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談談反激電壓 Vor

提起設計反激變壓器，很多人都會由計算反激電壓 Vor 開始（包括一些書和很多網(wǎng)友總結的計算方法，公式等等). 然后，再根據(jù) Vor 算出最大占空比 Dmax  ........ 這樣算出來的 Dmax 有時十分可笑，太大或是太小。于是再假定個Dmax 值（比如 0.45），推出其他參數(shù)后，反過來再算 Vor 。搞得本來就不是很清楚的初學者暈頭轉向 ~
雖然，先計算 Vor 是為了保證 MOS管耐壓足夠 (這個出發(fā)點是好的)．．但總是讓人有些本末倒置的感覺！ 在設計反激電源時，首先要做的 － 也是最重要的，是確定最大占空比 Dmax。以保證電源工作在合理的范圍。然后，再推算出其他的參數(shù)。最后，看一看 Vor 是否 OK 就行了。如果太高，可以考慮選用耐壓高一些的 MOS管，或者微調(diào)一下 Dmax 
事實上，很多時候先計算 Vor 也是完全沒有必要的。請看下面的分析 ～

根據(jù)公式：Vin(min) × Dmax = Vor × (1- Dmax)
得到 Vor = Vin(min) x Dmax / (1- Dmax) ；多數(shù)人喜歡 Dmax 取 0.4 ~ 0.45 (< 0.4就更沒問題),

則: Vor = 0.67 ~ 0.82 Vin(min)
 85~ 265Vac 輸入的電源 Vin(min)大概是 90-100V, 則 Vor 最多是 82V. 對于600V的 MOSFET，大家通常認可 Vor 小于 100V 就行了。

大家注意到?jīng)]有, 上面的計算中 Vor 與輸出電壓和功率全無關系. 也就是說, 不管你做的電源是輸出 3V 或者30V, 功率是1W 或是100W, 只要滿足下面幾個條件:
1. 輸入范圍在 85-265Vac 或是 100-240Vac, (大多數(shù)電源的輸入范圍)
2. 選用耐壓 600V 或以上的 MOSFET (幾乎是大家的共同選擇)
3. Dmax 取值0.4 ~ 0.45 (多數(shù)人推薦的最佳值),

那么, 反激電壓 Vor 就根本不用算 ~

 

全部回復(81)
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2011-08-24 22:39

對，支持，一般就取七八十伏。

謝謝分享與總結。

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2011-08-24 22:49

恩，贊同！

能問問樓主，變壓器的實際設計怎么做？比如：Ac 85V-265V   out: 50V/4A   ETD 39磁芯  Ae：125MM平方   繞線匝數(shù)及感量怎么算呀？

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2011-08-24 22:58
@xiaohe1988
恩，贊同！能問問樓主，變壓器的實際設計怎么做？比如：Ac85V-265V  out:50V/4A  ETD39磁芯 Ae：125MM平方  繞線匝數(shù)及感量怎么算呀？
小心樓主用一句話把你的問題總結了喔。
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mko145
LV.8
5
2011-08-25 10:42
@xiaohe1988
恩，贊同！能問問樓主，變壓器的實際設計怎么做？比如：Ac85V-265V  out:50V/4A  ETD39磁芯 Ae：125MM平方  繞線匝數(shù)及感量怎么算呀？

edie兄的意思是說 200W 的電源功率太大了，不太適合用反激了 ~    一般的說法是 - 反激適合做150W以下電源。 

至于反激變壓器的設計，你可以參看下面這幾位大蝦的總結 - 這幾篇相對比較簡潔一些。萬先生的版本圖文并茂， 容易理解，好看一些。不過 ， 第7點 - 初級匝數(shù)的計算公式有小小錯誤。（請參看別人的公式）。陳先生和 evdi 的總結很精簡 - 公式居多方便查閱。 其中，Vor反激電壓的計算部分可跳過，直接定 Dmax 。 另外，如果不介意讀英文的話，F(xiàn)airchild 的 application note寫的也相對簡明 - 其中第 1 頁 的磁芯選擇對照表對初學者來說應該很有用。

連續(xù)電流模式反激變壓器的設計-萬必明 反激變壓器的設計 - 陳小平 反激式開關電源變壓器的設計(evdi) FairChild 反激變壓器設計 AN-4140 

