在學(xué)saber,覺得大約學(xué)學(xué)拓?fù)溥€可以,component太少了,要想模型準(zhǔn)確點(diǎn)就得自己建模,我想問用Model Architect建mos的問題
那三個(gè)電容曲線怎么弄的、body diode點(diǎn)進(jìn)去還有兩個(gè)電容,一般怎么設(shè)定
一句話就是怎么弄精確點(diǎn)啊
還有就是誰有help文檔啊
在學(xué)saber,覺得大約學(xué)學(xué)拓?fù)溥€可以,component太少了,要想模型準(zhǔn)確點(diǎn)就得自己建模,我想問用Model Architect建mos的問題
那三個(gè)電容曲線怎么弄的、body diode點(diǎn)進(jìn)去還有兩個(gè)電容,一般怎么設(shè)定
一句話就是怎么弄精確點(diǎn)啊
還有就是誰有help文檔啊
我也在弄這個(gè)問題啊。 它里面的Id VS Ud、Id VS Ug、Rd這些曲線我弄好一個(gè)其他就跟住變了!我記得是保存了的啊。但好像是牽一發(fā)而動(dòng)全身。
關(guān)于樓主的問題:你可以參看一個(gè)比較詳細(xì)的MOSFET的datesheet.pdf文檔,根據(jù)里面對(duì)MOS管里的相關(guān)曲線進(jìn)行繪制。點(diǎn)里面有個(gè)叫toggle什么XX的按鈕可以點(diǎn)出小黃球,然后方便拖動(dòng)曲線。至于體二極管的設(shè)置時(shí)和二極管建模是一樣的,漏電流、寄生電容、反向恢復(fù)時(shí)間等等來進(jìn)行設(shè)置的。但好像一般的datesheet不提供那么詳盡的內(nèi)容,所我覺得那個(gè)體二極管按照普通的來設(shè)置下好了。