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正激有源嵌位遇到的奇怪問題，漏感小，反而應(yīng)力大

 輸入電壓范圍6-36V，輸出電壓正負15W，功率30W，副邊采用超快恢復(fù)二極管整流，二極管耐壓200V，

原邊主MOS管 HAT2173，原邊嵌位MOS管 IRF6216，原邊嵌位電容0.22uF

變壓器設(shè)計變比N1：N2：N3  =6:24:24 磁材GS14,材質(zhì)RM2.3KD

原邊電感量85uH。(取這么大的電感量是為了電磁兼容，這樣輸出電壓寬帶噪聲小)

當采取原邊6T分兩層將N2，N3夾在中間的繞法時，原邊漏感0.2uH左右，在這種情況下，36V輸入電壓滿載時，續(xù)流二極管電壓尖峰達到270V。

換一種繞法，N1單獨繞制，N2，N3并繞方法不變，原邊漏感增加到0.6uH，在這種情況下，36V輸入電壓滿載，續(xù)流二極管電壓尖峰210V,但此時原邊主開關(guān)MOS管VdS電壓不能很好的被嵌位，相當于嵌位電容電壓波動比較大，導(dǎo)致嵌位P MOS管發(fā)熱嚴重，需要將嵌位電容增大波形才能好轉(zhuǎn)。

有點弄不明白的是為什么漏感小時，續(xù)流二極管的電壓尖峰應(yīng)力反而大？控制參數(shù)進行了調(diào)整(如死區(qū)時間)，但都作用不大

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cheng111
LV.11
2
2011-01-05 14:00
在變化主變壓器過程中，你有沒有調(diào)節(jié)T1?可能T1調(diào)整也改變了漏感。
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kofiori
LV.3
3
2011-01-05 15:39
@cheng111
在變化主變壓器過程中，你有沒有調(diào)節(jié)T1?可能T1調(diào)整也改變了漏感。
T1互感器我一直沒有動過，后來我們又討論了一下這個問題，是否漏感可以阻止副邊整流管開通時的電流上升率，整流管開通的時候續(xù)流管承受電壓應(yīng)力，整流管剛開通時由于續(xù)流管的反向恢復(fù)造成環(huán)流。是不是漏感可以抑制這個呢？現(xiàn)在有點迷惑
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kofiori
LV.3
4
2011-01-06 09:30
我自己頂一下，大家再幫忙看看~
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2011-01-06 14:45

漏感小，次級電壓上升速度快，有可能使續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流更大，從而造成電壓尖峰更高。

你給續(xù)流二極管串上一個磁珠看看有沒有改善。

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kofiori
LV.3
6
2011-01-06 17:54
@讓你記得我的好
漏感小，次級電壓上升速度快，有可能使續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流更大，從而造成電壓尖峰更高。你給續(xù)流二極管串上一個磁珠看看有沒有改善。

恩，套了磁珠試過，可以降壓20V左右的尖峰，但磁環(huán)發(fā)熱挺嚴重的，最后我選擇了折中的方法，漏感稍微大一些，將原邊的嵌位電容容量增加到0.44uF。但是由于漏感增加輸出交叉調(diào)整率有點差。

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kofiori
LV.3
7
2011-01-10 18:45
@讓你記得我的好
漏感小，次級電壓上升速度快，有可能使續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流更大，從而造成電壓尖峰更高。你給續(xù)流二極管串上一個磁珠看看有沒有改善。
一般是套快速飽和的磁珠吧，u值100左右的小磁環(huán)可以吧，我現(xiàn)在電壓應(yīng)力還是超
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2011-01-11 08:44
@kofiori
一般是套快速飽和的磁珠吧，u值100左右的小磁環(huán)可以吧，我現(xiàn)在電壓應(yīng)力還是超
你用的什么規(guī)格的二極管？恢復(fù)特性如何？要軟恢復(fù)特性的。
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kofiori
LV.3
9
2011-01-11 14:17
@讓你記得我的好
你用的什么規(guī)格的二極管？恢復(fù)特性如何？要軟恢復(fù)特性的。

我用的型號是MURD620CT ON的管子 您給看看指標

恢復(fù)時間是35ns

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2011-01-11 14:40
@kofiori
我用的型號是MURD620CTON的管子您給看看指標恢復(fù)時間是35ns
有沒有規(guī)格相近的肖特基管，替換上去看看？
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kofiori
LV.3
11
2011-01-11 14:53
@讓你記得我的好
有沒有規(guī)格相近的肖特基管，替換上去看看？

