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MOSFET燒壞，請(qǐng)大俠給分析下原因

三相逆變電路，直流母線電壓為360V，三相正弦電流輸出峰值為10A時(shí)，工作兩分鐘后有兩個(gè)MOSFET突然短路，用萬用表測(cè)得G、D、S三端都短路了。。。

MOSFET選用的是IXFK64N60P，600V/50A。另外，用示波器觀察MOSFET漏源兩端波形，沒有過壓；散熱片上用的是65度的溫度繼電器，也沒有動(dòng)作；請(qǐng)大俠給分析一下還有什么原因?qū)е翸OSFET燒壞呢？多謝??！

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sl_power
LV.7
2
2010-11-21 16:53
有可能是柵源極過壓使得MOS的GS被擊穿造成的
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yong168
LV.7
3
2010-11-21 17:48
重載的時(shí)候，變壓器有沒噪音?。縈OSFET漏源兩端波形，你看下PK值~
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haihan
LV.3
4
2010-11-21 18:16
@sl_power
有可能是柵源極過壓使得MOS的GS被擊穿造成的
柵極有穩(wěn)壓管，應(yīng)該不會(huì)過壓吧
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haihan
LV.3
5
2010-11-21 18:20
@yong168
重載的時(shí)候，變壓器有沒噪音?。縈OSFET漏源兩端波形，你看下PK值~

用示波器測(cè)過DS兩端波形，由于我在MOSFET的漏源兩端加了3.3nf的緩沖電容，DS有電壓尖峰，但不大。如果是過壓的話，應(yīng)該是重復(fù)雪崩能量EAR太大吧。

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yong168
LV.7
6
2010-11-21 18:43
@haihan
用示波器測(cè)過DS兩端波形，由于我在MOSFET的漏源兩端加了3.3nf的緩沖電容，DS有電壓尖峰，但不大。如果是過壓的話，應(yīng)該是重復(fù)雪崩能量EAR太大吧。
按道理來說，DS間加了電容，效果會(huì)好很多~那個(gè)電容用0.1nF/1kv的去試下~~繼續(xù)關(guān)注中，不知道問題到底出在哪里
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fsxqw
LV.9
7
2010-11-21 20:14
@yong168
按道理來說，DS間加了電容，效果會(huì)好很多~那個(gè)電容用0.1nF/1kv的去試下~~繼續(xù)關(guān)注中，不知道問題到底出在哪里

雪崩能量損壞，不會(huì)吧。

是不是你的GS電壓不平衡??？

那么大的管子VGS電壓最好在18-20V之間

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haihan
LV.3
8
2010-11-21 22:05
@fsxqw
雪崩能量損壞，不會(huì)吧。是不是你的GS電壓不平衡啊？那么大的管子VGS電壓最好在18-20V之間

GS兩端電壓沒有問題，都用示波器測(cè)試過。

關(guān)鍵是正常運(yùn)行了兩分多鐘后突然燒壞，真是百思不得其解

明天再換MOSFET，加電繼續(xù)試，希望找到原因

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sl_power
LV.7
9
2010-11-22 20:57
@haihan
柵極有穩(wěn)壓管，應(yīng)該不會(huì)過壓吧
如果排除GS過壓擊穿的情況，那還有一種可能是GS的驅(qū)動(dòng)不足造成mos沒有完全飽和導(dǎo)通，導(dǎo)致mos發(fā)熱損壞，你的驅(qū)動(dòng)電流是多大？
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sl_power
LV.7
10
2010-11-22 20:58
@haihan
GS兩端電壓沒有問題，都用示波器測(cè)試過。關(guān)鍵是正常運(yùn)行了兩分多鐘后突然燒壞，真是百思不得其解明天再換MOSFET，加電繼續(xù)試，希望找到原因
樓主原因有沒有找到？
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earthworm
LV.4
11
2010-11-22 22:01
樓主你的頻率是多少？我懷疑是超出了FSOA范圍所致
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haihan
LV.3
12
2010-11-23 21:14
@earthworm
樓主你的頻率是多少？我懷疑是超出了FSOA范圍所致

頻率20k，mosfet的gs兩端我用電阻代替的穩(wěn)壓管，驅(qū)動(dòng)電源采用DCP022415，有可能是驅(qū)動(dòng)電源輸出電壓太高擊穿柵極，還在排查。。。

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陳永真
LV.8
13
2010-11-24 15:51
好像是瞬態(tài)共同導(dǎo)通，看一下有關(guān)瞬態(tài)共同導(dǎo)通的文章就知道了。是驅(qū)動(dòng)電路問題。
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haihan
LV.3
14
2010-11-24 16:38
@陳永真
好像是瞬態(tài)共同導(dǎo)通，看一下有關(guān)瞬態(tài)共同導(dǎo)通的文章就知道了。是驅(qū)動(dòng)電路問題。

設(shè)置了3us的死區(qū)，用示波器看驅(qū)動(dòng)波形好像也沒有dv/dt在gs上造成的正電壓。難道是干擾引起誤開通？這是我最擔(dān)心的。。。

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rainever
LV.8
15
2010-11-24 17:29
@haihan
設(shè)置了3us的死區(qū)，用示波器看驅(qū)動(dòng)波形好像也沒有dv/dt在gs上造成的正電壓。難道是干擾引起誤開通？這是我最擔(dān)心的。。。

