SABER中IGBT的屬性設(shè)置問題
本人在做三電平直流變換器的仿真，輸入為540V，在畫原理圖時(shí)，IGBT的屬性不會(huì)設(shè)置 求各位大蝦幫忙
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@sunxj_007
版主，他用的是saber，他標(biāo)題寫的比較清楚
抱歉，沒看清。Saber中的IGBT有兩種類型，一類是基于物理參數(shù)設(shè)置的，準(zhǔn)確程度高，收斂性也好，不過就是參數(shù)是和IGBT物理模型相關(guān)的，很難明白，這類模板一般是給器件制造廠商或者專業(yè)人士用的，普通工程師建議就別用這個(gè)模型了。另一類是基于IGBT的電學(xué)參數(shù)設(shè)置的模板，比如IGBT1之類的，這類模型根據(jù)IGBT器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)，直接去設(shè)置相關(guān)參數(shù)，容易使用，缺點(diǎn)是精度差點(diǎn)，收斂性也不太好。
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@domono
抱歉，沒看清。Saber中的IGBT有兩種類型，一類是基于物理參數(shù)設(shè)置的，準(zhǔn)確程度高，收斂性也好，不過就是參數(shù)是和IGBT物理模型相關(guān)的，很難明白，這類模板一般是給器件制造廠商或者專業(yè)人士用的，普通工程師建議就別用這個(gè)模型了。另一類是基于IGBT的電學(xué)參數(shù)設(shè)置的模板，比如IGBT1之類的，這類模型根據(jù)IGBT器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)，直接去設(shè)置相關(guān)參數(shù)，容易使用，缺點(diǎn)是精度差點(diǎn)，收斂性也不太好。
謝謝
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