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關于MOSFET的發(fā)熱

是來自于導通損耗,還是開關損耗?

如果都導通損耗和開關損耗都引起發(fā)熱,那么,哪個方面引起的發(fā)熱是主要的?

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2011-05-22 00:05

都有。

頻率很高的時候，開關損耗大。電流很大的時候，導通損耗大。

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jepsun
LV.9
3
2011-05-22 21:05
@讓你記得我的好
都有。頻率很高的時候，開關損耗大。電流很大的時候，導通損耗大。
兩個不同的方面，看你具體針對的哪個。如好版主分析的。
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LV.1
4
2011-05-22 22:32
@jepsun
兩個不同的方面，看你具體針對的哪個。如好版主分析的。
頂好版。。。
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2011-05-23 08:26

如果是0電壓導通 0電流關斷 開關損耗就是0

就剩導通損耗了

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2011-05-23 12:56

導通損耗是純粹的歐姆損耗

而開關損耗則跟很多因素有關了，比如頻率，驅(qū)動電路的驅(qū)動能力，MOSFET的結電容，驅(qū)動波形的上升與下降沿的時間，還有電路的分布參數(shù)等

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2011-05-23 13:29
@心中有冰
導通損耗是純粹的歐姆損耗而開關損耗則跟很多因素有關了，比如頻率，驅(qū)動電路的驅(qū)動能力，MOSFET的結電容，驅(qū)動波形的上升與下降沿的時間，還有電路的分布參數(shù)等
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