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【討論】如何判斷同步整流電路是否調(diào)試OK?

最近做了一款60W 12V 5A的適配器,輸出用同步整流做的,現(xiàn)在電性測試基本OK,由于之前對同步整流了解不多,所以不知如何判斷電路已經(jīng)調(diào)試OK,請大家給點(diǎn)意見。
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zvszcs
LV.12
2
2011-12-08 08:37

哈哈,同步技術(shù)現(xiàn)在很流行啊,不知道你是芯片驅(qū)動,還是電流檢測驅(qū)動?

0
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zq2007
LV.11
3
2011-12-08 08:43
IC用的是ON的NCP4303A。
0
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zvszcs
LV.12
4
2011-12-08 08:45
@zq2007
IC用的是ON的NCP4303A。

關(guān)鍵一個延時要調(diào)好,延時過短可能燒電源,過長效率不高,畢竟MOS的體二極管參與工作

0
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zq2007
LV.11
5
2011-12-08 12:59
@zvszcs
關(guān)鍵一個延時要調(diào)好,延時過短可能燒電源,過長效率不高,畢竟MOS的體二極管參與工作[圖片]
如何判斷是否同步呢?
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mark jia
LV.8
6
2011-12-08 13:07
@zvszcs
關(guān)鍵一個延時要調(diào)好,延時過短可能燒電源,過長效率不高,畢竟MOS的體二極管參與工作[圖片]

我也在求解中

我是把肖特二極管裝上 看效率

在把同步裝上看效率 高多少

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zphropt
LV.4
7
2011-12-08 14:23
@mark jia
我也在求解中我是把肖特二極管裝上看效率在把同步裝上看效率高多少

用的人少的技術(shù)就是高技術(shù)。

同步整流就是之一。

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destiny
LV.6
8
2011-12-08 14:28
@zvszcs
關(guān)鍵一個延時要調(diào)好,延時過短可能燒電源,過長效率不高,畢竟MOS的體二極管參與工作[圖片]

燒電源?燒MOS?

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destiny
LV.6
9
2011-12-08 14:29
@zphropt
用的人少的技術(shù)就是高技術(shù)。同步整流就是之一。
不是用的人少,也不是不會用,看面相的市場,畢竟要加IC和MOS啊外圍的貼片價格就可以忽略了。
0
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bigbigeasy
LV.6
10
2011-12-08 15:27
@zq2007
如何判斷是否同步呢?

把電壓 電流探頭加上去 就能看到

0
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zq2007
LV.11
11
2011-12-08 20:27
@destiny
燒電源?燒MOS?
現(xiàn)在市面上那些同步整流芯片比較好用,大家也談一下。
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hq936
LV.2
12
2011-12-08 21:06
@zq2007
現(xiàn)在市面上那些同步整流芯片比較好用,大家也談一下。

樓主用該芯片用怎么樣,同步整流的電壓應(yīng)力高不高?

0
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dxaw001
LV.4
13
2011-12-09 09:09
@zq2007
IC用的是ON的NCP4303A。
該IC不便宜吧
0
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zq2007
LV.11
14
2011-12-09 20:56
@hq936
樓主用該芯片用怎么樣,同步整流的電壓應(yīng)力高不高?

正在調(diào)試中,現(xiàn)在出現(xiàn)新的問題,

加上同步整流,空載,輕載輸出都不正常,反到重載輸出正常,奇怪啦。

0
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zq2007
LV.11
15
2011-12-09 20:58
@zq2007
正在調(diào)試中,現(xiàn)在出現(xiàn)新的問題,加上同步整流,空載,輕載輸出都不正常,反到重載輸出正常,奇怪啦。
不用同步整流,輸出用肖特基,空載輕載都正常,不知怎么回事,是前面引起的,還是同步整流引起的呢
?
0
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zq2007
LV.11
16
2011-12-12 16:15
@zq2007
不用同步整流,輸出用肖特基,空載輕載都正常,不知怎么回事,是前面引起的,還是同步整流引起的呢?
NCP1380與NCP4303配合,有人用過嗎?
0
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zq2007
LV.11
17
2011-12-12 21:21
@zq2007
NCP1380與NCP4303配合,有人用過嗎?
怎么沒人頂呢?
0
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dayfighter
LV.1
18
2011-12-12 22:01
@zq2007
正在調(diào)試中,現(xiàn)在出現(xiàn)新的問題,加上同步整流,空載,輕載輸出都不正常,反到重載輸出正常,奇怪啦。

