各位大俠好！我一個(gè)模塊炸成這個(gè)樣子，請(qǐng)大家?guī)臀曳治鲆幌率鞘裁丛蛞鸬?？是否是?qū)動(dòng)的激勵(lì)不夠引起的？謝謝
分析模塊炸的原因
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@我是無為
我是指從這個(gè)圖上能否大略的知道是過壓還是過流。我的判斷應(yīng)該是過流，在容性狀態(tài)下炸的模塊。過壓的話一般不會(huì)這樣炸的。
過壓和過流在這個(gè)圖片上看不出來的，如果你把模塊的外殼打開的話，去掉絕緣硅脂，或許可以看到（僅適合于不是炸毀特別嚴(yán)重的情況）：
過壓擊穿現(xiàn)象：一般IGBT芯片不是整個(gè)壞掉，你可以看到IGBT芯片里面有小黑點(diǎn)，這樣的話一般是由于過壓擊穿引起的。
過流擊穿現(xiàn)象：一般IGBT芯片整個(gè)壞了，基本上是芯片從中間炸開了，IGBT芯片有點(diǎn)面目全非的味道，這樣的話，一般是由于過流擊穿引起的。
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@秋天的風(fēng)
基本上是電流失控引起的，只有大電流才會(huì)炸成這樣。失控的原因有過壓、短路和超溫。新手的話超溫的面很大。如果用英飛凌的話炸的不會(huì)這么嚴(yán)重。
我認(rèn)同陳工的觀點(diǎn)，過壓擊穿一般都不會(huì)這么嚴(yán)重，很多時(shí)候只是IGBT芯片會(huì)有一個(gè)小斑點(diǎn)，過流的話，就會(huì)出現(xiàn)炸管，會(huì)把外殼炸開，甚至底板炸裂。
如果用英飛凌的，也不是說炸的不會(huì)這么嚴(yán)重，只不過相比之下，英飛凌的過流過壓能力強(qiáng)一些，如果過流達(dá)到一定閥值的話，也是會(huì)炸的面目全非的。
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@sun8899
各位首長(zhǎng)們:大家一起努力來共同研究一塊高性能的國(guó)產(chǎn)IGBT模塊吧！以后讓炸模塊的現(xiàn)象或者說是模塊損壞的現(xiàn)象永遠(yuǎn)在國(guó)內(nèi)消失。這個(gè)想法不錯(cuò)吧？各位~~~[圖片]
想法非常好，個(gè)人很贊同。
無論是國(guó)產(chǎn)的還是進(jìn)口的IGBT模塊，其實(shí)原材料差不多，包括IGBT芯片，絕緣硅脂，陶瓷基板，銅基板。但是對(duì)于IGBT模塊來說，關(guān)鍵有一個(gè)封裝工藝在里面，這玩意就像懷孕，沒到時(shí)間，看不出肚子大，沒到時(shí)間，那肚里的孩子更加不可能生下來。
所以隨著時(shí)間的推移，國(guó)產(chǎn)的IGBT模塊質(zhì)量提升，那幾乎沒有任何懸念的。
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@my.mai
因?yàn)閲?guó)內(nèi)缺乏真正能分析IGBT模塊損毀的原因的牛人，所以人家做模塊的也牛，壟斷的生意。
其實(shí)，使用的器件，包括電阻、電容、IC，IGBT模塊，甚至PCB，哪個(gè)都會(huì)有問題，包括器件本身的質(zhì)量問題和使用不妥當(dāng)造成的失效，亦或者是因?yàn)槠骷匣a(chǎn)生的質(zhì)量問題?？傊霈F(xiàn)故障，肯定是有原因的，往往有時(shí)候表象很復(fù)雜，很難找出真正的原因。
話說回來，誰都想把自己的產(chǎn)品完美無缺，做機(jī)器的，想讓自己的機(jī)器在幾年時(shí)間之內(nèi)不出問題；做器件的，想讓自己的器件用上去就不會(huì)壞；問題是，理想的狀態(tài)和現(xiàn)實(shí)的狀態(tài)那不相匹配啊，想法是好的，就是實(shí)現(xiàn)不了，呵呵。
