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OB263限流點(diǎn)偏差大

我最近用OB2263做了一款5V/5A的電源,調(diào)限流點(diǎn)時,高低壓偏差有2A左右,可我測過別人一款用OB2263做的12V/3A的機(jī)子,那款機(jī)110-264V輸入時,限流點(diǎn)均為4.8A,不知怎樣使限流點(diǎn)達(dá)到一致,哪位大俠知道請多多指點(diǎn).

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344020199
LV.6
2
2011-07-14 22:48

加高底電壓補(bǔ)償電路

還有次級加過流點(diǎn)保護(hù)部分

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mark jia
LV.8
3
2011-07-15 07:39

變壓器做成臨界模式

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344020199
LV.6
4
2011-07-15 09:12
@mark jia
變壓器做成臨界模式

變壓器做成臨界模式

限流點(diǎn)能達(dá)到一致嗎?

俺表示不解

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mark jia
LV.8
5
2011-07-15 12:19
@344020199
變壓器做成臨界模式限流點(diǎn)能達(dá)到一致嗎?俺表示不解
 可以接近一致呀
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344020199
LV.6
6
2011-07-15 14:36
@mark jia
 可以接近一致呀

他的原理是什么?

可以吐露下嗎

 

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LV.1
7
2011-07-15 17:10
@344020199
他的原理是什么?可以吐露下嗎 

這棵IC,一直都有這樣的問題.高低壓過流點(diǎn)不一樣.加了高低壓補(bǔ)償會好點(diǎn).但還 不是太理想.還是建議IC廠家改善一下.

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lanzhong
LV.2
8
2011-07-15 19:01
@
這棵IC,一直都有這樣的問題.高低壓過流點(diǎn)不一樣.加了高低壓補(bǔ)償會好點(diǎn).但還不是太理想.還是建議IC廠家改善一下.

非常感謝大家的寶貴意見,我今天調(diào)了一下我那款用OB2263做的12V/3A的機(jī)子,高低壓限流點(diǎn)偏差大的問題解決了。

就是將MOS管下面電阻到IC4腳之間的電阻1K改成100歐就可以了,我現(xiàn)在90V輸入時限流點(diǎn)4.0A,110V-264V輸入時,限流點(diǎn)均是4.8A.效果還不錯,不過我那款5V/5A的還是有點(diǎn)偏差,今天調(diào)完12V/3A的己經(jīng)下班了,明天再看一下5V/5A的那款機(jī)子.

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lanzhong
LV.2
9
2011-07-16 20:45
@lanzhong
非常感謝大家的寶貴意見,我今天調(diào)了一下我那款用OB2263做的12V/3A的機(jī)子,高低壓限流點(diǎn)偏差大的問題解決了。就是將MOS管下面電阻到IC4腳之間的電阻1K改成100歐就可以了,我現(xiàn)在90V輸入時限流點(diǎn)4.0A,110V-264V輸入時,限流點(diǎn)均是4.8A.效果還不錯,不過我那款5V/5A的還是有點(diǎn)偏差,今天調(diào)完12V/3A的己經(jīng)下班了,明天再看一下5V/5A的那款機(jī)子.
我今天調(diào)了一下那款5V/5A的機(jī)子,按昨天的方法,改MOS管下面電阻到IC 4PIN之間的那個電阻有效果,但限流點(diǎn)偏差還是有一點(diǎn)大,后來更改變壓器感量,高低壓限流點(diǎn)才比較一致。
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konglingzhi
LV.6
10
2011-07-19 11:28
@lanzhong
我今天調(diào)了一下那款5V/5A的機(jī)子,按昨天的方法,改MOS管下面電阻到IC4PIN之間的那個電阻有效果,但限流點(diǎn)偏差還是有一點(diǎn)大,后來更改變壓器感量,高低壓限流點(diǎn)才比較一致。
要不要LOW VF的肖特基
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2011-07-19 17:10
@konglingzhi
要不要LOWVF的肖特基
你把VCC,供電,提升到IC,VCC最大電壓的保護(hù)點(diǎn)邊。90-264V,一調(diào)過電流,VCC電壓一提高,IC就保護(hù)了。
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lanzhong
LV.2
12
2011-07-25 21:06
@電源照寶
你把VCC,供電,提升到IC,VCC最大電壓的保護(hù)點(diǎn)邊。90-264V,一調(diào)過電流,VCC電壓一提高,IC就保護(hù)了。
通過VCC的過壓來實(shí)現(xiàn)過流保護(hù),過流點(diǎn)不準(zhǔn),且IC的說明資料里面也不提倡通過VCC的過壓來實(shí)現(xiàn)過流保護(hù),還是通過檢測MOS管下面電阻的信號比較好。
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bdzn
LV.9
13
2011-07-25 22:38
@lanzhong
通過VCC的過壓來實(shí)現(xiàn)過流保護(hù),過流點(diǎn)不準(zhǔn),且IC的說明資料里面也不提倡通過VCC的過壓來實(shí)現(xiàn)過流保護(hù),還是通過檢測MOS管下面電阻的信號比較好。
請上圖。
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