空載輕載時是不是占空比亂了?建議查看驅(qū)動波形。同步整流模式下輕載和空載也是CCM的,這一點(diǎn)和肖特基整流不同。

0
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zq2007
LV.11
19
2011-12-15 21:33
@dayfighter
空載輕載時是不是占空比亂了?建議查看驅(qū)動波形。同步整流模式下輕載和空載也是CCM的,這一點(diǎn)和肖特基整流不同。
用同步整流的基礎(chǔ)應(yīng)該是先將PWM調(diào)正常后,在接上同步整流調(diào)試,對嗎?
0
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洪七公
LV.9
20
2011-12-15 21:40

開得快,關(guān)得及時,驅(qū)動電壓合理10V左右,就算好,才算OK。

原因:

1.開得快:mosfet剛導(dǎo)通的時候峰值電流最高,這時候最需要同步整流,所以需要IC輸出的Vgs驅(qū)動開得快,開的合理的高。否則慢了就變成了最大峰值電流的時候居然是二極管整流,在大電流應(yīng)用的時候,效率肯定不好,靠mosfet的體二極管頂不住,那就不好意思,要加錢并個肖特基傷財還傷效率不討好。所以要選一個Vgs開得快的方案,便宜大碗。

2.關(guān)得及時:關(guān)慢了,不好意思,可能要發(fā)生交越,在mosfet需要關(guān)斷的時刻,Vgs居然沒有關(guān)斷,Vgs居然還高于Vgsth,不好意思,輕則導(dǎo)致Vds關(guān)斷的地方一個奇高的尖峰,導(dǎo)致mosfet過壓,或者至少效率一下降低,可能比二極管整流的都低,重則從次級反饋到初級炸你初級mosfet聽響聞臭看煙花。關(guān)快了?安是安全了,不過死區(qū)大了,體二極管工作效率肯定不如同步整流效率高。所以要的是關(guān)斷及時,要的是不快也不慢,并且因?yàn)閷?shí)際mosfet的Ciss影響關(guān)斷速度,并且Ciss一定是存在的,沒有mosfet可以幫你拒絕她的存在,如果你輸出電流越大,需要配套的同步整流的Rds越小,那必然導(dǎo)致Ciss越大,Ciss越大,關(guān)斷得越慢,這是mosfet決定的,如果你的方案不能配合他的Ciss的關(guān)斷快慢做出靈活調(diào)整,那剩下的解決方法就是雙手合十祈禱不要讓不行發(fā)生在你的產(chǎn)品上面,mosfet的一致性高點(diǎn),最好不要有離散性。所以最好選個關(guān)斷所謂的及時性也就是表現(xiàn)在死區(qū)上面要可以根據(jù)你的需要動態(tài)調(diào)整的,才能實(shí)現(xiàn)按需關(guān)斷及時。

3:驅(qū)動電壓要合理的高:驅(qū)動電壓高,雖然mosfet 的溝道Rds表現(xiàn)好,但并不明顯,但卻會造成驅(qū)動損耗大;驅(qū)動電壓低了,雖然驅(qū)動損耗小些,但可能不能把普通mosfet溝道全打開,導(dǎo)致Rds 過大,導(dǎo)通損耗大,也不行;驅(qū)動電壓低也想溝道全打開,那就只好加錢傷財選logic-levle的mosfet了,一般人對這種mosfet的價格心臟有點(diǎn)接受不了。所以就要合理的高,10V左右開關(guān)損耗可以接受,普通便宜的mosfet也能全打開溝道,便宜還能高效。合理的高還表現(xiàn)在在需要導(dǎo)通,而不是關(guān)斷的時候驅(qū)動電壓就應(yīng)該盡量保持一個穩(wěn)定的高電壓,而不是搞個坡坡上,再搞個坡坡下,甚至搞個臺階給你中途剎一腳,上下坡坡剎一腳可以工作,但必然影響效率。

