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48V0.5A.。。。無(wú)Y。。變壓器繞制。。。。。

48V0.5A.。。。無(wú)Y。。變壓器繞制。。。。。

已經(jīng)通過(guò)EMI了。。。。

有個(gè)問(wèn)題就是變壓器。。。

打底的線徑是越小越好。。。。還是越粗越好？？？

這次是把打底的線徑變大了一倍才過(guò)的。。。。

尋求高手解釋。。。。。

全部回復(fù)(25)
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2011-09-23 10:18

我認(rèn)為跟線徑粗細(xì)沒(méi)有關(guān)，跟圈數(shù)有關(guān)。同一骨架，線粗了，圈數(shù)少了，線細(xì)了，圈數(shù)多了。

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2011-09-23 12:44
@曾永進(jìn)515232
我認(rèn)為跟線徑粗細(xì)沒(méi)有關(guān)，跟圈數(shù)有關(guān)。同一骨架，線粗了，圈數(shù)少了，線細(xì)了，圈數(shù)多了。

打底層。。。

別人的經(jīng)驗(yàn)是：越細(xì)越好。。。。

但是這一次是：從0.25*2改為0.5的打底。。。就OK了。。。

我被搞糊涂了。。。

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2011-09-23 15:39
加下關(guān)注  幫你頂下
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amonson
LV.8
5
2011-09-23 23:02
越平越好
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2011-09-24 07:52

線徑是越小傳導(dǎo)相對(duì)來(lái)講教好，但是線徑是越粗輻射比較好，所以要折中。

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2011-09-24 08:05
@dxsmail
打底層。。。別人的經(jīng)驗(yàn)是：越細(xì)越好。。。。但是這一次是：從0.25*2改為0.5的打底。。。就OK了。。。我被搞糊涂了。。。
這種現(xiàn)象我也 遇見(jiàn)過(guò)，但是你這樣繞，線包不會(huì)太飽呢？
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2011-09-24 08:10

線徑粗，屏蔽線圈的內(nèi)阻就越小，屏蔽效果會(huì)好，抑制渦流的效果也會(huì)強(qiáng)些。

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2011-09-24 11:24
@javike
線徑粗，屏蔽線圈的內(nèi)阻就越小，屏蔽效果會(huì)好，抑制渦流的效果也會(huì)強(qiáng)些。

好像就是這樣解釋。。。。

打底跟輸出繞組，匝數(shù)很相近。。。都是24匝。。。。不懂有沒(méi)有關(guān)系。。。。


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2011-09-24 11:25
@zhongjiang520
線徑是越小傳導(dǎo)相對(duì)來(lái)講教好，但是線徑是越粗輻射比較好，所以要折中。
這次相反。。。傳導(dǎo)變好了。。。。
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2011-09-24 11:27
@zhongjiang520
這種現(xiàn)象我也遇見(jiàn)過(guò)，但是你這樣繞，線包不會(huì)太飽呢？
是有點(diǎn)飽，但剛好繞得小。。。EE25的磁芯。。。。
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cheng111
LV.11
12
2011-09-24 11:31
@javike
線徑粗，屏蔽線圈的內(nèi)阻就越小，屏蔽效果會(huì)好，抑制渦流的效果也會(huì)強(qiáng)些。
學(xué)習(xí)了，頂
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2011-09-24 11:35
@電源網(wǎng)-源源
加下關(guān)注 幫你頂下
感謝源源。。。
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2011-09-24 11:40
@dxsmail
好像就是這樣解釋。。。。打底跟輸出繞組，匝數(shù)很相近。。。都是24匝。。。。不懂有沒(méi)有關(guān)系。。。。
繼續(xù)關(guān)注
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2011-09-24 11:46
@dxsmail
好像就是這樣解釋。。。。打底跟輸出繞組，匝數(shù)很相近。。。都是24匝。。。。不懂有沒(méi)有關(guān)系。。。。

除了內(nèi)阻的影響，磁芯氣隙測(cè)試的渦流沒(méi)有完全被屏蔽掉的，渦流的穿透深度也會(huì)影響到屏蔽的效果，線徑粗的，相當(dāng)于屏蔽層厚些，對(duì)渦流的抑制會(huì)更強(qiáng)。。。

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2011-09-24 12:09
@javike
除了內(nèi)阻的影響，磁芯氣隙測(cè)試的渦流沒(méi)有完全被屏蔽掉的，渦流的穿透深度也會(huì)影響到屏蔽的效果，線徑粗的，相當(dāng)于屏蔽層厚些，對(duì)渦流的抑制會(huì)更強(qiáng)。。。
我以前，我試過(guò)兩層打底，其實(shí)那時(shí)候一點(diǎn)影響都沒(méi)有。。。。
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2011-09-24 12:11
@dxsmail
我以前，我試過(guò)兩層打底，其實(shí)那時(shí)候一點(diǎn)影響都沒(méi)有。。。。
這次的繞法，是很正常的順序繞法。再加打底而已。。。。就打底的線徑加粗了。。。。
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2011-09-24 12:18
@dxsmail
這次的繞法，是很正常的順序繞法。再加打底而已。。。。就打底的線徑加粗了。。。。
連銅萡屏蔽都沒(méi)用。。。。余量還有4個(gè)DB。。。。
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2011-09-24 12:29
@dxsmail
連銅萡屏蔽都沒(méi)用。。。。余量還有4個(gè)DB。。。。
跟先前0.25*2打底相比較下降了7-8個(gè)DB。。。。
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amonson
LV.8
20
2011-09-25 17:39
@javike
除了內(nèi)阻的影響，磁芯氣隙測(cè)試的渦流沒(méi)有完全被屏蔽掉的，渦流的穿透深度也會(huì)影響到屏蔽的效果，線徑粗的，相當(dāng)于屏蔽層厚些，對(duì)渦流的抑制會(huì)更強(qiáng)。。。
恩，J版對(duì)這種東西還是更在行，學(xué)習(xí)了。
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asdasd
LV.4
21
2011-09-26 13:19
@dxsmail
打底層。。。別人的經(jīng)驗(yàn)是：越細(xì)越好。。。。但是這一次是：從0.25*2改為0.5的打底。。。就OK了。。。我被搞糊涂了。。。
"打底層"--這是什么意思啊?
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2012-07-16 16:58

 

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2012-07-16 17:40
@dxsmail
打底層。。。別人的經(jīng)驗(yàn)是：越細(xì)越好。。。。但是這一次是：從0.25*2改為0.5的打底。。。就OK了。。。我被搞糊涂了。。。

肯定是越粗越好呀。

打底層并不能完全屏蔽渦流的，渦流的穿透能力比較強(qiáng)，直徑加粗了，等于把屏蔽層加厚了，可以更大程度的減小渦流強(qiáng)度，從而改善EMI。

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yong168
LV.7
24
2012-07-16 17:51
@javike
肯定是越粗越好呀。打底層并不能完全屏蔽渦流的，渦流的穿透能力比較強(qiáng)，直徑加粗了，等于把屏蔽層加厚了，可以更大程度的減小渦流強(qiáng)度，從而改善EMI。
這就有點(diǎn)奇怪了，我之前也是用0.2的線一根，emc沒(méi)過(guò)，后來(lái)就改了0.18的線兩根，結(jié)果就過(guò)了。繞線方向跟初次級(jí)的方向是一樣的，但是有看到說(shuō)屏蔽線要跟初次級(jí)的方向相反才對(duì)，是吧
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2012-07-16 18:08
@胡長(zhǎng)波
 
R7731....
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2012-07-17 17:40
@dxsmail
R7731....

 

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