目前專注于MOS半導(dǎo)體功率器件（溝槽型大功率MOS器件、超結(jié)MOS器件、NPT-IGBT）以及射頻（微波）RF-LDMOS器件的設(shè)計、生產(chǎn)、測試與質(zhì)量考核、銷售與服務(wù)。擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和“新功率”“NCE Power”品牌。公司在中國大陸、香港分別建立了設(shè)計與運營中心、銷售公司以及外包芯片流片基地、成品封裝基地、成品測試基地，并有完善的質(zhì)量控制保證系統(tǒng)，保證產(chǎn)品品質(zhì)的一致性和穩(wěn)定性。
公司主要團(tuán)隊人員是由志同道合的業(yè)界精英融合而成，其中不乏有功底深厚的20多年來，一直潛心于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域、先后在國內(nèi)著名企業(yè)、新家坡和德國等國外機構(gòu)研發(fā)和工作的海歸“科技領(lǐng)軍與創(chuàng)業(yè)人才”；也有一批近10年經(jīng)驗的年青功率半導(dǎo)體工藝和器件專家。曾首創(chuàng)兩項中國第一，即最先設(shè)計并大規(guī)模商業(yè)化的大功率Trench-MOSFET（用于各種電動車控制器、ＵＰＳ、汽車電子等領(lǐng)域）；最先設(shè)計四塊Masks并大規(guī)模商業(yè)化的中、小功率Trench-MOSFET（廣泛用于便攜數(shù)碼產(chǎn)品）并取得多項中國發(fā)明專利?，F(xiàn)正刻苦創(chuàng)新，填補多項國內(nèi)空白，并引領(lǐng)中國功率半導(dǎo)體器件工藝流程、器件結(jié)構(gòu)和性能的創(chuàng)新、創(chuàng)優(yōu)。
NCE依托自身世界領(lǐng)先的設(shè)計技術(shù)并持續(xù)進(jìn)步以及業(yè)界一流的芯片、封測技術(shù)的大力支持，夠硬的產(chǎn)品應(yīng)用能力，虔誠的服務(wù)態(tài)度和迅速的執(zhí)行力，竭誠為客戶提供優(yōu)質(zhì)、創(chuàng)新、低成本的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品和應(yīng)用系統(tǒng)。
公司以“誠信”對待、忠誠服務(wù)一路相伴走來的所有客戶和合作者，建立合作共贏的長期協(xié)作關(guān)系。
目前本公司在逆變電源這塊，已開發(fā)出10多款產(chǎn)品，從功率較小的200w到大功率均有覆蓋。目前主要型號有：NCE7580（80V 80A）、NCE7578（80V 80A）、NCE0157（100V 57A）、NCE75H21（80V 210A）、NCE01H14（100V 140A）、NCE8098（80V 98A）、NCE55H11 （55V 110A）、NCE30H21（30V 210A）NCE1579（150V 79A)等。
均已實現(xiàn)量產(chǎn)，歡迎廣大逆變電源行業(yè)內(nèi)的朋友前來咨詢合作。
NCE30H21 NCE55H11 NCE7580 NCE7578 NCE75H21T NCE8098 NCE01H14 NCE0157 NCE1579
公司在填補國家空白上也不斷進(jìn)取，目前公司超結(jié)產(chǎn)品已有近10款，如有用英飛凌（Infeone）Coolmos的朋友均可用我司的超結(jié)進(jìn)行替代。如,NCE20N60可完美替代SPP20N60C3 （650V 20A 180mohm）。目前主要型號如下：
NCE14N50SJ NCE20N50SJ NCE15N60SJ NCE20N60SJ NCE13N60SJ NCE05N65SJ NCE08N65SJ NCE11N65SJ NCE20N65SJ NCE47N60SJ 等等。
NCE20N50 NCE20N50T NCE20N60 NCE04N65 NCE07N65 NCE11N65 NCE20N65 NCE20N65T
公司在IGBT上，也已實現(xiàn)樣品產(chǎn)出，NCETG12010AA NCETG12015AA NCETG12020AA NCETG12025AA 。
NCE25G120T NCE20G120T NCE10G120
我們遵行：品質(zhì)穩(wěn)定、價格穩(wěn)定、供貨穩(wěn)定！做性價比最高的逆變電源MOS管！
聯(lián)系方式：
無錫新潔能功率半導(dǎo)體有限公司
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