1
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20101123
LV.3
6
2011-08-25 10:59
@mko145
edie兄的意思是說200W的電源功率太大了，不太適合用反激了~ [圖片]  一般的說法是-反激適合做150W以下電源。 至于反激變壓器的設計，你可以參看下面這幾位大蝦的總結-這幾篇相對比較簡潔一些。萬先生的版本圖文并茂，容易理解，好看一些。不過，第7點-初級匝數(shù)的計算公式有小小錯誤。（請參看別人的公式）。陳先生和evdi的總結很精簡-公式居多方便查閱。其中，Vor反激電壓的計算部分可跳過，直接定Dmax。另外，如果不介意讀英文的話，F(xiàn)airchild的applicationnote寫的也相對簡明-其中第1頁的磁芯選擇對照表對初學者來說應該很有用。[圖片]連續(xù)電流模式反激變壓器的設計-萬必明 [圖片]反激變壓器的設計-陳小平 [圖片]反激式開關電源變壓器的設計(evdi) [圖片]FairChild反激變壓器設計AN-4140 
初學者 下載學習 謝謝
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2011-08-25 11:34
@mko145
edie兄的意思是說200W的電源功率太大了，不太適合用反激了~ [圖片]  一般的說法是-反激適合做150W以下電源。 至于反激變壓器的設計，你可以參看下面這幾位大蝦的總結-這幾篇相對比較簡潔一些。萬先生的版本圖文并茂，容易理解，好看一些。不過，第7點-初級匝數(shù)的計算公式有小小錯誤。（請參看別人的公式）。陳先生和evdi的總結很精簡-公式居多方便查閱。其中，Vor反激電壓的計算部分可跳過，直接定Dmax。另外，如果不介意讀英文的話，F(xiàn)airchild的applicationnote寫的也相對簡明-其中第1頁的磁芯選擇對照表對初學者來說應該很有用。[圖片]連續(xù)電流模式反激變壓器的設計-萬必明 [圖片]反激變壓器的設計-陳小平 [圖片]反激式開關電源變壓器的設計(evdi) [圖片]FairChild反激變壓器設計AN-4140 
初學者 下載學習 謝謝
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2011-08-25 12:25
@mko145
edie兄的意思是說200W的電源功率太大了，不太適合用反激了~ [圖片]  一般的說法是-反激適合做150W以下電源。 至于反激變壓器的設計，你可以參看下面這幾位大蝦的總結-這幾篇相對比較簡潔一些。萬先生的版本圖文并茂，容易理解，好看一些。不過，第7點-初級匝數(shù)的計算公式有小小錯誤。（請參看別人的公式）。陳先生和evdi的總結很精簡-公式居多方便查閱。其中，Vor反激電壓的計算部分可跳過，直接定Dmax。另外，如果不介意讀英文的話，F(xiàn)airchild的applicationnote寫的也相對簡明-其中第1頁的磁芯選擇對照表對初學者來說應該很有用。[圖片]連續(xù)電流模式反激變壓器的設計-萬必明 [圖片]反激變壓器的設計-陳小平 [圖片]反激式開關電源變壓器的設計(evdi) [圖片]FairChild反激變壓器設計AN-4140 

謝謝mko145，我的條件有限，最大功率到200W，大部分時間用到120W左右

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2011-08-25 12:35
@xiaohe1988
謝謝mko145，我的條件有限，最大功率到200W，大部分時間用到120W左右
LED驅動
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ysun
LV.6
10
2011-08-25 12:41
@mko145
edie兄的意思是說200W的電源功率太大了，不太適合用反激了~ [圖片]  一般的說法是-反激適合做150W以下電源。 至于反激變壓器的設計，你可以參看下面這幾位大蝦的總結-這幾篇相對比較簡潔一些。萬先生的版本圖文并茂，容易理解，好看一些。不過，第7點-初級匝數(shù)的計算公式有小小錯誤。（請參看別人的公式）。陳先生和evdi的總結很精簡-公式居多方便查閱。其中，Vor反激電壓的計算部分可跳過，直接定Dmax。另外，如果不介意讀英文的話，F(xiàn)airchild的applicationnote寫的也相對簡明-其中第1頁的磁芯選擇對照表對初學者來說應該很有用。[圖片]連續(xù)電流模式反激變壓器的設計-萬必明 [圖片]反激變壓器的設計-陳小平 [圖片]反激式開關電源變壓器的設計(evdi) [圖片]FairChild反激變壓器設計AN-4140 
第7點，那里有錯啊，我怎么沒看出來！mko145兄出來指點一下。
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ysun
LV.6
11
2011-08-25 12:43
@ysun
第7點，那里有錯啊，我怎么沒看出來！mko145兄出來指點一下。
萬必明先生寫的十分詳細，包括有效值的計算等，非常有用！
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mko145
LV.8
12
2011-08-25 15:27
@ysun
第7點，那里有錯啊，我怎么沒看出來！mko145兄出來指點一下。

