第一種對(duì)后級(jí)整流管的尖峰抑制優(yōu)于第二種.后面吸收多了,反射到前面的也就小了.

有點(diǎn)像"蹺蹺板"

看樓主的測(cè)試報(bào)告，第二種吸收的效果明顯好于第一種。

hlp330團(tuán)長(zhǎng) 這個(gè)要權(quán)衡了,前面低了 后面就高了啊

我沒(méi)用過(guò)第二種,耐壓夠了應(yīng)該可以吧.希望高手給你解答.

兩組輸出,就現(xiàn)在這組為主輸出

后面高了.主要對(duì)什么有影響是續(xù)流二極管的耐壓及輸出電容的耐壓?

后極一般是超快恢復(fù)或肖特基整流管.

后極一般是超快恢復(fù)或肖特基整流管.

是指對(duì)整流關(guān)的耐壓,對(duì)輸出電容應(yīng)該也會(huì)有影響.

對(duì)鉛酸電池也許會(huì)有好處!

那就應(yīng)該沒(méi)有什么問(wèn)題我后級(jí)用400V耐壓的二極管

主要是對(duì)效率以及EMI的影響了。

充電器這玩意,效率要求不高,EMI也沒(méi)有特別明顯的要求,現(xiàn)在只求穩(wěn)定!!!

我前期炸開(kāi)關(guān)管,有點(diǎn)怕這玩意了

我來(lái)說(shuō)幾句吧

這是個(gè)老生常談的問(wèn)題了，RC吸收VS 單個(gè)C吸收。

RC吸收是個(gè)阻尼吸收，怎么設(shè)定RC的參數(shù)，論壇里面做過(guò)很多的討論，我以前的帖子里有，你可以去看看，注意出現(xiàn)欠阻尼與過(guò)阻尼的情況，因?yàn)镋MI與效率都會(huì)影響這個(gè)參數(shù)的設(shè)定。

C吸收應(yīng)該可以看成一個(gè)單純的儲(chǔ)能元件，利用電容兩端的電壓不能突變的特性來(lái)抑制突變的尖峰電壓。

至于那種吸收對(duì)VDS的影響大小，你可以在同一個(gè)電源上抓次級(jí)整流二極管的波形跟前面MOSFET的VDS波形對(duì)比，就明白怎么回事了

樓主就測(cè)試一下這兩種吸收時(shí)，整流二極管的波形跟前面MOSFET的VDS波形對(duì)比

把圖貼上來(lái)看看啊。

我們還是很關(guān)注VDS的，這么看好像只要電容效果還好些？

大家唱說(shuō)的都是用RC

單單從功耗上看，加了R，消耗能量是不是效率也低了

單從理論上來(lái)說(shuō)，這個(gè)電阻起阻尼的作用，是需要消耗能量的

但從整個(gè)電源系統(tǒng)上來(lái)說(shuō)，卻是不一定降低效率，因?yàn)樗种屏苏袷帲渌脑膿p耗小了，所以大多數(shù)的情況下都加RC吸收

我周一去測(cè)試下!然后把圖貼上來(lái)，有點(diǎn)興趣！

問(wèn)題在于整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定。VDS參數(shù)，整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定。也不能單純的追求一個(gè)參數(shù)。

好的 等你的參數(shù)

我用的是第二種，用第二種時(shí)MOS管的VDS降到540V左右，用第一種，VDS降不下來(lái)，且電阻很燙。