IW3614和IW3612哪個能做功率大一點？因為詢問了幾個IC代理商，都有說是3612可以做功率大一點，不知道是不是這樣，
3614好像規(guī)格書上是只可以做15W
而3612可以做25W，
是不是這樣呀
因為目前在用3614調一款電源，18W的
不知道3614和3612在電路上是不是可以共用PCB板
IW3614和IW3612哪個能做功率大一點
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@iwatt-szl
iW3612和iW3614可以做同樣的功率，由于iW3612PF為0.7，較iW3614低，因此建議iW3612應用到25W以內，iW3614應用到30W以內。
今天點了一下溫度，發(fā)現(xiàn)PFC部分溫度猶為突出，60V300MA， PFC電感：145.5TS，L=3MH
不帶調光滿載的時候，PFC MOS（5N60）65度，390R電阻，75度，
帶上調光器滿載，PFC MOS（5N60）75度，390R電阻，80度，
帶上調光器60%負載，PFC MOS（5N60）105度，390R/2W電阻85度，
其它溫度還算好，
請問如何能解決以上問題，另外，是不是不可以用電阻老化。主要是要解決量產(chǎn)時老化問題。。。
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@duo76080336
今天點了一下溫度，發(fā)現(xiàn)PFC部分溫度猶為突出，60V300MA， PFC電感：145.5TS，L=3MH不帶調光滿載的時候，PFCMOS（5N60）65度，390R電阻，75度，帶上調光器滿載，PFCMOS（5N60）75度，390R電阻，80度，帶上調光器60%負載，PFCMOS（5N60）105度，390R/2W電阻85度，其它溫度還算好， 請問如何能解決以上問題，另外，是不是不可以用電阻老化。主要是要解決量產(chǎn)時老化問題。。。
1. 上面給的數(shù)據(jù)是常溫點的溫度嗎，那還算可以，假如你希望更低的話可以這部分局部點散熱膠，PFC MOS沒有必要用5N60, 用2N60就夠了，從chopping電路作為可控硅的動態(tài)電阻。帶調光器時chopping能力加強，損耗自然比沒帶調光器大。還有跟調光器有關。
2. 負載儀只能用CV模式，CC和CR都不行，可以購買一些便宜的燈做老化處理。
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@iwatt-szl
1.上面給的數(shù)據(jù)是常溫點的溫度嗎，那還算可以，假如你希望更低的話可以這部分局部點散熱膠，PFCMOS沒有必要用5N60,用2N60就夠了，從chopping電路作為可控硅的動態(tài)電阻。帶調光器時chopping能力加強，損耗自然比沒帶調光器大。還有跟調光器有關。2.負載儀只能用CV模式，CC和CR都不行，可以購買一些便宜的燈做老化處理。
我對比了一個幾個不同DEMO資料，發(fā)現(xiàn)在390R與47R取值各有不同，不知這其中對調光有沒有影響，因為將390R改到560R，47R改到68R，溫度有下降下點點，溫度在80% load的時候還是有100度。這個電阻改大有沒有影響呢？？？
急~~~
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