下面這個公式 (1)有問題。CCM模式下，也同樣要用最大電流Ip1來計算圈數(shù)。因為變壓器在初級電流最大的時候儲能最多（也最易飽和）不管這些能量是否全部傳遞到次級。而作者下面回過頭來再用最大電流 Ip1來檢查磁芯會不會飽和，明顯前后矛盾。

好在 Bm開始取得比較小，才 0.15T。所以計算出的圈數(shù)才能夠還在合理的范圍。實際上的圈數(shù)相當于是在 Bmax=0.244T 時算出來的。作者在這個地方的思路有些亂 ~

-------------------------------------------------------------------------------------------------

7.變壓器初級匝數(shù)及氣隙長度的計算.

1).由Np=Lp*(Ip1-Ip2)/[Ae*Bm]

Np=250*(3.00-1.20)/[85.4*0.15] =35.12   取Np=36

由Lp=uo*ur*Np2*Ae/lg,得:

氣隙長度lg=uo*ur*Ae*Np2/Lp

=4*3.14*10-7*1*85.4mm2*362/(250.0*10-3mH)

=0.556mm   取lg=0.6mm

2). 當+5V限流輸出,Ip為最大時(Ip=Ip1=3.00A),檢查Bmax.

Bmax=Lp*Ip/[Ae*Np]

      =250*10-6*3.00/[85.4 mm2*36]

      =0.2440T=2440Gs <3000Gs

因此變壓器磁芯選擇通過.

------------------------------------------------------------------------------------------------------

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mko145
LV.8
13
2011-08-25 17:00
@xiaohe1988
謝謝mko145，我的條件有限，最大功率到200W，大部分時間用到120W左右
最大功率的持續(xù)時間雖然短，但變壓器和占空比還是要以最大功率來計算。只不過溫升方面可以按120W來考慮。另外，不知道最大功率200W會持續(xù)多長時間？ 是出于成本的考慮才用反激嗎 ~
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ysun
LV.6
14
2011-08-25 18:38
@mko145
下面這個公式(1)有問題。CCM模式下，也同樣要用最大電流Ip1來計算圈數(shù)。因為變壓器在初級電流最大的時候儲能最多（也最易飽和）不管這些能量是否全部傳遞到次級。而作者下面回過頭來再用最大電流Ip1來檢查磁芯會不會飽和，明顯前后矛盾。好在Bm開始取得比較小，才0.15T。所以計算出的圈數(shù)才能夠還在合理的范圍。實際上的圈數(shù)相當于是在Bmax=0.244T時算出來的。作者在這個地方的思路有些亂~-------------------------------------------------------------------------------------------------7.變壓器初級匝數(shù)及氣隙長度的計算.1).由Np=Lp*(Ip1-Ip2)/[Ae*Bm]Np=250*(3.00-1.20)/[85.4*0.15]=35.12  取Np=36由Lp=uo*ur*Np2*Ae/lg,得:氣隙長度lg=uo*ur*Ae*Np2/Lp=4*3.14*10-7*1*85.4mm2*362/(250.0*10-3mH)=0.556mm  取lg=0.6mm2).當+5V限流輸出,Ip為最大時(Ip=Ip1=3.00A),檢查Bmax.Bmax=Lp*Ip/[Ae*Np]     =250*10-6*3.00/[85.4mm2*36]     =0.2440T=2440Gs

