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電源技術(shù)綜合區(qū)
有關(guān)MOS驅(qū)動的問題
有關(guān)MOS驅(qū)動的問題
我用額定為40A的MOS做導(dǎo)通開關(guān)用,當(dāng)電流大于10A時,導(dǎo)通電阻明顯增大,結(jié)溫迅速升高,是什么原因呢?請大家多多指教,積極發(fā)言!
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說說你的想法
迷路羔羊
LV.3
2
2005-12-31 15:47
是和驅(qū)動有關(guān)系么
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sharpen
LV.2
3
2006-01-01 01:02
@迷路羔羊
是和驅(qū)動有關(guān)系么
MOS管的通態(tài)電阻是正溫度系數(shù)的,電流大了~溫度升高~通態(tài)電阻變大~溫度繼續(xù)升高,是一個正反饋過程,一般用管子都會降額使用,保險點用到30%以下.我是這么認(rèn)為的,不知道對不,僅供參考
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迷路羔羊
LV.3
4
2006-01-04 12:33
@sharpen
MOS管的通態(tài)電阻是正溫度系數(shù)的,電流大了~溫度升高~通態(tài)電阻變大~溫度繼續(xù)升高,是一個正反饋過程,一般用管子都會降額使用,保險點用到30%以下.我是這么認(rèn)為的,不知道對不,僅供參考
謝謝
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蒲公英的翅膀
LV.6
5
2006-01-04 14:29
@sharpen
MOS管的通態(tài)電阻是正溫度系數(shù)的,電流大了~溫度升高~通態(tài)電阻變大~溫度繼續(xù)升高,是一個正反饋過程,一般用管子都會降額使用,保險點用到30%以下.我是這么認(rèn)為的,不知道對不,僅供參考
電流大了->溫度升高->通態(tài)電阻變大->電流變小->溫度降低,這也正是MOS管易于實現(xiàn)并聯(lián)的原因,是一個負(fù)反饋的過程而非正反饋!!
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wjoyn
LV.6
6
2006-01-04 14:51
@蒲公英的翅膀
電流大了->溫度升高->通態(tài)電阻變大->電流變小->溫度降低,這也正是MOS管易于實現(xiàn)并聯(lián)的原因,是一個負(fù)反饋的過程而非正反饋!!
贊成5帖的說法
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sharpen
LV.2
7
2006-01-10 21:48
@蒲公英的翅膀
電流大了->溫度升高->通態(tài)電阻變大->電流變小->溫度降低,這也正是MOS管易于實現(xiàn)并聯(lián)的原因,是一個負(fù)反饋的過程而非正反饋!!
這個只是mos管并聯(lián)時候的情況,當(dāng)單個mos管的時候怎么會有這個負(fù)反饋過程呢!
另外你的并聯(lián)分析很對的,學(xué)校里曾經(jīng)最多用了11個mos并聯(lián),效果很好
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迷路羔羊
LV.3
8
2006-06-01 17:21
@wjoyn
贊成5帖的說法
哪個正確呢
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雪山無痕
LV.9
9
2006-06-01 17:23
@sharpen
MOS管的通態(tài)電阻是正溫度系數(shù)的,電流大了~溫度升高~通態(tài)電阻變大~溫度繼續(xù)升高,是一個正反饋過程,一般用管子都會降額使用,保險點用到30%以下.我是這么認(rèn)為的,不知道對不,僅供參考
對呀!!!
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lucz123
LV.4
10
2006-06-01 22:34
@蒲公英的翅膀
電流大了->溫度升高->通態(tài)電阻變大->電流變小->溫度降低,這也正是MOS管易于實現(xiàn)并聯(lián)的原因,是一個負(fù)反饋的過程而非正反饋!!
5帖說的對!
1千只也可以并聯(lián)......
我們做VMOS已經(jīng)20年了,實踐證明過了......
但是,要采取一系列的措施......
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lucz123
LV.4
11
2006-06-01 22:39
@迷路羔羊
是和驅(qū)動有關(guān)系么
驅(qū)動電壓太低......
如果有可能,搞到30V......
肯定有明顯的效果......
20年的秘訣!!!