出了問題，那就找問題，多分析，多總結(jié)，技術(shù)啊，器件工藝啊，那也就在不知不覺中前進(jìn)了。
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@stevenpe
其實(shí)，使用的器件，包括電阻、電容、IC，IGBT模塊，甚至PCB，哪個(gè)都會(huì)有問題，包括器件本身的質(zhì)量問題和使用不妥當(dāng)造成的失效，亦或者是因?yàn)槠骷匣a(chǎn)生的質(zhì)量問題。總之，出現(xiàn)故障，肯定是有原因的，往往有時(shí)候表象很復(fù)雜，很難找出真正的原因。話說回來，誰都想把自己的產(chǎn)品完美無缺，做機(jī)器的，想讓自己的機(jī)器在幾年時(shí)間之內(nèi)不出問題；做器件的，想讓自己的器件用上去就不會(huì)壞；問題是，理想的狀態(tài)和現(xiàn)實(shí)的狀態(tài)那不相匹配啊，想法是好的，就是實(shí)現(xiàn)不了，呵呵。出了問題，那就找問題，多分析，多總結(jié)，技術(shù)啊，器件工藝啊，那也就在不知不覺中前進(jìn)了。
這問題不會(huì)在元件上,是在你設(shè)計(jì)與對(duì)應(yīng)負(fù)載問題
本人最近在致力研究 感應(yīng)加熱 元件合理應(yīng)用
最後導(dǎo)出一各 負(fù)載參數(shù)表(僅適用無變壓器輸出架構(gòu))
暫時(shí)給他一個(gè)參數(shù) 叫 [磁載率]
他的定義就是 入電電流與諧振電流比
換句話就是說 多大諧震電流能帶多少入電電流,而入電電流就是能作用到負(fù)載的功(機(jī)器損號(hào)先忽略)
比如 20號(hào)鋼係數(shù)在17%-22%, 45號(hào),鋼係數(shù)在12%-15%,砲筒(3鉻鋼)在7%-11%
這係數(shù)也會(huì)與線圈與負(fù)載距離有關(guān),上係數(shù)以15mm-25mm測(cè)定
因此 比如60N100 IGBT 在20號(hào)鋼時(shí)可以 做到 16A(380V) 10KW 安全使用 不會(huì)超過IGBT ICM
在適當(dāng)?shù)倪x擇耗電 還可以降低周邊元件於量, 降低 所有元件 發(fā)熱
因此,看你IGBT狀況 可以肯定是你 負(fù)載 沒注意好,IGBT 超過 ICM 而炸毀
也相信你 周邊元件 比如電容 下場(chǎng)應(yīng)該不比 IGBT 好
科技進(jìn)步 在不同角度鑽研與分析
祝你好運(yùn)
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@irex
這問題不會(huì)在元件上,是在你設(shè)計(jì)與對(duì)應(yīng)負(fù)載問題本人最近在致力研究感應(yīng)加熱元件合理應(yīng)用最後導(dǎo)出一各負(fù)載參數(shù)表(僅適用無變壓器輸出架構(gòu))暫時(shí)給他一個(gè)參數(shù)叫[磁載率]他的定義就是 入電電流與諧振電流比換句話就是說多大諧震電流能帶多少入電電流,而入電電流就是能作用到負(fù)載的功(機(jī)器損號(hào)先忽略)比如20號(hào)鋼係數(shù)在17%-22%,45號(hào),鋼係數(shù)在12%-15%,砲筒(3鉻鋼)在7%-11%這係數(shù)也會(huì)與線圈與負(fù)載距離有關(guān),上係數(shù)以15mm-25mm測(cè)定因此比如60N100IGBT在20號(hào)鋼時(shí)可以做到16A(380V)10KW安全使用不會(huì)超過IGBTICM在適當(dāng)?shù)倪x擇耗電還可以降低周邊元件於量,降低所有元件發(fā)熱因此,看你IGBT狀況可以肯定是你負(fù)載沒注意好,IGBT超過ICM而炸毀也相信你周邊元件比如電容下場(chǎng)應(yīng)該不比IGBT好科技進(jìn)步在不同角度鑽研與分析祝你好運(yùn)
