊,您說了很多重點,謝謝!

但是還有些需要您的指點:您在上面說了降半旗,這個降半旗的額度如何定呢?

因為IGBT通常標(biāo)的參數(shù)都是在100度,或者120度下面的參數(shù),與在25度下的電流相差甚大,實際如何選用IGBT呢?

我當(dāng)時做過一個最成功的試驗就是用SGH40N60UFD,這個管子是40A 25度下的,100度下才20A,逆變做220V/1000W阻性負(fù)載,由于有逐脈沖限流,高壓在380V,短路也沒有燒掉,是不是可以按照這個100度的電流比例來選用管子呢,這個問題我一直沒有搞明白,請指教!

您是不是指的就是用分立的元件來實現(xiàn)VCE檢測+軟關(guān)閉,配和好IGBT的傳輸特性曲線,找準(zhǔn)VCE對應(yīng)IC電流點的位置做閥值?我現(xiàn)在的電路非常簡單,就是這樣做的,但是沒有批量生產(chǎn),不知您對此有何建議?

您不貼出那個電路,我表示支持。

0
回復(fù)
2011-12-28 20:51
@獨(dú)在水鄉(xiāng)
**此帖已被管理員刪除**

不會掛的,他沒有標(biāo)注基準(zhǔn)參數(shù),抗20US極有可能

1:他沒有說VGE電壓多高,

2:他沒有說直流高壓有多高

3:他沒有說G極電阻多大。

在10US內(nèi)都是有限制條件的,現(xiàn)在的低VCE On場截止的IGBT哪里還能抗10us,都在5us左右了。

0
回復(fù)
發(fā)