上周測(cè)試了幾個(gè)電源，發(fā)現(xiàn)電源在啟動(dòng)時(shí)，后級(jí)濾波電容充電在30%-100%的Vout的時(shí)候（整個(gè)時(shí)間持續(xù)5mS左右），前級(jí)的MOS 的VDS是遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了MOS的耐壓的，待充電完成后，VDS穩(wěn)定在正常范圍。

AC150V輸入，濾波電容充電在30%-100%的Vout的時(shí)候，VDS竟然達(dá)到了700V，MOS的標(biāo)稱耐壓是650V，正常工作的時(shí)候，VDS最大380V。在這段時(shí)間中，VDS是超過(guò)了MOS的額定VDS的，甚至達(dá)到了雪崩電壓值，那么此時(shí)尖峰部分的能量應(yīng)該有一部分被MOS消耗了，這部分能量應(yīng)該是小于雪崩耐量的。

在VDS超過(guò)MOS的標(biāo)稱電壓的時(shí)候，MOS是先以雪崩的方式吸收能量，然后到到雪崩電壓才擊穿；還是達(dá)到雪崩電壓之后才以雪崩的方式吸收能量，當(dāng)超過(guò)雪崩耐量的時(shí)候才擊穿？