 

0
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mark jia
LV.8
21
2011-12-16 07:38
@洪七公
開得快,關(guān)得及時,驅(qū)動電壓合理10V左右,就算好,才算OK。[圖片]原因:1.開得快:mosfet剛導(dǎo)通的時候峰值電流最高,這時候最需要同步整流,所以需要IC輸出的Vgs驅(qū)動開得快,開的合理的高。否則慢了就變成了最大峰值電流的時候居然是二極管整流,在大電流應(yīng)用的時候,效率肯定不好,靠mosfet的體二極管頂不住,那就不好意思,要加錢并個肖特基傷財還傷效率不討好。所以要選一個Vgs開得快的方案,便宜大碗。2.關(guān)得及時:關(guān)慢了,不好意思,可能要發(fā)生交越,在mosfet需要關(guān)斷的時刻,Vgs居然沒有關(guān)斷,Vgs居然還高于Vgsth,不好意思,輕則導(dǎo)致Vds關(guān)斷的地方一個奇高的尖峰,導(dǎo)致mosfet過壓,或者至少效率一下降低,可能比二極管整流的都低,重則從次級反饋到初級炸你初級mosfet聽響聞臭看煙花。關(guān)快了?安是安全了,不過死區(qū)大了,體二極管工作效率肯定不如同步整流效率高。所以要的是關(guān)斷及時,要的是不快也不慢,并且因?yàn)閷?shí)際mosfet的Ciss影響關(guān)斷速度,并且Ciss一定是存在的,沒有mosfet可以幫你拒絕她的存在,如果你輸出電流越大,需要配套的同步整流的Rds越小,那必然導(dǎo)致Ciss越大,Ciss越大,關(guān)斷得越慢,這是mosfet決定的,如果你的方案不能配合他的Ciss的關(guān)斷快慢做出靈活調(diào)整,那剩下的解決方法就是雙手合十祈禱不要讓不行發(fā)生在你的產(chǎn)品上面,mosfet的一致性高點(diǎn),最好不要有離散性。所以最好選個關(guān)斷所謂的及時性也就是表現(xiàn)在死區(qū)上面要可以根據(jù)你的需要動態(tài)調(diào)整的,才能實(shí)現(xiàn)按需關(guān)斷及時。3:驅(qū)動電壓要合理的高:驅(qū)動電壓高,雖然mosfet的溝道Rds表現(xiàn)好,但并不明顯,但卻會造成驅(qū)動損耗大;驅(qū)動電壓低了,雖然驅(qū)動損耗小些,但可能不能把普通mosfet溝道全打開,導(dǎo)致Rds過大,導(dǎo)通損耗大,也不行;驅(qū)動電壓低也想溝道全打開,那就只好加錢傷財選logic-levle的mosfet了,一般人對這種mosfet的價格心臟有點(diǎn)接受不了。所以就要合理的高,10V左右開關(guān)損耗可以接受,普通便宜的mosfet也能全打開溝道,便宜還能高效。合理的高還表現(xiàn)在在需要導(dǎo)通,而不是關(guān)斷的時候驅(qū)動電壓就應(yīng)該盡量保持一個穩(wěn)定的高電壓,而不是搞個坡坡上,再搞個坡坡下,甚至搞個臺階給你中途剎一腳,上下坡坡剎一腳可以工作,但必然影響效率。 
