怎么樣,沒有人過來(lái),歡迎積極發(fā)言

并聯(lián):現(xiàn)在的半導(dǎo)體工藝非常成熟,MOSFET 并聯(lián)基本上沒有任何問題.你在 Layout 時(shí),只要注意以下幾點(diǎn):1. 到 drain 極的導(dǎo)線基本一致2. 從 Source 極出來(lái)的長(zhǎng)度基本一致3. Gate 極的驅(qū)動(dòng)線路長(zhǎng)度一致串聯(lián):主要關(guān)注的是兩個(gè)MOSFET 的均壓?jiǎn)栴},畢竟MOSFET 導(dǎo)通時(shí),內(nèi)阻會(huì)有一些差異,同樣兩個(gè)開通的時(shí)間不一致那你就慘啦!

高手們多發(fā)表點(diǎn)意見!

有沒有用過臺(tái)灣華瑞的MOS-FET

謝謝啦,可不可以再詳細(xì)一點(diǎn)

SYNC POWER 的 MOSFET 管品質(zhì)更上一層樓 , 內(nèi)阻更低 , 更小包裝樣式 , 更省空間 

具體要看你的應(yīng)用啦!不針對(duì)應(yīng)用實(shí)例進(jìn)行交流的話,只能是純理論的東西,呵呵~~~~ 你認(rèn)為呢?

請(qǐng)教:我并聯(lián)時(shí)都要在柵極加10歐電阻,否則就燒管,是否就是不滿足您說的那三點(diǎn)!!

不一定,你燒管的原因,十之八九是你在G/S極之間你沒有串泄放電阻(僅個(gè)人猜測(cè))并聯(lián)時(shí),一個(gè)10R 的電阻也可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè) MOSFET,電阻分開的關(guān)鍵是在于你的MOSFET Qg 以及你的Layout 方便.MOSFET 燒管的原因,基本上都是自觸發(fā)導(dǎo)通造成的(歸根的說法).當(dāng)然自觸發(fā)的原因有很多,俺也不想對(duì)這個(gè)專門寫一個(gè)長(zhǎng)篇!

這個(gè)瀉放電阻一般是k歐級(jí)的是嗎,您的意思是加了泄放電阻就不用加10歐電阻了嗎,還是都加??
     關(guān)于自觸發(fā)導(dǎo)通的相關(guān)論文或書籍方便相告嗎?當(dāng)然如果您能貼出一些,那小弟不勝感激!!了

泄放電阻主要是用來(lái)防止Qg被非正常充電導(dǎo)致導(dǎo)通(被動(dòng)).而10R的電阻是driver限流的(主動(dòng)).當(dāng)然都加是最好啦!當(dāng)你的設(shè)計(jì)完畢以后,再拆掉泄放電阻,一般日本和臺(tái)灣的設(shè)計(jì)都會(huì)這樣.一個(gè)方面降耗;另一方面對(duì)抄板新手增加一定的難度.上網(wǎng)一搜,就可以找到啦! 從半導(dǎo)體特性方面入手就可以啦!

要注意你的IC 能否正常驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOS,尤其是兩個(gè)Ciss比較大的MOS.

非常感謝!!!

最好選用功率較大的代用,并聯(lián)就怕開關(guān)斷的時(shí)間不一樣.

頂

MOSFET并聯(lián)使用很方便,很多情況下,可以直接并聯(lián).