我感覺算匝數(shù)，公式是沒有錯，NP=LP*△I/(Ae*BM),個人認為作者考慮了這個問題所以選擇了0.15。

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mko145
LV.8
15
2011-08-25 23:02
@ysun
我感覺算匝數(shù)，公式是沒有錯，NP=LP*△I/(Ae*BM),個人認為作者考慮了這個問題所以選擇了0.15。
把這個公式變一下，改成 BM=LP*△I/(Ae*NP)。這樣的物理意義就清楚一些了。也就是對于磁芯來說，電流越大產(chǎn)生的磁感應強度越大，越接近飽和；圈數(shù)越多磁感應強度越小，磁芯越不易飽和。在考慮磁芯是否會飽和的時候，肯定是要看電流的最大值。△I是一個周期內(nèi)電流的變化量，對應的是磁感應強度的變化量。CCM模式下，磁感應強度并非由0變化到Bm。另外 ，你可以把參數(shù) K 改一下試試。上面的計算中 K=0.4 如果 K=0.6 你再算算看，還何不合理
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amonson
LV.8
16
2011-08-25 23:58
@mko145
下面這個公式(1)有問題。CCM模式下，也同樣要用最大電流Ip1來計算圈數(shù)。因為變壓器在初級電流最大的時候儲能最多（也最易飽和）不管這些能量是否全部傳遞到次級。而作者下面回過頭來再用最大電流Ip1來檢查磁芯會不會飽和，明顯前后矛盾。好在Bm開始取得比較小，才0.15T。所以計算出的圈數(shù)才能夠還在合理的范圍。實際上的圈數(shù)相當于是在Bmax=0.244T時算出來的。作者在這個地方的思路有些亂~-------------------------------------------------------------------------------------------------7.變壓器初級匝數(shù)及氣隙長度的計算.1).由Np=Lp*(Ip1-Ip2)/[Ae*Bm]Np=250*(3.00-1.20)/[85.4*0.15]=35.12  取Np=36由Lp=uo*ur*Np2*Ae/lg,得:氣隙長度lg=uo*ur*Ae*Np2/Lp=4*3.14*10-7*1*85.4mm2*362/(250.0*10-3mH)=0.556mm  取lg=0.6mm2).當+5V限流輸出,Ip為最大時(Ip=Ip1=3.00A),檢查Bmax.Bmax=Lp*Ip/[Ae*Np]     =250*10-6*3.00/[85.4mm2*36]     =0.2440T=2440Gs

寫法不嚴謹，Bm應該寫成△B就對了。 △B是一定要驗證的，它是直接和鐵損、銅損相關的，而不是Bmax。在沒有磁飽和的風險時，Bmax越高越好。

還有圈數(shù)、電感、電流、氣隙這幾個東西是相關的，而不是孤立的。輸出功率相同時：圈數(shù)不變而增大氣隙，那么電感減小，電流增加，磁感應強度降低； 圈數(shù)不變而減小氣隙，那么電感增大，電流減小，磁感應強度增加； 圈數(shù)減少同時減小氣隙以保持電感不變，那么電流不變，磁感應強度增加；圈數(shù)增加同時增大氣隙以保持電感不變，那么電流不變，磁感應強度降低。

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mko145
LV.8
17
2011-08-26 09:54
@amonson
寫法不嚴謹，Bm應該寫成△B就對了。 △B是一定要驗證的，它是直接和鐵損、銅損相關的，而不是Bmax。在沒有磁飽和的風險時，Bmax越高越好。還有圈數(shù)、電感、電流、氣隙這幾個東西是相關的，而不是孤立的。輸出功率相同時：圈數(shù)不變而增大氣隙，那么電感減小，電流增加，磁感應強度降低； 圈數(shù)不變而減小氣隙，那么電感增大，電流減小，磁感應強度增加； 圈數(shù)減少同時減小氣隙以保持電感不變，那么電流不變，磁感應強度增加；圈數(shù)增加同時增大氣隙以保持電感不變，那么電流不變，磁感應強度降低。