很經(jīng)典呀
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zq2007
LV.11
22
2011-12-16 21:59
@洪七公
開得快,關(guān)得及時,驅(qū)動電壓合理10V左右,就算好,才算OK。[圖片]原因:1.開得快:mosfet剛導(dǎo)通的時候峰值電流最高,這時候最需要同步整流,所以需要IC輸出的Vgs驅(qū)動開得快,開的合理的高。否則慢了就變成了最大峰值電流的時候居然是二極管整流,在大電流應(yīng)用的時候,效率肯定不好,靠mosfet的體二極管頂不住,那就不好意思,要加錢并個肖特基傷財還傷效率不討好。所以要選一個Vgs開得快的方案,便宜大碗。2.關(guān)得及時:關(guān)慢了,不好意思,可能要發(fā)生交越,在mosfet需要關(guān)斷的時刻,Vgs居然沒有關(guān)斷,Vgs居然還高于Vgsth,不好意思,輕則導(dǎo)致Vds關(guān)斷的地方一個奇高的尖峰,導(dǎo)致mosfet過壓,或者至少效率一下降低,可能比二極管整流的都低,重則從次級反饋到初級炸你初級mosfet聽響聞臭看煙花。關(guān)快了?安是安全了,不過死區(qū)大了,體二極管工作效率肯定不如同步整流效率高。所以要的是關(guān)斷及時,要的是不快也不慢,并且因?yàn)閷?shí)際mosfet的Ciss影響關(guān)斷速度,并且Ciss一定是存在的,沒有mosfet可以幫你拒絕她的存在,如果你輸出電流越大,需要配套的同步整流的Rds越小,那必然導(dǎo)致Ciss越大,Ciss越大,關(guān)斷得越慢,這是mosfet決定的,如果你的方案不能配合他的Ciss的關(guān)斷快慢做出靈活調(diào)整,那剩下的解決方法就是雙手合十祈禱不要讓不行發(fā)生在你的產(chǎn)品上面,mosfet的一致性高點(diǎn),最好不要有離散性。所以最好選個關(guān)斷所謂的及時性也就是表現(xiàn)在死區(qū)上面要可以根據(jù)你的需要動態(tài)調(diào)整的,才能實(shí)現(xiàn)按需關(guān)斷及時。3:驅(qū)動電壓要合理的高:驅(qū)動電壓高,雖然mosfet的溝道Rds表現(xiàn)好,但并不明顯,但卻會造成驅(qū)動損耗大;驅(qū)動電壓低了,雖然驅(qū)動損耗小些,但可能不能把普通mosfet溝道全打開,導(dǎo)致Rds過大,導(dǎo)通損耗大,也不行;驅(qū)動電壓低也想溝道全打開,那就只好加錢傷財選logic-levle的mosfet了,一般人對這種mosfet的價格心臟有點(diǎn)接受不了。所以就要合理的高,10V左右開關(guān)損耗可以接受,普通便宜的mosfet也能全打開溝道,便宜還能高效。合理的高還表現(xiàn)在在需要導(dǎo)通,而不是關(guān)斷的時候驅(qū)動電壓就應(yīng)該盡量保持一個穩(wěn)定的高電壓,而不是搞個坡坡上,再搞個坡坡下,甚至搞個臺階給你中途剎一腳,上下坡坡剎一腳可以工作,但必然影響效率。 

