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正激的初級(jí)繞組的RC作用

反激的初級(jí)繞組RCD回路，是嵌位電路，吸收MOS管關(guān)斷瞬間的漏感的。我見正激的初級(jí)繞組，有的也并了個(gè)電阻R和電容C(R和C串，并在繞組上），什么作用？是不是和在MOS管的D和S間并RCD作用一樣？
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hlp330
LV.9
2
2011-01-21 14:46
原理基本上是一樣的
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jianyedin
LV.9
3
2011-01-22 09:58
作吸收
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aizheren
LV.2
4
2011-01-22 10:24
@jianyedin
作吸收
正激有專門的復(fù)位回路了。如磁復(fù)位。這個(gè)RC也是吸收漏感的嗎？
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2011-01-22 10:26
@aizheren
正激有專門的復(fù)位回路了。如磁復(fù)位。這個(gè)RC也是吸收漏感的嗎？
是的。磁復(fù)位繞組和初級(jí)之間有漏感存在。漏感能量不吸收的話，一種可能會(huì)導(dǎo)致MOS被擊穿，另一種后果可能是EMI過不了。
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cheng111
LV.11
6
2011-01-22 19:14
@aizheren
正激有專門的復(fù)位回路了。如磁復(fù)位。這個(gè)RC也是吸收漏感的嗎？
磁復(fù)位主要是釋放變壓器中磁場(chǎng)能量，而吸收電路是吸收漏感引起的電壓尖峰...不一樣的。
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hlp330
LV.9
7
2011-01-22 22:56
@cheng111
磁復(fù)位主要是釋放變壓器中磁場(chǎng)能量，而吸收電路是吸收漏感引起的電壓尖峰...不一樣的。
吸收電路也為磁復(fù)位提供了一個(gè)通路
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bode
LV.9
8
2011-01-23 22:17
@cheng111
磁復(fù)位主要是釋放變壓器中磁場(chǎng)能量，而吸收電路是吸收漏感引起的電壓尖峰...不一樣的。
歸根到底，能讓正激變壓器在MOS關(guān)斷期間磁復(fù)位即可。RCD吸收也好，RC吸收也罷，只要能達(dá)到這個(gè)目的，均可工作。
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