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請教各位手機(jī)電池保護(hù)MOS和IC的兩個(gè)問題

小弟剛剛進(jìn)入這個(gè)領(lǐng)域,有問題請教各位,多謝了.
1.手機(jī)電池保護(hù)板上用到雙N的mosfet,我一直想不通正常工作時(shí)工作狀況,因?yàn)椴徽摮潆姺烹?總是會有一顆mos各個(gè)極未處于正常工作的偏置狀態(tài).比如放電時(shí),CO、DO均輸出高,FET1 Vgs>0,Vds>0,正常導(dǎo)通,而對于FET2,Vgs>0而Vds是小于0的,mos不應(yīng)該導(dǎo)通啊?!我曾考慮過是不是回流電流從FET2的寄生二極管中流過,但那樣的話為什么IC datasheet中強(qiáng)調(diào)兩顆MOs都打開呢?并且之前我也看過筆記本保護(hù)板的電路,那上面的MOS功率要大得多,但選用的MOSFET寄生二極管最大正向電流只有1A左右,所以肯定不是從這流過的,那么MOS到處于什么狀態(tài)呢?請各位賜教,感激不盡!
2.保護(hù)IC上有一引腳檢測短路狀態(tài),它的工作原理不甚明白.datasheet上給出短路檢測電壓,由這個(gè)電壓值怎樣推算出來具體對應(yīng)的短路電流值呢?
感謝各位!
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shiparako
LV.1
2
2006-01-10 10:24
自己頂!~哪位高手給個(gè)解釋,這幾天正苦惱著呢~~感激
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shiparako
LV.1
3
2006-01-12 11:19
第一個(gè)問題想清楚了,第二個(gè)還沒搞定,各位再幫忙!
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kendychen
LV.5
4
2006-01-12 18:14
@shiparako
第一個(gè)問題想清楚了,第二個(gè)還沒搞定,各位再幫忙!
短路電流= IC的檢測電壓/保護(hù)板的內(nèi)阻  大概就是這樣算的
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caolin123
LV.5
5
2006-01-13 08:33
1.請看MOSFET的規(guī)格書,當(dāng)Vgs>Vgs-th時(shí),MOSFET是導(dǎo)通的,而不管Vds.
2.短路電流實(shí)際上=電池電壓/電池內(nèi)阻  For example:4.0V/150mohm=26.66A
但在保護(hù)IC內(nèi)部,它是偵測Vdd電壓拉低??V時(shí),他視為短路,但在實(shí)際測試和運(yùn)用中,這種情況又很少出現(xiàn).所以實(shí)際測試和運(yùn)用中,IC都是偵測到過流值時(shí),經(jīng)過延時(shí)而保護(hù).

以上僅供參考!
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shiparako
LV.1
6
2006-01-16 15:18
@caolin123
1.請看MOSFET的規(guī)格書,當(dāng)Vgs>Vgs-th時(shí),MOSFET是導(dǎo)通的,而不管Vds.2.短路電流實(shí)際上=電池電壓/電池內(nèi)阻  Forexample:4.0V/150mohm=26.66A但在保護(hù)IC內(nèi)部,它是偵測Vdd電壓拉低??V時(shí),他視為短路,但在實(shí)際測試和運(yùn)用中,這種情況又很少出現(xiàn).所以實(shí)際測試和運(yùn)用中,IC都是偵測到過流值時(shí),經(jīng)過延時(shí)而保護(hù).以上僅供參考!
非常感謝!!
對于IC的“過電流檢測電壓”怎樣由其反推出所對應(yīng)的電流值呢??
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caolin123
LV.5
7
2006-01-17 11:27
@shiparako
非常感謝!!對于IC的“過電流檢測電壓”怎樣由其反推出所對應(yīng)的電流值呢??
過流保護(hù)值=過電流保護(hù)電壓/(MOSFET內(nèi)阻+保護(hù)板內(nèi)阻)
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shiparako
LV.1
8
2006-01-17 15:10
@caolin123
過流保護(hù)值=過電流保護(hù)電壓/(MOSFET內(nèi)阻+保護(hù)板內(nèi)阻)
多謝!
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bxgpu
LV.2
9
2006-01-23 08:44
@caolin123
1.請看MOSFET的規(guī)格書,當(dāng)Vgs>Vgs-th時(shí),MOSFET是導(dǎo)通的,而不管Vds.2.短路電流實(shí)際上=電池電壓/電池內(nèi)阻  Forexample:4.0V/150mohm=26.66A但在保護(hù)IC內(nèi)部,它是偵測Vdd電壓拉低??V時(shí),他視為短路,但在實(shí)際測試和運(yùn)用中,這種情況又很少出現(xiàn).所以實(shí)際測試和運(yùn)用中,IC都是偵測到過流值時(shí),經(jīng)過延時(shí)而保護(hù).以上僅供參考!
按照您的說法,Mos管電流豈不是可以由S到D,我有些不理解,能夠提供一些資料么?
howard.li@liteon.com
謝謝
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xjh203
LV.5
10
2006-01-23 10:52
@bxgpu
按照您的說法,Mos管電流豈不是可以由S到D,我有些不理解,能夠提供一些資料么?howard.li@liteon.com謝謝
難道不知道以前的老教科書上說的就是有的MOS導(dǎo)通后,電流可以是雙向流動的.
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bxgpu
LV.2
11
2006-01-23 14:05
@xjh203
難道不知道以前的老教科書上說的就是有的MOS導(dǎo)通后,電流可以是雙向流動的.
我對于Drain和source可以互換的理解是:兩個(gè)極,誰與P型襯底短路,誰就固定作為Source.請指教.
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jacenlin
LV.2
12
2006-01-23 14:51
博瑞達(dá)電子有限公司是代理中星微公司的鋰電保護(hù)IC-VA7021,VA7068和充電IC VA7205目前已經(jīng)被飛毛腿,超力通,威力王,天時(shí)達(dá),京瓷等廠家在用.
TEL:61617208--802;13424419095
EMAIL:LJS@SZBRD.COM
林升(jacen)
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sunfairyue
LV.2
13
2006-02-18 08:49
@shiparako
自己頂!~哪位高手給個(gè)解釋,這幾天正苦惱著呢~~感激
華茂科技股份(新加坡)有限公司,是一家專業(yè)從事功率場效應(yīng)管、鋰離子電池保護(hù)IC研發(fā),生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè).其中,低壓低功耗場效應(yīng)管被廣泛用于鋰電池,MP3,數(shù)碼相機(jī),藍(lán)牙耳機(jī)等產(chǎn)品.


型號 單價(jià) 說明
薄片SM9926 ￥0.68/PCS TSSOP-8封裝,內(nèi)阻小于30毫歐,  4K/盤
薄片SM8205 ￥0.70/PCS TSSOP-8封裝,內(nèi)阻小于25毫歐,  4K/盤
單管SM2300 ￥0.28/PCS SOT-23封裝,內(nèi)阻小于45毫歐; 3K/盤
保護(hù)ICSC213 ￥0.31/PCS ①完全兼容DW01;②4.7UA(VCC=3.9V)的超低靜態(tài)電流;③0.3UA(VCC=3.9V)的省電模式靜態(tài)電流;④精確的過充電保護(hù)電壓:4.30±0.05V;⑤過充模式下的負(fù)載檢測模式;⑥兩級過流保護(hù);⑦省電容設(shè)計(jì)(只需兩個(gè)電容)

深圳聯(lián)絡(luò)人:岳生         手機(jī):13715380388  
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