感謝洪幫主,你的見解對我?guī)椭艽蟆?/p>

在此說明一下,網(wǎng)名為洪七公的,其實(shí)就是道正工貿(mào)的夏先生,對同步整流是相當(dāng)?shù)氖煜?。大家有關(guān)于同步整流的問題,都可以找他溝通。

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洪七公
LV.9
23
2011-12-17 12:02
@zq2007
用同步整流的基礎(chǔ)應(yīng)該是先將PWM調(diào)正常后,在接上同步整流調(diào)試,對嗎?

先把初級PWM調(diào)穩(wěn)定,再調(diào)同步整流,這是一個好習(xí)慣。眉毛胡子一把抓的結(jié)果容易搞不清楚問題點(diǎn)。

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洪七公
LV.9
24
2011-12-17 12:21
@洪七公
開得快,關(guān)得及時,驅(qū)動電壓合理10V左右,就算好,才算OK。[圖片]原因:1.開得快:mosfet剛導(dǎo)通的時候峰值電流最高,這時候最需要同步整流,所以需要IC輸出的Vgs驅(qū)動開得快,開的合理的高。否則慢了就變成了最大峰值電流的時候居然是二極管整流,在大電流應(yīng)用的時候,效率肯定不好,靠mosfet的體二極管頂不住,那就不好意思,要加錢并個肖特基傷財還傷效率不討好。所以要選一個Vgs開得快的方案,便宜大碗。2.關(guān)得及時:關(guān)慢了,不好意思,可能要發(fā)生交越,在mosfet需要關(guān)斷的時刻,Vgs居然沒有關(guān)斷,Vgs居然還高于Vgsth,不好意思,輕則導(dǎo)致Vds關(guān)斷的地方一個奇高的尖峰,導(dǎo)致mosfet過壓,或者至少效率一下降低,可能比二極管整流的都低,重則從次級反饋到初級炸你初級mosfet聽響聞臭看煙花。關(guān)快了?安是安全了,不過死區(qū)大了,體二極管工作效率肯定不如同步整流效率高。所以要的是關(guān)斷及時,要的是不快也不慢,并且因?yàn)閷?shí)際mosfet的Ciss影響關(guān)斷速度,并且Ciss一定是存在的,沒有mosfet可以幫你拒絕她的存在,如果你輸出電流越大,需要配套的同步整流的Rds越小,那必然導(dǎo)致Ciss越大,Ciss越大,關(guān)斷得越慢,這是mosfet決定的,如果你的方案不能配合他的Ciss的關(guān)斷快慢做出靈活調(diào)整,那剩下的解決方法就是雙手合十祈禱不要讓不行發(fā)生在你的產(chǎn)品上面,mosfet的一致性高點(diǎn),最好不要有離散性。所以最好選個關(guān)斷所謂的及時性也就是表現(xiàn)在死區(qū)上面要可以根據(jù)你的需要動態(tài)調(diào)整的,才能實(shí)現(xiàn)按需關(guān)斷及時。3:驅(qū)動電壓要合理的高:驅(qū)動電壓高,雖然mosfet的溝道Rds表現(xiàn)好,但并不明顯,但卻會造成驅(qū)動損耗大;驅(qū)動電壓低了,雖然驅(qū)動損耗小些,但可能不能把普通mosfet溝道全打開,導(dǎo)致Rds過大,導(dǎo)通損耗大,也不行;驅(qū)動電壓低也想溝道全打開,那就只好加錢傷財選logic-levle的mosfet了,一般人對這種mosfet的價格心臟有點(diǎn)接受不了。所以就要合理的高,10V左右開關(guān)損耗可以接受,普通便宜的mosfet也能全打開溝道,便宜還能高效。合理的高還表現(xiàn)在在需要導(dǎo)通,而不是關(guān)斷的時候驅(qū)動電壓就應(yīng)該盡量保持一個穩(wěn)定的高電壓,而不是搞個坡坡上,再搞個坡坡下,甚至搞個臺階給你中途剎一腳,上下坡坡剎一腳可以工作,但必然影響效率。 

上面談的是同步整流在靜態(tài)下的分析。

還有動態(tài)特性。因?yàn)閙osfet的Vgs關(guān)斷有個過程,特別是Ciss猶如一個大水缸,你可以做個水龍頭放水,但你水龍頭的口徑卻是固定的,但大水缸越大,裝的水越多,放水越慢,這個放水速度是你左右不了的,自然影響mosfet的關(guān)斷響應(yīng)時間和速度。并且IC的關(guān)斷速度也有一個響應(yīng)時間的要求。很多在靜態(tài)負(fù)載下工作的電源同步整流看起來沒問題,但當(dāng)負(fù)載變化的時候,特別是大動態(tài)快速變化的時候,如果同步整流的Vgs脈寬調(diào)整跟不上,比如LLC這種變頻應(yīng)用從地頻率向高頻率變化,需要的Vgs驅(qū)動Vgs脈款需要從寬變到窄,脈寬調(diào)整跟不上,或者QR從重載向中載切換,PWM模式下負(fù)載從重載向中載切換,特別是都在CCM下,那如果Vgs脈寬調(diào)整速度跟不上系統(tǒng)的Vds Ton的變化速度,那就可能造成在靜態(tài)下電源是好的,動態(tài)下電源輕則因?yàn)榻辉?DS過壓,效率降低,重則炸初級。