200V的肖特基只有D2PAK封裝的，這的沒找到DPAK的200V的肖特基。。。

現(xiàn)在產(chǎn)品36V時超30V電壓應(yīng)力。。

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2011-01-11 14:57
@kofiori
200V的肖特基只有D2PAK封裝的，這的沒找到DPAK的200V的肖特基。。?，F(xiàn)在產(chǎn)品36V時超30V電壓應(yīng)力。。
那么把初級側(cè)，MOS的驅(qū)動電阻阻值略微增大一點看看有沒有改善？目的就是讓MOS啟動的開啟的慢一點點看。
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2011-01-11 15:00
@讓你記得我的好
那么把初級側(cè)，MOS的驅(qū)動電阻阻值略微增大一點看看有沒有改善？目的就是讓MOS啟動的開啟的慢一點點看。
你先看一下，二極管的尖峰和MOS的開啟是不是同一時刻的。然后再決定。
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2011-01-11 15:01
@kofiori
200V的肖特基只有D2PAK封裝的，這的沒找到DPAK的200V的肖特基。?！，F(xiàn)在產(chǎn)品36V時超30V電壓應(yīng)力。。

另外，二極管上有沒有加RC吸收呢？

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kofiori
LV.3
15
2011-01-11 15:56
@讓你記得我的好
另外，二極管上有沒有加RC吸收呢？
恩 當然有加。。但是如果電阻再大的話發(fā)熱就很嚴重了，只能下次改版的時候，將電阻封裝加大了，現(xiàn)在用的吸收是440pF 和10R電阻
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kofiori
LV.3
16
2011-01-11 17:22
@讓你記得我的好
另外，二極管上有沒有加RC吸收呢？
現(xiàn)在我發(fā)現(xiàn)半載的時候應(yīng)力更高些，請教一下這個如何解釋呢
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2011-01-11 17:28
@kofiori
現(xiàn)在我發(fā)現(xiàn)半載的時候應(yīng)力更高些，請教一下這個如何解釋呢
應(yīng)該是和箝位電路的能量有關(guān)系。續(xù)流二極管的尖峰是不是出現(xiàn)在PMOS關(guān)斷后的很短時間內(nèi)？
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kofiori
LV.3
18
2011-01-13 10:41
@讓你記得我的好
應(yīng)該是和箝位電路的能量有關(guān)系。續(xù)流二極管的尖峰是不是出現(xiàn)在PMOS關(guān)斷后的很短時間內(nèi)？
我有個想法，用副邊有緣嵌位如何？用原邊的驅(qū)動做副邊的有源嵌位
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2011-01-13 11:14
@kofiori
我有個想法，用副邊有緣嵌位如何？用原邊的驅(qū)動做副邊的有源嵌位
也有做副邊箝位的。但是你考慮一下，電路可能會更復(fù)雜，因為你要控制兩邊的驅(qū)動。還有一個問題，就是你的項目有足夠的時間給你去做實驗嗎？
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kofiori
LV.3
20
2011-01-13 11:29
@讓你記得我的好
也有做副邊箝位的。但是你考慮一下，電路可能會更復(fù)雜，因為你要控制兩邊的驅(qū)動。還有一個問題，就是你的項目有足夠的時間給你去做實驗嗎？
這個產(chǎn)品先這樣了，后續(xù)我會試驗一下副邊有緣嵌位，希望可以解決寬范圍輸入，續(xù)流管電壓應(yīng)力高的問題?，F(xiàn)在這個項目原副邊不用隔離，所以應(yīng)該電路上不會太復(fù)雜
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2011-05-03 23:14
@cheng111
在變化主變壓器過程中，你有沒有調(diào)節(jié)T1?可能T1調(diào)整也改變了漏感。
T1怎么會影響主變壓器的漏感？
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zhijian1024
LV.6
22
2011-05-04 07:43
您的電路上VD2二極管的極性是不是接反了？P溝道的MOS的柵極是低電壓開啟，高電壓關(guān)閉，這樣接法是不是Q3會一直開啟？
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amonson
LV.8
23
2011-05-04 18:34
續(xù)流二極管的反壓是在原邊FET導(dǎo)通的時候產(chǎn)生的，這個和二次側(cè)的線圈電感有關(guān)。減小感量可以減小這個應(yīng)力，或者用肖特基，或者串聯(lián)磁珠抑制電流變化率，或者用RCD吸收。
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kofiori
LV.3
24
2011-05-05 16:10
@amonson
續(xù)流二極管的反壓是在原邊FET導(dǎo)通的時候產(chǎn)生的，這個和二次側(cè)的線圈電感有關(guān)。減小感量可以減小這個應(yīng)力，或者用肖特基，或者串聯(lián)磁珠抑制電流變化率，或者用RCD吸收。
這個項目電壓范圍太寬，又有對輸出電壓紋波寬帶噪聲的要求，最后只能將整流續(xù)流管更換為400V的超快恢復(fù)二極管，相應(yīng)的會損失一下效率。
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