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Isense 檢測電阻兩種布局哪一種好一點？

我畫了兩種Isense的電阻的布局，不知道哪一種好一點，想各位幫我分析一下

 

這個是我第一次畫的圖，這個一開始覺得還不錯，但是突然想到會不會這個Isense取樣的導(dǎo)線太長了，這個對Isense信號會有影響嗎？？

  

這個是針對感覺Isense取樣導(dǎo)線太長改的。導(dǎo)線還沒有畫好，只是一個布局，Rsense 這樣布局會不會比上一副好一點呢？

請大家?guī)臀铱纯?，給給意見

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dengyuan
LV.8
2
2011-12-10 10:57
LAYOUT還要兼顧工藝，美觀，現(xiàn)在的IC一般不會那么敏感。
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ctx1211
LV.7
3
2011-12-10 11:34
最重要的是考慮實際EMI以及周圍電路的布局
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2011-12-10 13:56
第二種吧。相對來說而已。
0
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2011-12-10 21:41
@dengyuan
LAYOUT還要兼顧工藝，美觀，現(xiàn)在的IC一般不會那么敏感。

美觀還是第一副好看一點，工藝都差不多，個人感覺呵呵，第二副要避開旁邊的電解電容的高壓正極，所以要向右一地，兩只Rsense電阻會錯開，相對第二幅呢Isense會短不少！

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2011-12-10 21:48
@xiangyq2010
美觀還是第一副好看一點，工藝都差不多，個人感覺呵呵，第二副要避開旁邊的電解電容的高壓正極，所以要向右一地，兩只Rsense電阻會錯開，相對第二幅呢Isense會短不少！
兩種分別實驗，看效果！
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cheng111
LV.11
7
2011-12-11 00:36
電阻之間的連線可以加寬銅線的寬度啊。太細了。
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SBMIC
LV.2
8
2011-12-11 09:27
Isense的線粗細無所謂，其實長短關(guān)系也不大。關(guān)鍵是走線要遠離高壓區(qū)或Power MOS
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2011-12-11 11:54
@SBMIC
Isense的線粗細無所謂，其實長短關(guān)系也不大。關(guān)鍵是走線要遠離高壓區(qū)或PowerMOS

我也在擔(dān)心電阻離高壓區(qū)域太近，但是要讓功率電流環(huán)最小的話，要不斷的縮小元件之間的距離。

有時想FR4的板子，1mm的間距可以有1KV的耐壓，所以感覺也電阻靠近高壓區(qū)也沒有太大的問題吧？？？

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xiangyq2010
LV.4
10
2011-12-11 11:58
@cheng111
電阻之間的連線可以加寬銅線的寬度啊。太細了。
這個是我為了截圖給大家看的的布局，還沒有鋪銅
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zq2007
LV.11
11
2011-12-11 13:44
兩種都可以。
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SBMIC
LV.2
12
2011-12-11 14:46
@xiangyq2010
我也在擔(dān)心電阻離高壓區(qū)域太近，但是要讓功率電流環(huán)最小的話，要不斷的縮小元件之間的距離。有時想FR4的板子，1mm的間距可以有1KV的耐壓，所以感覺也電阻靠近高壓區(qū)也沒有太大的問題吧？？？

這不是耐壓的問題，是信號干擾問題。其實高壓區(qū)也有分情況的，比如Power MOS的Drain和Source區(qū)，由于開/關(guān)作用，過沖是免不了的，導(dǎo)致噪音很大，最好遠離。

 

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konway
LV.4
13
2011-12-11 20:03
@zq2007
兩種都可以。
都很短，實際應(yīng)用無區(qū)別。
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zq2007
LV.11
14
2011-12-11 21:02
@konway
都很短，實際應(yīng)用無區(qū)別。
看EMI會有區(qū)別不？
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10227
LV.7
15
2011-12-12 15:36

兩種都可以,EMI不至于影響.

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zq2007
LV.11
16
2011-12-12 21:02
@10227
兩種都可以,EMI不至于影響.
其實Layerout也是一門學(xué)問。
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sean500600
LV.3
17
2011-12-13 17:10

支持研究

個人感覺第二種好一點


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2011-12-13 18:47
@zq2007
其實Layerout也是一門學(xué)問。
給我們大家講講這個學(xué)問哈！
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xiangyq2010
LV.4
19
2011-12-13 19:25
@sean500600
支持研究個人感覺第二種好一點
我先用第二中測試一下，看看信號會不會被高壓測影響
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zq2007
LV.11
20
2011-12-13 20:26
@xiangyq2010
我先用第二中測試一下，看看信號會不會被高壓測影響
關(guān)于Isence電阻，大家是如何選定的？取值大小有什么講究嗎?
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xiangyq2010
LV.4
21
2011-12-13 20:31
@zq2007
關(guān)于Isence電阻，大家是如何選定的？取值大小有什么講究嗎?

我是根據(jù)PDF中的計算的！在根據(jù)實際調(diào)整的。。。

這個電阻的選擇有很大學(xué)問？？

（一般好像和Isense檢測腳的電壓有關(guān)）

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cheng111
LV.11
22
2011-12-13 20:51
@zq2007
關(guān)于Isence電阻，大家是如何選定的？取值大小有什么講究嗎?
看IC檢測電壓的大小直接除的。不過在RCC中，就需要考慮高低溫的差異了。
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