回答你的問題，MOS管或IGBT有三個電容，GS間，GD間，DS間

1、輸入電容是GS間電容并上GD串DS。開啟時，要把輸入電容充滿。輸入電容越大，開啟電流就要越大。還有一個指標叫Qg，也就是要開啟需要轉移的電荷數，這個更能直觀得表示。開啟時先轉移Qgs，從波形上看會到miller時間，然后轉移Qgd，到達十伏，這時表示管子才真正開啟了。

2、輸出電容是DS間并上GD與GS串。也就相當于在DS兩端并聯一個電容。在管子開啟時要先把這個電容上的電放掉，關斷時要先把這個電容上電放掉，所以有時候都不用在DS間關聯吸收電容，自身電容已經夠用。在硬關斷時，電容越大，DS兩端電壓上升較慢，與電流交叉點會變低，可以減小關斷損耗。

3、Cres是反向電容，就是GD間的電容，在開啟時必須把這個電容也充滿，也就是要把Qgd轉移掉，這樣才能完全開啟，否則在DS間電流較大時會出現驅動能力不夠的情況，增加導通損耗。

反向電容會影響開關速度，因為要多轉移掉上面的電量，而且必須轉移掉。Cies與Cres的大小會影響開關速度，越大在同等驅動電流的情況下就越慢，會增加開關損耗，但太快會產生振蕩，會造成DS間電壓峰值很高，反而增加損耗，得取個合適的值。一般來說，管子的Id越大，三個電容都會越大，Qg也會越大，要提供的驅動能力就越強。