所以除開靜態(tài)判斷外還有判斷同步整流的動態(tài)特性,二極管整流天生就比同步整流要可靠,選了同步整流就犧牲了可靠性,所以要從靜態(tài)和動態(tài)兩全面考慮同步整流的可靠性,確保首先解決炸機(jī)風(fēng)險,再談效率提升。人手的開關(guān)機(jī)測試是不夠全面的,把電子負(fù)載的動態(tài)測試功能用起來,考驗(yàn)一下同步整流的動態(tài)性能,特別是你電源可能真帶動態(tài)負(fù)載的,比如電腦,通信用途的電源。

0
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zq2007
LV.11
25
2011-12-17 13:19
@洪七公
上面談的是同步整流在靜態(tài)下的分析。還有動態(tài)特性。因?yàn)閙osfet的Vgs關(guān)斷有個過程,特別是Ciss猶如一個大水缸,你可以做個水龍頭放水,但你水龍頭的口徑卻是固定的,但大水缸越大,裝的水越多,放水越慢,這個放水速度是你左右不了的,自然影響mosfet的關(guān)斷響應(yīng)時間和速度。并且IC的關(guān)斷速度也有一個響應(yīng)時間的要求。很多在靜態(tài)負(fù)載下工作的電源同步整流看起來沒問題,但當(dāng)負(fù)載變化的時候,特別是大動態(tài)快速變化的時候,如果同步整流的Vgs脈寬調(diào)整跟不上,比如LLC這種變頻應(yīng)用從地頻率向高頻率變化,需要的Vgs驅(qū)動Vgs脈款需要從寬變到窄,脈寬調(diào)整跟不上,或者QR從重載向中載切換,PWM模式下負(fù)載從重載向中載切換,特別是都在CCM下,那如果Vgs脈寬調(diào)整速度跟不上系統(tǒng)的VdsTon的變化速度,那就可能造成在靜態(tài)下電源是好的,動態(tài)下電源輕則因?yàn)榻辉紻S過壓,效率降低,重則炸初級。所以除開靜態(tài)判斷外還有判斷同步整流的動態(tài)特性,二極管整流天生就比同步整流要可靠,選了同步整流就犧牲了可靠性,所以要從靜態(tài)和動態(tài)兩全面考慮同步整流的可靠性,確保首先解決炸機(jī)風(fēng)險,再談效率提升。人手的開關(guān)機(jī)測試是不夠全面的,把電子負(fù)載的動態(tài)測試功能用起來,考驗(yàn)一下同步整流的動態(tài)性能[圖片],特別是你電源可能真帶動態(tài)負(fù)載的,比如電腦,通信用途的電源。
分析的很在理,謝謝。
0
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qqwater123
LV.4
26
2011-12-17 17:09
@洪七公
上面談的是同步整流在靜態(tài)下的分析。還有動態(tài)特性。因?yàn)閙osfet的Vgs關(guān)斷有個過程,特別是Ciss猶如一個大水缸,你可以做個水龍頭放水,但你水龍頭的口徑卻是固定的,但大水缸越大,裝的水越多,放水越慢,這個放水速度是你左右不了的,自然影響mosfet的關(guān)斷響應(yīng)時間和速度。并且IC的關(guān)斷速度也有一個響應(yīng)時間的要求。很多在靜態(tài)負(fù)載下工作的電源同步整流看起來沒問題,但當(dāng)負(fù)載變化的時候,特別是大動態(tài)快速變化的時候,如果同步整流的Vgs脈寬調(diào)整跟不上,比如LLC這種變頻應(yīng)用從地頻率向高頻率變化,需要的Vgs驅(qū)動Vgs脈款需要從寬變到窄,脈寬調(diào)整跟不上,或者QR從重載向中載切換,PWM模式下負(fù)載從重載向中載切換,特別是都在CCM下,那如果Vgs脈寬調(diào)整速度跟不上系統(tǒng)的VdsTon的變化速度,那就可能造成在靜態(tài)下電源是好的,動態(tài)下電源輕則因?yàn)榻辉紻S過壓,效率降低,重則炸初級。所以除開靜態(tài)判斷外還有判斷同步整流的動態(tài)特性,二極管整流天生就比同步整流要可靠,選了同步整流就犧牲了可靠性,所以要從靜態(tài)和動態(tài)兩全面考慮同步整流的可靠性,確保首先解決炸機(jī)風(fēng)險,再談效率提升。人手的開關(guān)機(jī)測試是不夠全面的,把電子負(fù)載的動態(tài)測試功能用起來,考驗(yàn)一下同步整流的動態(tài)性能[圖片],特別是你電源可能真帶動態(tài)負(fù)載的,比如電腦,通信用途的電源。