要不是 amonson兄指出來我還沒注意到，作者的寫的Bm原意想必是△B，而非Bmax。這樣似乎還說的過去。如果△B選的合適，也能算出差不太遠的結果。但理論上講還是錯的。
首先，反映連續(xù)深度的 K 取值不同，對應的△B是不同的。而設計者必須先估算出一個合適的△B。這個估算的值要隨 K  值不同而不同。假設K=0.1，△B要取2700高斯；而K=0.9， 那這個△B就要取300高斯了。這根本不是一個合理的計算方法。
其次，用△B來算圈數(shù)理論上是不對的。我在15帖中已經(jīng)有講，計算出的初級圈數(shù)是最大占空比時變壓器不飽和（如果不考慮鐵損）的最小圈數(shù) ，和△B無關。在圈數(shù)的計算上DCM 和 CCM是沒有區(qū)別的 ~

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xiaohe1988
LV.5
18
2011-08-26 12:30
@mko145
最大功率的持續(xù)時間雖然短，但變壓器和占空比還是要以最大功率來計算。只不過溫升方面可以按120W來考慮。另外，不知道最大功率200W會持續(xù)多長時間？是出于成本的考慮才用反激嗎~
是個老板子，以前是120W，現(xiàn)在改到200W，不會設計變壓器，希望得到點幫助
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ysun
LV.6
19
2011-08-26 13:03
@mko145
要不是amonson兄指出來我還沒注意到，作者的寫的Bm原意想必是△B，而非Bmax。這樣似乎還說的過去。如果△B選的合適，也能算出差不太遠的結果。但理論上講還是錯的。首先，反映連續(xù)深度的K取值不同，對應的△B是不同的。而設計者必須先估算出一個合適的△B。這個估算的值要隨K 值不同而不同。假設K=0.1，△B要取2700高斯；而K=0.9，那這個△B就要取300高斯了。這根本不是一個合理的計算方法。其次，用△B來算圈數(shù)理論上是不對的。我在15帖中已經(jīng)有講，計算出的初級圈數(shù)是最大占空比時變壓器不飽和（如果不考慮鐵損）的最小圈數(shù)，和△B無關。在圈數(shù)的計算上DCM和CCM是沒有區(qū)別的~

原作者表示的應該是△B，只是沒表述清楚.

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wanghaiting
LV.5
20
2011-08-26 13:07
支持，頂一下
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mko145
LV.8
21
2011-08-26 13:50
@xiaohe1988
是個老板子，以前是120W，現(xiàn)在改到200W，不會設計變壓器，希望得到點幫助
做 200W，你的變壓器有點小。如果想試試，我可以幫你算算。你用的頻率是多少？
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amonson
LV.8
22
2011-08-26 16:27
@mko145
要不是amonson兄指出來我還沒注意到，作者的寫的Bm原意想必是△B，而非Bmax。這樣似乎還說的過去。如果△B選的合適，也能算出差不太遠的結果。但理論上講還是錯的。首先，反映連續(xù)深度的K取值不同，對應的△B是不同的。而設計者必須先估算出一個合適的△B。這個估算的值要隨K 值不同而不同。假設K=0.1，△B要取2700高斯；而K=0.9，那這個△B就要取300高斯了。這根本不是一個合理的計算方法。其次，用△B來算圈數(shù)理論上是不對的。我在15帖中已經(jīng)有講，計算出的初級圈數(shù)是最大占空比時變壓器不飽和（如果不考慮鐵損）的最小圈數(shù)，和△B無關。在圈數(shù)的計算上DCM和CCM是沒有區(qū)別的~

△B和Bmax也不是孤立的，公式里Bmax=Lp*Ip/[Ae*Np]，一旦Po和Ip、Lp確定了，那么對應的 △B就在那里了。所以你用Bmax算還是要先假定一個Ip或者K（Po、Lp和K確定了，Ip也就確定了），Ip和K也不是孤立的，這些變量都是相互關聯(lián)并影響的。 △B越大鐵損越大， △B越小銅損越大，對于反激變壓器而言初級圈數(shù)并不要求十分精確（正激就更別說了，那圈數(shù)增減10來匝都沒問題），調(diào)試時對圈數(shù)和氣隙進行調(diào)整是常有的事（尤其是RCC，其實IC控制的變壓器有時候為了更好的耦合，加減個幾圈也是很常見的做法），所以用哪個算都可以。

