最近做了一款12V3A，板子尺寸為70*45mm，現(xiàn)在板邊測(cè)試效率為84.2% 90VAC 85.3 250VAC，老化24小時(shí)OK，但是認(rèn)證時(shí)變壓器溫升為125度，高了15度，輸入輸出線溫度高了12度（要求70度）。MOS（5N60 仕蘭微）管溫度為120度。外殼暫時(shí)沒有辦法改大，只有想辦法提升效率了。但是現(xiàn)在該想的辦法已經(jīng)想得差不多了。請(qǐng)高手們指點(diǎn)下，該從哪里下手。變壓器用的是EE28 ，600UH 初級(jí)-交級(jí)-反饋 41- 6- 9（見附件），IC為CR 6853 肖特基用的是20100。
求助，12V3A效率84% 發(fā)熱高
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請(qǐng)問你的輸入電容用多大的，12V3A至少要82uF/400V,MOSFET還可以加大比如用8N60，這樣MOSFTE的導(dǎo)通電阻要小些，溫度就會(huì)降低。效率自然也會(huì)升高，輸出的20100也要加入散熱器。還有你輸出的線用0.4x3還有點(diǎn)細(xì)了,電流密度應(yīng)該取4-6比較好。按你的變壓器參數(shù)推算出你的△B值為0.26T,能不能改變器來來減小△B。我來給一個(gè)△B=0.2T 的變壓器參數(shù)：54（0.25x2）：8(0.5x3)：10(0.15) Lp=600uH。
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@天空skydai
請(qǐng)問你的輸入電容用多大的，12V3A至少要82uF/400V,MOSFET還可以加大比如用8N60，這樣MOSFTE的導(dǎo)通電阻要小些，溫度就會(huì)降低。效率自然也會(huì)升高，輸出的20100也要加入散熱器。還有你輸出的線用0.4x3還有點(diǎn)細(xì)了,電流密度應(yīng)該取4-6比較好。按你的變壓器參數(shù)推算出你的△B值為0.26T,能不能改變器來來減小△B。我來給一個(gè)△B=0.2T的變壓器參數(shù)：54（0.25x2）：8(0.5x3)：10(0.15)Lp=600uH。
輸入電容是82的，好的，我試下你的變壓器參數(shù)。
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@roc19850
適配器么？主要是內(nèi)部溫度太高了，溫升也就高了。效率要上去就得花成本了。要么就從散熱著手了。上下加銅片散熱。。。MOS搞個(gè)8N60，一個(gè)個(gè)點(diǎn)去降下去。變壓器線徑應(yīng)該問題不大，感量可以調(diào)大點(diǎn)。有熱敏的話線把熱敏拿掉看下溫度。溫度是難點(diǎn)啊。
這個(gè)只有上部分加了鋁片散熱，底部怕安規(guī)及刺破，暫沒有加。認(rèn)證是ITS的，相當(dāng)嚴(yán)格，變壓器初次級(jí)間要求打8道瑪拉膠帶，說是穿透距離不夠，這樣，生產(chǎn)就麻煩了哦。
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@xmytq
今天拆下來看見82UF的電容外皮已經(jīng)破了，這個(gè)應(yīng)該是和這個(gè)外皮的材質(zhì)有關(guān)，不知道有沒有耐溫高的外皮材質(zhì)，以前好像有聽說PET材質(zhì)的會(huì)好點(diǎn)
在我們這邊測(cè)試的最終結(jié)果：初級(jí)大電解:89.6度，磁芯84.3 ，線包89.8 ，外殼58.4 。溫度降下來的比較重要的幾個(gè)步驟：1、好的肖特基和MOS管，2、在變壓器上和板底有加導(dǎo)熱硅膠，盡快讓熱量散外電源外部。明天寄去測(cè)試，我想應(yīng)該是沒有什么問題了。
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