假設(shè)變壓器次級(jí)按照24V計(jì)算后,通過(guò)反饋更改成12V輸出,由此可見(jiàn)VOR必然降低,按照公式VIN*TON=VO*N*TOFF計(jì)算,伏秒已經(jīng)不平衡,這種情況是否會(huì)進(jìn)入CCM模式?
反激變壓器匝比一定時(shí),將輸出電壓降低,會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象?
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@dreamer662006
反激的傳輸比是Vo/Vin=D/[(1-D)*N]...你通過(guò)反饋環(huán)修改的話,顯然占空比會(huì)變化啊,TON和TOFF與之前24V的就不一樣了。
假設(shè)負(fù)載不變的話,電壓降低,輸出功率自然下降,占空比一定變小,上面說(shuō)了按照公式VIN*TON=VOR*TOFF,副邊能量完全釋放需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間,我覺(jué)得會(huì)進(jìn)入CCM模式。這樣的CCM模式應(yīng)該占空比是在50%以下。我也不知道這樣是否正確?
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@美味櫻桃灬
但是反射電壓肯定是會(huì)降低的,假如加大負(fù)載電流,應(yīng)該會(huì)進(jìn)入連續(xù)模式才對(duì)。
輸出電壓降低,在負(fù)載不變的情況下,輸出功率肯定是降低的,這時(shí)占空比也會(huì)變小,因?yàn)楦边叺碾妷航档头瓷涞匠跫?jí)的電壓也低了,這時(shí)副邊的峰值電流應(yīng)該會(huì)變小,但是磁能釋放時(shí)間會(huì)變長(zhǎng),所以下一次導(dǎo)通時(shí),副邊的能量還未釋放完畢,就會(huì)進(jìn)入占空比小于0.5的CCM模式。不知這樣理解是否正確?因?yàn)槭诸^上有一個(gè)產(chǎn)品24V要把電壓改成12V,因?yàn)樽儔浩飨胪ㄓ茫圆恢獣?huì)不會(huì)有什么隱患?先從理論分析清楚后,再做更改。
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@美味櫻桃灬
輸出電壓降低,在負(fù)載不變的情況下,輸出功率肯定是降低的,這時(shí)占空比也會(huì)變小,因?yàn)楦边叺碾妷航档头瓷涞匠跫?jí)的電壓也低了,這時(shí)副邊的峰值電流應(yīng)該會(huì)變小,但是磁能釋放時(shí)間會(huì)變長(zhǎng),所以下一次導(dǎo)通時(shí),副邊的能量還未釋放完畢,就會(huì)進(jìn)入占空比小于0.5的CCM模式。不知這樣理解是否正確?因?yàn)槭诸^上有一個(gè)產(chǎn)品24V要把電壓改成12V,因?yàn)樽儔浩飨胪ㄓ茫圆恢獣?huì)不會(huì)有什么隱患?先從理論分析清楚后,再做更改。
如果你是改產(chǎn)品的話,建議你把已知參數(shù)都列舉出來(lái),然后代入公式,重新計(jì)算一遍。進(jìn)不進(jìn)入CCM模式,跟VO=12V是無(wú)太大關(guān)系,要知道PO越小,LP越大.........以臨界為例:2POUT/VD效率,負(fù)載不變,VO減小導(dǎo)致PO減小,但是D也在減小,實(shí)際的新的臨界LP,變化不會(huì)有想象中的那么大。
VIN*TON=UOR*TOFF等于VIN*TON=VO*N*TOFF,這個(gè)公式跟CCM模式無(wú)關(guān)。
如果有批量的話,建議你還是重新計(jì)算一個(gè)變壓器
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@小凡凡
如果你是改產(chǎn)品的話,建議你把已知參數(shù)都列舉出來(lái),然后代入公式,重新計(jì)算一遍。進(jìn)不進(jìn)入CCM模式,跟VO=12V是無(wú)太大關(guān)系,要知道PO越小,LP越大[圖片].........以臨界為例:2POUT/VD效率,負(fù)載不變,VO減小導(dǎo)致PO減小,但是D也在減小,實(shí)際的新的臨界LP,變化不會(huì)有想象中的那么大。VIN*TON=UOR*TOFF等于VIN*TON=VO*N*TOFF,這個(gè)公式跟CCM模式無(wú)關(guān)。如果有批量的話,建議你還是重新計(jì)算一個(gè)變壓器
我已更改過(guò),輸出電壓降低,輸出功率自然變小,占空比降低是肯定的,如果此時(shí)加重負(fù)載,就會(huì)進(jìn)入CCM模式。原來(lái)24V是不是會(huì)進(jìn)入CCM的。
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