可能性比較大的就是驅(qū)動參數(shù)沒有配置好。

燒的過程，最有可能的是，MOS管先壞，而后，變壓器相當(dāng)于直流通路，變壓器燒。最后燒斷保險(xiǎn)。

檢查一下工作頻率的變化，特別是當(dāng)燈管老化的時候。同時測量一下驅(qū)動端的電壓?？词欠駮p壞MOS管。

你是用什么儀器測試的驅(qū)動電壓？根據(jù)你的描述，我真的無能為力。

必須有準(zhǔn)確的測試才能確認(rèn)。

你可能測錯了。要測試MOS的G驅(qū)動的電壓。另外要測試在你損壞狀態(tài)下的電壓?；蛘呤牵銚Q一燈或者是兩燈的狀況下的驅(qū)動電壓。

參數(shù)：F=44.5K   CF=2.16  AL=0.15  AK=0.9  W=12.2

這里的變壓器飽和，不僅僅是傳輸變壓器。傳輸變壓器是要飽和的，靠飽和來驅(qū)動MOS。

不知道你的L3用的是什么變壓器。最主要的是L3不能飽和。

注意測量一下L3的溫度。如果溫度過高，溫升超過55度。L3可以加大氣隙，多繞線?；蛘呤菗Q大磁芯。

該電路中，傳輸變壓器最好要開氣隙，否則，電感量差異太大。會導(dǎo)致電路的頻率變化，個體差異比較大。另外，L3和傳輸變壓器的電感大小，要仔細(xì)計(jì)算。因?yàn)槠錄Q定傳輸變壓器的匝比和頻率等參數(shù)。

那就不要測了，你把L3換成大點(diǎn)的磁芯，或者是多繞線，氣隙開大點(diǎn)。電感量不變！

先做一下測試，看是否變好。

這個電路，算起來有點(diǎn)復(fù)雜。費(fèi)時費(fèi)力。

最好是能把MOS的驅(qū)動波形給測出來。目前的參數(shù)，感覺L3的蓄能的釋放，會產(chǎn)生高壓。而傳輸變壓器的匝比來看，初級僅僅0.33mH左右。勵磁電流較大。增大了L3的感生電壓。

感覺，應(yīng)該，L3氣隙加大，電感量減小，傳輸變壓器的氣隙減小，電感量增大。

你可以慢慢變化，看結(jié)果。注意這個變化的過程管流會增大，可以適當(dāng)?shù)臏p少匝比。

再看一下，MOS 是否發(fā)熱很嚴(yán)重？

驅(qū)動的最大值偏高，你查一下你用的MOS的Vgs電壓的最大值。如果遇到換燈管，或者是燈管老化，可能會更高。你可以在Vgs并一個15V的穩(wěn)壓管看看結(jié)果。

測試Vds的電壓，看是否超標(biāo)。

另外總結(jié)一下燒掉的時候，是什么工作狀態(tài)。

我查了一下，Vgs是正負(fù)20V.

你的正常工作峰值都超了。你直接測試MOS管G到地的電壓。

現(xiàn)在我也只有幫你頂帖子的功能了。

美國是有類似的板子，但這種電路的少，是一種并聯(lián)諧振的電路。是很穩(wěn)定的。據(jù)說最先是GE公司的電路。

我沒有具體的測試，只是一個猜想，3.9V的穩(wěn)壓管的作用只是為了提升MOS的驅(qū)動電壓。一是能加速開通MOS,減少損耗，另外就是減少兩個MOS同時關(guān)斷的時間。因?yàn)?，如果兩個MOS都關(guān)斷了，電感的蓄能將產(chǎn)生很高的電動勢，很容易就把MOS擊穿了。

他那后面那兩個FR107是不是有點(diǎn)多此一舉哦。IRF830本身就有的，還有驅(qū)動電阻上那兩個電容有沒用。原機(jī)上也沒有這些。

你說的有道理。驅(qū)動電阻那么小，這里這個電容作用不大。

1、要先檢測gs的波形

2、要檢測ds的電壓波形

3、mosfet的Vth(GS)一般要3V以上，你可以看DATASHEET

4、檢查開DS的下降沿和上升沿有無過沖

VGS一般電壓不要超過15V

非常感謝，一看就是大師級的人物，小弟佩服萬分。留個聯(lián)系方式吧，QQ：378200378

如果我改后有問題也好再資詢你。

不過好像IR正品的830不是很好買哦，然后這是抄別人的板，這一改我又要重新打樣。

我的變壓器是EFD25，你說的這是只要?dú)庀恫灰辛繂?？其它參?shù)不用變嗎。