教科書上肯定讓您搞在12V,至多不要超過18V.....
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雪山無痕
LV.9
12
2006-06-02 07:24
@lucz123
驅(qū)動電壓太低......如果有可能,搞到30V......肯定有明顯的效果......20年的秘訣!!!教科書上肯定讓您搞在12V,至多不要超過18V.....
30V,太高了吧,管子本身的VGS的要求是+-20V
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雪山無痕
LV.9
13
2006-06-02 07:25
@lucz123
驅(qū)動電壓太低......如果有可能,搞到30V......肯定有明顯的效果......20年的秘訣!!!教科書上肯定讓您搞在12V,至多不要超過18V.....
我想是驅(qū)動電阻太大的緣故吧
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protose
LV.7
14
2006-06-02 09:54
@雪山無痕
30V,太高了吧,管子本身的VGS的要求是+-20V
VGS越高,導(dǎo)通電阻越低,當(dāng)然是要在安全的范圍之內(nèi).
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迷路羔羊
LV.3
15
2006-06-03 12:13
@lucz123
驅(qū)動電壓太低......如果有可能,搞到30V......肯定有明顯的效果......20年的秘訣!!!教科書上肯定讓您搞在12V,至多不要超過18V.....
到30V不會燒管子么,對管子的損耗有什么影響呢
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迷路羔羊
LV.3
16
2006-06-03 12:14
@lucz123
5帖說的對!1千只也可以并聯(lián)......我們做VMOS已經(jīng)20年了,實踐證明過了......但是,要采取一系列的措施......
均流應(yīng)該采取什么措施呀
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anson_wong
LV.4
17
2006-06-03 22:52
@迷路羔羊
哪個正確呢
說的都對,一麻事!
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jerry tsai
LV.1
18
2006-06-04 02:34
@迷路羔羊
到30V不會燒管子么,對管子的損耗有什么影響呢
要看哪一種Mos , 有些Mos Vgs耐壓可以到 30V 有些不行, 你目前用的Mos是哪一型號, 工作頻率 ,驅(qū)動電壓多少呢?
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迷路羔羊
LV.3
19
2006-06-20 17:12
@jerry tsai
要看哪一種Mos,有些MosVgs耐壓可以到30V有些不行,你目前用的Mos是哪一型號,工作頻率,驅(qū)動電壓多少呢?
我用的是40N50,工作頻率20K,驅(qū)動電壓是12V
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yzds409
LV.8
20
2007-02-20 20:42
@lucz123
5帖說的對!1千只也可以并聯(lián)......我們做VMOS已經(jīng)20年了,實踐證明過了......但是,要采取一系列的措施......
請問什么措施呢?
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lqf537503
LV.5
21
2008-09-12 17:23
@迷路羔羊
我用的是40N50,工作頻率20K,驅(qū)動電壓是12V
驅(qū)動MOSFET與MOSFET的Crss有關(guān),CRSS越大,需要的驅(qū)動電流越大,所以多管并聯(lián)是有限制的
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蒲公英的翅膀
LV.6
22
2008-09-16 12:23
@lqf537503
驅(qū)動MOSFET與MOSFET的Crss有關(guān),CRSS越大,需要的驅(qū)動電流越大,所以多管并聯(lián)是有限制的
這個地方是MOSFET用在導(dǎo)通開關(guān)用的;所以你說的這個驅(qū)動電容方面的參數(shù)是在用作開關(guān)器件場合要認(rèn)真考慮的,而且Crss并不決定驅(qū)動的難易,通常根據(jù)Qg來設(shè)計驅(qū)動更為合適……
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samszapl
LV.5
23
2008-09-16 14:27
@迷路羔羊
我用的是40N50,工作頻率20K,驅(qū)動電壓是12V
樓主你看一下要不要換了MOS試一下,用IXFH44N50P可能效果會改善一些!sam@szapl.com
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xinhhy
LV.4
24
2008-09-16 17:17
@samszapl
樓主你看一下要不要換了MOS試一下,用IXFH44N50P可能效果會改善一些!sam@szapl.com
發(fā)了兩年了,還有人回復(fù),真是好心腸啊!
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