關(guān)注中。。。是哪2個(gè)短路了？同一通路的2個(gè)？還是在一個(gè)heat sink上的2個(gè)？

LZ試下拿sensor測(cè)下mosfet管的溫度?？?分鐘能多高。

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flyahead
LV.5
16
2010-11-24 19:41
@haihan
設(shè)置了3us的死區(qū)，用示波器看驅(qū)動(dòng)波形好像也沒有dv/dt在gs上造成的正電壓。難道是干擾引起誤開通？這是我最擔(dān)心的。。。

可能是你的PCB板設(shè)計(jì)有問題，導(dǎo)致系統(tǒng)防干擾能力差

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sl_power
LV.7
17
2010-11-24 20:45
@flyahead
可能是你的PCB板設(shè)計(jì)有問題，導(dǎo)致系統(tǒng)防干擾能力差
沒這么玄乎吧，我剛開始做電源時(shí)，用面包板也搭了很多電路，飛線一大把，也沒出現(xiàn)過干擾讓mos燒壞的情況
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haihan
LV.3
18
2010-12-07 13:34
@sl_power
有可能是柵源極過壓使得MOS的GS被擊穿造成的

原來柵極加了47k的電阻，沒有加穩(wěn)壓管，這次將電阻換成穩(wěn)壓管后，重新加到10A，持續(xù)5分鐘，沒有問題，看來真的是柵極擊穿。

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sl_power
LV.7
19
2010-12-07 17:12
@haihan
原來柵極加了47k的電阻，沒有加穩(wěn)壓管，這次將電阻換成穩(wěn)壓管后，重新加到10A，持續(xù)5分鐘，沒有問題，看來真的是柵極擊穿。
持續(xù)5分鐘后，mos管的發(fā)熱情況咋樣？燙不燙？
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haihan
LV.3
20
2010-12-08 21:15
@sl_power
持續(xù)5分鐘后，mos管的發(fā)熱情況咋樣？燙不燙？

用紅外測(cè)溫儀探測(cè)mos管與散熱片的固定螺絲，溫度達(dá)到80度，但靠近mos管的65度溫度開關(guān)沒有動(dòng)作。。。關(guān)掉后，用手摸散熱片溫度差不多有60度，不知道該不該信任溫度開關(guān)呢？

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陳永真
LV.8
21
2010-12-09 17:29
@haihan
用紅外測(cè)溫儀探測(cè)mos管與散熱片的固定螺絲，溫度達(dá)到80度，但靠近mos管的65度溫度開關(guān)沒有動(dòng)作。。。關(guān)掉后，用手摸散熱片溫度差不多有60度，不知道該不該信任溫度開關(guān)呢？
溫度開關(guān)可以信任，可能是散熱器散熱性能有問題。
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sl_power
LV.7
22
2010-12-09 20:37
@陳永真
溫度開關(guān)可以信任，可能是散熱器散熱性能有問題。
還望陳老師能否詳細(xì)解釋下，我沒明白你的意思！
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haihan
LV.3
23
2010-12-09 20:52
@陳永真
溫度開關(guān)可以信任，可能是散熱器散熱性能有問題。

是啊，散熱器材有什么問題？準(zhǔn)備換更大的風(fēng)扇。。。

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holyfaith
LV.8
24
2010-12-09 21:00
@haihan
用紅外測(cè)溫儀探測(cè)mos管與散熱片的固定螺絲，溫度達(dá)到80度，但靠近mos管的65度溫度開關(guān)沒有動(dòng)作。。。關(guān)掉后，用手摸散熱片溫度差不多有60度，不知道該不該信任溫度開關(guān)呢？
這個(gè)GS擊穿是見過的，但是從原理上分析這個(gè)電壓為什么會(huì)升高呢
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holyfaith
LV.8
25
2010-12-09 21:01
@sl_power
沒這么玄乎吧，我剛開始做電源時(shí)，用面包板也搭了很多電路，飛線一大把，也沒出現(xiàn)過干擾讓mos燒壞的情況
有干擾也不一定會(huì)燒嘛，呵呵
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陳永真
LV.8
26
2010-12-09 21:31
@sl_power
沒這么玄乎吧，我剛開始做電源時(shí)，用面包板也搭了很多電路，飛線一大把，也沒出現(xiàn)過干擾讓mos燒壞的情況
不燒有不燒的道理，燒也有燒的原因。
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sl_power
LV.7
27
2010-12-09 22:21
@holyfaith
這個(gè)GS擊穿是見過的，但是從原理上分析這個(gè)電壓為什么會(huì)升高呢
有可能是布線不合理，導(dǎo)致的電磁干擾太強(qiáng)引起電壓尖峰過大造成的，但是一般來說，這個(gè)可能性比較小
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haihan
LV.3
28
2010-12-14 15:34
@sl_power
有可能是布線不合理，導(dǎo)致的電磁干擾太強(qiáng)引起電壓尖峰過大造成的，但是一般來說，這個(gè)可能性比較小

有這個(gè)可能，我是采用浮動(dòng)?xùn)艠O電源供電的方式，上橋臂每個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)使用獨(dú)立的供電電源DCP022415，這個(gè)片子確實(shí)很容易受到干擾，如果兩片并聯(lián)的話，在主電路輸出電流增加時(shí)根本不工作。看來下一板要改成自舉供電方式了，只是這種方式的可靠性可能低一些，對(duì)布線要求更高了。

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