如果已經(jīng)選定了磁芯，我個人還更傾向于 △B一些。 J版更蠻干，根本不理會什么 △B和Bmax，直接從漏感入手，把工藝處理漂亮了回頭再磨氣隙到不飽和即可。參見：http://bbs.dianyuan.com/topic/671166 

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mko145
LV.8
23
2011-08-26 17:51
@mko145
要不是amonson兄指出來我還沒注意到，作者的寫的Bm原意想必是△B，而非Bmax。這樣似乎還說的過去。如果△B選的合適，也能算出差不太遠的結果。但理論上講還是錯的。首先，反映連續(xù)深度的K取值不同，對應的△B是不同的。而設計者必須先估算出一個合適的△B。這個估算的值要隨K 值不同而不同。假設K=0.1，△B要取2700高斯；而K=0.9，那這個△B就要取300高斯了。這根本不是一個合理的計算方法。其次，用△B來算圈數(shù)理論上是不對的。我在15帖中已經(jīng)有講，計算出的初級圈數(shù)是最大占空比時變壓器不飽和（如果不考慮鐵損）的最小圈數(shù)，和△B無關。在圈數(shù)的計算上DCM和CCM是沒有區(qū)別的~
沒有搞清楚 amonson 兄到底想講什么 ~ 是同意我的說法，還是不同意？ 至于△B和Bmax， 先讓我定義一下，避免大家理解不同而出現(xiàn)誤會。
△B ： 指一個周期內(nèi) B 的變化量。
Bmax ： 是我們（考慮了磁芯飽和及鐵損）允許磁感應強度B去到的最大值。
DCM模式下 ：  △B = Bmax （不考慮剩磁）
CCM模式下：   能量不能完全由初級傳遞到次級，△B不等于Bmax 。△B的范圍可由0（剛進入CCM），到接近 Bmax （深度連續(xù)）
其中Bmax 是相對固定的，主要與磁芯材料和鐵損有關。大家通常選2000-3000 高斯。△B的多少是工程師根據(jù)情況可以自行確定的。從這點上講，兩者沒有直接關系。在計算初級圈數(shù)的時候，只和Bmax 有關，與△B沒有關系。當然，計算出的圈數(shù)只是初級線圈的最小圈數(shù)。多繞一些沒有什么關系（銅損會增加）。但是少了就不行了，Bmax 會增大。這也就是為什么不能用△B來計算。
J 版的那個帖子有看過，我還有做評論。請amonson 兄參看其中298 帖 。J 版的那個adapter 是工作在DCM，△B = Bmax ........
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amonson
LV.8
24
2011-08-26 19:01
@mko145
沒有搞清楚amonson兄到底想講什么~是同意我的說法，還是不同意？至于△B和Bmax，先讓我定義一下，避免大家理解不同而出現(xiàn)誤會?！鰾： 指一個周期內(nèi)B的變化量。Bmax： 是我們（考慮了磁芯飽和及鐵損）允許磁感應強度B去到的最大值。DCM模式下： △B=Bmax（不考慮剩磁）CCM模式下：  能量不能完全由初級傳遞到次級，△B不等于Bmax?！鰾的范圍可由0（剛進入CCM），到接近Bmax（深度連續(xù)）其中Bmax是相對固定的，主要與磁芯材料和鐵損有關。大家通常選2000-3000高斯?！鰾的多少是工程師根據(jù)情況可以自行確定的。從這點上講，兩者沒有直接關系。在計算初級圈數(shù)的時候，只和Bmax有關，與△B沒有關系。當然，計算出的圈數(shù)只是初級線圈的最小圈數(shù)。多繞一些沒有什么關系（銅損會增加）。但是少了就不行了，Bmax會增大。這也就是為什么不能用△B來計算。J版的那個帖子有看過，我還有做評論。請amonson兄參看其中298帖。J版的那個adapter是工作在DCM，△B=Bmax........