頂一下劉工。
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@stevenpe
其實(shí)，使用的器件，包括電阻、電容、IC，IGBT模塊，甚至PCB，哪個(gè)都會(huì)有問題，包括器件本身的質(zhì)量問題和使用不妥當(dāng)造成的失效，亦或者是因?yàn)槠骷匣a(chǎn)生的質(zhì)量問題?？傊?，出現(xiàn)故障，肯定是有原因的，往往有時(shí)候表象很復(fù)雜，很難找出真正的原因。話說回來，誰都想把自己的產(chǎn)品完美無缺，做機(jī)器的，想讓自己的機(jī)器在幾年時(shí)間之內(nèi)不出問題；做器件的，想讓自己的器件用上去就不會(huì)壞；問題是，理想的狀態(tài)和現(xiàn)實(shí)的狀態(tài)那不相匹配啊，想法是好的，就是實(shí)現(xiàn)不了，呵呵。出了問題，那就找問題，多分析，多總結(jié)，技術(shù)啊，器件工藝啊，那也就在不知不覺中前進(jìn)了。
國(guó)人當(dāng)自強(qiáng)！技術(shù)不斷成熟，進(jìn)步，呵呵。
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@irex
這問題不會(huì)在元件上,是在你設(shè)計(jì)與對(duì)應(yīng)負(fù)載問題本人最近在致力研究感應(yīng)加熱元件合理應(yīng)用最後導(dǎo)出一各負(fù)載參數(shù)表(僅適用無變壓器輸出架構(gòu))暫時(shí)給他一個(gè)參數(shù)叫[磁載率]他的定義就是 入電電流與諧振電流比換句話就是說多大諧震電流能帶多少入電電流,而入電電流就是能作用到負(fù)載的功(機(jī)器損號(hào)先忽略)比如20號(hào)鋼係數(shù)在17%-22%,45號(hào),鋼係數(shù)在12%-15%,砲筒(3鉻鋼)在7%-11%這係數(shù)也會(huì)與線圈與負(fù)載距離有關(guān),上係數(shù)以15mm-25mm測(cè)定因此比如60N100IGBT在20號(hào)鋼時(shí)可以做到16A(380V)10KW安全使用不會(huì)超過IGBTICM在適當(dāng)?shù)倪x擇耗電還可以降低周邊元件於量,降低所有元件發(fā)熱因此,看你IGBT狀況可以肯定是你負(fù)載沒注意好,IGBT超過ICM而炸毀也相信你周邊元件比如電容下場(chǎng)應(yīng)該不比IGBT好科技進(jìn)步在不同角度鑽研與分析祝你好運(yùn)
劉工，你好。我這個(gè)模塊是在機(jī)器正常工作3個(gè)月后的工作之中炸的。電容沒有問題，就整流模塊壞了。我分析可能是工作之中不小心到了容性狀態(tài)炸的
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@我是無為
我用的整流模塊是100A/1600V的。正常工作電流是15A左右
這樣的用法一般應(yīng)當(dāng)不會(huì)有問題，但是如果買了不好的整流橋就說不正啦！
有一次我在試驗(yàn)臺(tái)上把全橋臨時(shí)改接成半橋，那天事多注意力不集中，不小心把整流輸出接反供給IGBT模塊，第一次合閘跳空開（32A的空開），查沒有短路，懷疑是自己沒有用力合閘，再合閘又跳空開，手感空開跳開力度大，知道是有短路了。細(xì)查發(fā)現(xiàn)了問題，心里好害怕，75A/1200A的模塊及60A三相整流橋都沒壞，一年多了，現(xiàn)在還一直在使用。
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