前一段時(shí)間負(fù)責(zé)的幾個(gè)機(jī)種均出現(xiàn)了EMI不過(guò)的問(wèn)題，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)搜索，請(qǐng)教高手終于解決了，把經(jīng)驗(yàn)發(fā)一下，呵呵。不對(duì)的請(qǐng)?zhí)岢?，呵?/P>
2203+6562D 90W 產(chǎn)品24V 19V系列，之前使用的濾波方式如下：
出現(xiàn)的不良狀況是100V時(shí)150K-0.5M PK和AV分離，PK超標(biāo)，加大X電容沒(méi)有效果。后來(lái)才知道X2電容是沒(méi)有作用的，
經(jīng)過(guò)改善，后減少了一個(gè)濾波器，減小了濾波電容，最終如下：
增大CX1對(duì)150K-1M的差模沒(méi)有效果。增大后面直流段電感對(duì)150-0.5M很有效果，
增大Y1,Y2對(duì)0.5M的差模有3db左右的效果，Y3基本上沒(méi)有發(fā)現(xiàn)有什么效果，
減小LF1對(duì)30M以上的共模效果很好。
增大LF2對(duì)5M到20M有很好的效果。
因?yàn)槲业漠a(chǎn)品是全部屏蔽的，所以輻射很好過(guò)，也沒(méi)有怎么對(duì)策。。呵呵
2，產(chǎn)品80W 使用IC 2269。出現(xiàn)的現(xiàn)象也是EMI和輻射余量小才有1db一下。
Y3和Y4對(duì)5M到30M的共模有很大的衰減，并且對(duì)150K-5M的差模也有很大的衰減 衰減5-15DB不等吧。至于原理還沒(méi)有弄明白，希望達(dá)人解讀一下。
Y1和Y2對(duì)30-200M的共模都有很大的衰減，這個(gè)是因?yàn)樗陔娫吹某隹冢苓^(guò)濾掉高頻的共模，一般取值在102-471。
Y3和Y4我見(jiàn)一個(gè)人取值222，效果是在150K到3M AV和PK值直接都在30db以下。
總結(jié)了這多長(zhǎng)時(shí)間，還是有很多不懂的地方，希望達(dá)人出來(lái)解答一下。。。見(jiàn)下圖。。以下是共模的檢測(cè)方式和信號(hào)流動(dòng)的回路。
MOS管的D級(jí)相對(duì)GND的電容C1產(chǎn)生的共模信號(hào)大概在5-10M左右是因?yàn)樽儔浩髀└蠰和MOS體電容在OS關(guān)斷時(shí)共振引起的，，減小這個(gè)干擾方法有兩個(gè)，
1。增大共模電感也就是加大L1，道理是加大了共模信號(hào)的阻抗。
2。增強(qiáng)RCD電路吸收特性，盡量減少吸收電路上產(chǎn)生尖峰的震蕩。，減小D級(jí)面積，能直接減小C1。
Y電容的作用是減小CT和C12的干擾，個(gè)人是這樣理解的，不知道對(duì)不對(duì)；
要是變壓器做得好，能吧CT和C12減小到很小，應(yīng)該是不用Y電容的，
CT和C12產(chǎn)生的共模信號(hào)應(yīng)該是通過(guò)C2耦合到GND的，干擾應(yīng)該也是在5-10M之間吧不知道對(duì)不對(duì)。
3。次級(jí)整流二極管發(fā)出的反向恢復(fù)震蕩，一般信號(hào)都在20-27M加強(qiáng)吸收應(yīng)該會(huì)有很大的衰減。這部分震蕩產(chǎn)生的信號(hào)，應(yīng)該是通過(guò)C2到GND 和CT和C12和C2到GND吧，不知道是不是這樣啊，很多東西還不確定因?yàn)闆](méi)有驗(yàn)證啊，好像也比較難驗(yàn)證。。
4.下面的圖片上面的是2PIN輸入的，下面的是3PIN輸入的，實(shí)際在測(cè)試輻射的時(shí)候，也是3PIN超標(biāo)。