工作中的Bm是由工作電流Ip和等效磁路長度 l 決定的，而Ip是由Lp決定的，l 是由磁芯大小和氣隙長度決定的，Np不是直接決定因素，同樣的Np不同的氣隙長度，Bm是不一樣的。Bs是磁性材料的固有屬性，所以只要Bm

你回的那個貼也沒說到點子上，J版都說了感量大概在2mH左右，無論是100圈還是240圈，所以初級電流是不變的。他只是為了更低的Vf，所以用了高匝比，因為很多芯片制造商在內(nèi)置MOS的耐壓上摻了水。銅損肯定是增加了，不過為了安全工作不得已犧牲效率，好在功率不大，效率損失不嚴重。

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ysun
LV.6
25
2011-08-26 19:29
@mko145
沒有搞清楚amonson兄到底想講什么~是同意我的說法，還是不同意？至于△B和Bmax，先讓我定義一下，避免大家理解不同而出現(xiàn)誤會。△B： 指一個周期內(nèi)B的變化量。Bmax： 是我們（考慮了磁芯飽和及鐵損）允許磁感應強度B去到的最大值。DCM模式下： △B=Bmax（不考慮剩磁）CCM模式下：  能量不能完全由初級傳遞到次級，△B不等于Bmax?！鰾的范圍可由0（剛進入CCM），到接近Bmax（深度連續(xù)）其中Bmax是相對固定的，主要與磁芯材料和鐵損有關。大家通常選2000-3000高斯?！鰾的多少是工程師根據(jù)情況可以自行確定的。從這點上講，兩者沒有直接關系。在計算初級圈數(shù)的時候，只和Bmax有關，與△B沒有關系。當然，計算出的圈數(shù)只是初級線圈的最小圈數(shù)。多繞一些沒有什么關系（銅損會增加）。但是少了就不行了，Bmax會增大。這也就是為什么不能用△B來計算。J版的那個帖子有看過，我還有做評論。請amonson兄參看其中298帖。J版的那個adapter是工作在DCM，△B=Bmax........

原作者因考慮連續(xù)模式所以要用△B ，斷續(xù)的△B 也就是等于Bmax。

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xiaohe1988
LV.5
26
2011-08-26 20:29
@mko145
做200W，你的變壓器有點小。如果想試試，我可以幫你算算。你用的頻率是多少？

頻率80K，還有點問題就是反激感量和磁芯的選取有關系沒，比如同樣功率情況下，磁芯大的感量比磁芯小的感量是偏小，對嗎？

 

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mko145
LV.8
27
2011-08-26 23:10
@ysun
原作者因考慮連續(xù)模式所以要用△B，斷續(xù)的△B也就是等于Bmax。

我明白--- 原作者因考慮連續(xù)模式所以要用△B。但在CCM模式下這是不對的。

我上面已經(jīng)解釋了原因。你可以參看好版在 "【原創(chuàng)】跟我學系列之四，反激電源及變壓器的設計" 里的有關解釋 ~  有些書中在計算Np的公式里也用△B，但作者又沒有注明只適用于DCM?？赡苓@就是造成很多人誤解的原因吧。

 


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mko145
LV.8
28
2011-08-26 23:51
@amonson
工作中的Bm是由工作電流Ip和等效磁路長度l決定的，而Ip是由Lp決定的，l是由磁芯大小和氣隙長度決定的，Np不是直接決定因素，同樣的Np不同的氣隙長度，Bm是不一樣的。Bs是磁性材料的固有屬性，所以只要Bm
1. 有關△B的問題，請參看我27的回復。

2. J 版在帖子里沒有說感量是2mH，而只是拿2mH來舉例說變壓器的參數(shù)。請參看原文。實際上他用了多大電感我不知道。但以描述的情況看不像2mH 。因為如果以2mH來計算，DCM模式，工作在的65KHz時，Bmax = 0.2T左右， 工作在的50KHz時，Bmax也大不了太多。磁芯再差也不可能飽和，與文中的描述不符。

3. 至于我的帖子分析的對不對暫且不說，amonson 兄講的 “只是為了更低的 Vf，所以用了高匝比” 卻是完全的錯了。因為匝比越高，則 Vf 越大。
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amonson
LV.8
29
2011-08-27 06:16
@mko145
1.有關△B的問題，請參看我27的回復。2.J版在帖子里沒有說感量是2mH，而只是拿2mH來舉例說變壓器的參數(shù)。請參看原文。實際上他用了多大電感我不知道。但以描述的情況看不像2mH。因為如果以2mH來計算，DCM模式，工作在的65KHz時，Bmax=0.2T左右，工作在的50KHz時，Bmax也大不了太多。磁芯再差也不可能飽和，與文中的描述不符。3.至于我的帖子分析的對不對暫且不說，amonson兄講的“只是為了更低的Vf，所以用了高匝比”卻是完全的錯了。因為匝比越高，則Vf越大。
1. 有關△B的問題，請參看我27的回復。