MARK
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zq2007
LV.11
27
2011-12-18 08:12
@qqwater123
MARK
同步整流的Ton、Toff時間調(diào)節(jié)很重要。
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zq2007
LV.11
28
2011-12-19 19:54
@zq2007
同步整流的Ton、Toff時間調(diào)節(jié)很重要。
同步整流的EMC大家認(rèn)為好不好處理?有沒有一些經(jīng)驗(yàn)?
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destiny
LV.6
29
2011-12-20 10:40
@洪七公
上面談的是同步整流在靜態(tài)下的分析。還有動態(tài)特性。因?yàn)閙osfet的Vgs關(guān)斷有個過程,特別是Ciss猶如一個大水缸,你可以做個水龍頭放水,但你水龍頭的口徑卻是固定的,但大水缸越大,裝的水越多,放水越慢,這個放水速度是你左右不了的,自然影響mosfet的關(guān)斷響應(yīng)時間和速度。并且IC的關(guān)斷速度也有一個響應(yīng)時間的要求。很多在靜態(tài)負(fù)載下工作的電源同步整流看起來沒問題,但當(dāng)負(fù)載變化的時候,特別是大動態(tài)快速變化的時候,如果同步整流的Vgs脈寬調(diào)整跟不上,比如LLC這種變頻應(yīng)用從地頻率向高頻率變化,需要的Vgs驅(qū)動Vgs脈款需要從寬變到窄,脈寬調(diào)整跟不上,或者QR從重載向中載切換,PWM模式下負(fù)載從重載向中載切換,特別是都在CCM下,那如果Vgs脈寬調(diào)整速度跟不上系統(tǒng)的VdsTon的變化速度,那就可能造成在靜態(tài)下電源是好的,動態(tài)下電源輕則因?yàn)榻辉紻S過壓,效率降低,重則炸初級。所以除開靜態(tài)判斷外還有判斷同步整流的動態(tài)特性,二極管整流天生就比同步整流要可靠,選了同步整流就犧牲了可靠性,所以要從靜態(tài)和動態(tài)兩全面考慮同步整流的可靠性,確保首先解決炸機(jī)風(fēng)險,再談效率提升。人手的開關(guān)機(jī)測試是不夠全面的,把電子負(fù)載的動態(tài)測試功能用起來,考驗(yàn)一下同步整流的動態(tài)性能[圖片],特別是你電源可能真帶動態(tài)負(fù)載的,比如電腦,通信用途的電源。
看來幫主對同步整流的理解相當(dāng)透徹??!
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roc19850
LV.5
30
2011-12-20 10:59
@zq2007
正在調(diào)試中,現(xiàn)在出現(xiàn)新的問題,加上同步整流,空載,輕載輸出都不正常,反到重載輸出正常,奇怪啦。
嘿嘿,這個有意思。
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tony_dai
LV.8
31
2011-12-20 12:36
@zq2007
分析的很在理,謝謝。
不錯,同步整流解析清晰...,學(xué)習(xí)
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