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初學(xué)者的疑惑,D,DL,RCD的區(qū)別

 

如圖

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2011-05-30 13:10
看沒人頂,就說說自己的看法,先從續(xù)流原理說起,電感有個電流不能突變的特性,因此在開關(guān)管關(guān)斷時候,電流還是要保持不變,產(chǎn)生的反激電壓和電阻有關(guān),如果電阻無窮大,則反激電壓無窮大,會擊穿任何阻礙電流流過的障礙,所以不會無窮大,為了保護(hù)開關(guān)管我們引進(jìn)了續(xù)流二極管。
第一種情況:我們再來分析一下這個反激電壓,假設(shè)電源電壓Uin=300V,電感最大電流Imax=10A,二極管導(dǎo)通電阻Rd=100Ω,開關(guān)管電阻忽略。開始打開開關(guān)管,電感中電流增加,我們假設(shè)在電流達(dá)到10A的時候關(guān)閉開關(guān)管,這時電感中電流要保持不變,需要反激多大的電壓呢:Uf=300v+10A*100Ω=1300v,只有達(dá)到這個電壓才能維持原來的電流繼續(xù)流動,如果我們減少二極管的電阻到10Ω,重新計(jì)算一下:Uf=300v+10A*100Ω=400v,當(dāng)然這是在我們的二極管反應(yīng)速度可以足夠反應(yīng)的情況下計(jì)算得來,如果反應(yīng)時間很長,可能我們的頻率很高,二極管還沒來得及導(dǎo)通就擊穿了,所以,這里二極管的反應(yīng)時間要滿足頻率要求,導(dǎo)通電阻都要盡可能的小,這也是我們選擇FRD而非普通二極管的原因。
等會我再來分析第二三個圖。
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2011-05-30 15:25
呵呵,這問題太低級還是太高級,咋沒人頂
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a52632035
LV.4
4
2011-05-30 17:13
@MicroSound
呵呵,這問題太低級還是太高級,咋沒人頂
恩,很有道理哦~~~第二個的L話也就可以儲存一部分能量,相當(dāng)于緩沖經(jīng)過D的電流急劇增大,但是這樣的話在開關(guān)管導(dǎo)通后的電壓和電感上的電壓相反,二極管的關(guān)斷延遲會增大損耗。RCD就是用最多的一個吸收回路吧,漏感尖峰一超過Uin,你所謂的續(xù)流二極管就瞬間導(dǎo)通,然后立刻關(guān)閉,能量就儲存在C里,消耗在R上
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2011-05-30 19:45

學(xué)習(xí)

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399858
LV.4
6
2011-05-31 08:42
@MicroSound
看沒人頂,就說說自己的看法,先從續(xù)流原理說起,電感有個電流不能突變的特性,因此在開關(guān)管關(guān)斷時候,電流還是要保持不變,產(chǎn)生的反激電壓和電阻有關(guān),如果電阻無窮大,則反激電壓無窮大,會擊穿任何阻礙電流流過的障礙,所以不會無窮大,為了保護(hù)開關(guān)管我們引進(jìn)了續(xù)流二極管。第一種情況:我們再來分析一下這個反激電壓,假設(shè)電源電壓Uin=300V,電感最大電流Imax=10A,二極管導(dǎo)通電阻Rd=100Ω,開關(guān)管電阻忽略。開始打開開關(guān)管,電感中電流增加,我們假設(shè)在電流達(dá)到10A的時候關(guān)閉開關(guān)管,這時電感中電流要保持不變,需要反激多大的電壓呢:Uf=300v+10A*100Ω=1300v,只有達(dá)到這個電壓才能維持原來的電流繼續(xù)流動,如果我們減少二極管的電阻到10Ω,重新計(jì)算一下:Uf=300v+10A*100Ω=400v,當(dāng)然這是在我們的二極管反應(yīng)速度可以足夠反應(yīng)的情況下計(jì)算得來,如果反應(yīng)時間很長,可能我們的頻率很高,二極管還沒來得及導(dǎo)通就擊穿了,所以,這里二極管的反應(yīng)時間要滿足頻率要求,導(dǎo)通電阻都要盡可能的小,這也是我們選擇FRD而非普通二極管的原因。等會我再來分析第二三個圖。

所有的都是吸收MOSFET上的尖峰電壓,不同的是,D,DL是將能量反回輸入,尖峰被大電容整平了。RDC是將尖峰用RC振蕩進(jìn)行消耗了。

上面所計(jì)算的二極管的導(dǎo)通電阻Rd不知道從哪里來的,二極管只有一個導(dǎo)通壓降,R=U/I得到這時的等效的電阻。

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asouth
LV.8
7
2011-05-31 12:49
@feibingliuabc
學(xué)習(xí)

學(xué)習(xí)!d真不知道怎么用的?

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2011-05-31 16:49
從效率和成本上講,我覺得第一個好,第二,三的好處,難道是為了減少對輸入電源的干擾?
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