//如何知道是工作在ccm還是dcm？計算之前肯定要定一個工作模式，然后推出Ip和Lp，如果用Bm算Np，那么△B還是需要回頭驗算。用△B算Np也需要回頭驗算Bm，沒有哪個一定對或者錯，二者都需要兼顧。但對于實際工作來說△B更重要，Bm只要滿足不飽和就可以了，而△B則需要根據(jù)損耗來調(diào)整。

2. J 版在帖子里沒有說感量是2mH，而只是拿2mH來舉例說變壓器的參數(shù)。請參看原文。實際上他用了多大電感我不知道。但以描述的情況看不像2mH 。因為如果以2mH來計算，DCM模式，工作在的65KHz時，Bmax = 0.2T左右， 工作在的50KHz時，Bmax也大不了太多。磁芯再差也不可能飽和，與文中的描述不符。

//這個我倒沒看太仔細，我只理解了大概思路。先考慮工藝，確保最佳偶合，然后再調(diào)整匝數(shù)和電感量，使電路工作在安全范圍內(nèi)。因為功率小，所以他把△B取得很大，從0到略小于Bs，不管圈數(shù)多少，他都是把磁芯磨到接近飽和的狀態(tài)。


3. 至于我的帖子分析的對不對暫且不說，amonson 兄講的 “只是為了更低的 Vf，所以用了高匝比” 卻是完全的錯了。因為匝比越高，則 Vf 越大。

//對你帖子的分析看你怎么理解了，我盡量避免用對錯這樣的字眼，就是因為這些東西都是相互制約的，很難說怎么就錯了。再強調(diào)一下：不要輕易的講用△B算就是錯的，用Bs算完還是一樣要回來驗算 △B（當然用 △B算了也要驗算Bm），這兩個東西不是只管一個就可以的。 

Vf這個問題是我說錯了，你是對的，呵呵，你及時指出來很好，希望不要誤導其他人。

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mko145
LV.8
30
2011-08-27 12:30
@xiaohe1988
頻率80K，還有點問題就是反激感量和磁芯的選取有關系沒，比如同樣功率情況下，磁芯大的感量比磁芯小的感量是偏小，對嗎？ 

如果頻率，占空比功率等參數(shù)都一樣的情況下，不管用多大的磁芯,電感量都要取一樣大。換句話說，功率的大小和電感有關，與磁芯的無關（不考慮銅損，鐵損）。 電感越小則功率越大。 按你現(xiàn)在的磁芯算了一下 ....... 

輸入電壓（V） Vacmin　　      85 ~ 265 　　

電源功率（W） Pout                  200.0　　

預設效率（%）η                   0.86 　　

工作頻率（KHz） f 　　             80 　　

MOS耐壓（V） Vmosmax           600

連續(xù)模式輸入 (K)                    0.60  　　

最大占空比 Dmax　　                0.45　　

磁芯型號　                           ETD39

磁芯截面（mm2） Ae                 125.0 　　

磁感應強度（T） Bm　　          0.29  

DC輸入電壓（V） Vdc                 90.0 ~ 371.0 　　

反射電壓（V） Vf             　　   73.3 　　

周期    (μs) T 　　          　　　　12.50　　

最大導通時間( μs) t　　　　　　 5.61　　

輸入功率（W） Pin          　　　　   232.56 　　 

初級電流最大值(A) Ip 　　     　　    8.22 　　

初級電流最小值(A) IR 　　     　　   3.29 　　

初級電感量（mH） Lp 　　   　　   0.102  　　

初級次級匝數(shù)比 n　　              　　  1.44 　　

初級匝數(shù)（Turn） Np　　   　　　　   23 　　

次級匝數(shù)（Turn） Ns　　       　　　　16

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wanwehua
LV.6
31
2011-08-27 12:43
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