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為什么在反激式電源MOS繞組的電壓和VDS為零呢？

請(qǐng)問下，為什么在反激式電源中那個(gè)變壓器在MOS開通的時(shí)候，初級(jí)繞組的電壓和VDS為零呢？反而是在MOS關(guān)閉的時(shí)候初級(jí)繞組和VDS才有電壓？謝謝！
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2010-10-06 13:17
你自己想想看呢   MOS 導(dǎo)通 理想情況下VDS為零 ,初級(jí)繞組不是吧
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yong168
LV.7
3
2010-10-06 13:30
@冰上鴨子
你自己想想看呢  MOS導(dǎo)通理想情況下VDS為零,初級(jí)繞組不是吧
MOS導(dǎo)通VDS是為0，但為什么關(guān)閉了就有電壓？還有那個(gè)好像變壓器初級(jí)電壓跟VDS是相對(duì)應(yīng)的吧~！很苦悶~
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2010-10-06 13:46
@yong168
MOS導(dǎo)通VDS是為0，但為什么關(guān)閉了就有電壓？還有那個(gè)好像變壓器初級(jí)電壓跟VDS是相對(duì)應(yīng)的吧~！很苦悶~

開關(guān)晶體管 Tr ton時(shí),相當(dāng)于MOS DS短路  變壓器初級(jí)Np有電流 Ip,變壓器開始儲(chǔ)存能量   MOS 在電路中就是一個(gè)開關(guān)

最基本的你應(yīng)該找找相關(guān)的基礎(chǔ)貼再看看

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yong168
LV.7
5
2010-10-06 15:03
@冰上鴨子
開關(guān)晶體管 Tr ton時(shí),相當(dāng)于MOSDS短路 變壓器初級(jí)Np有電流 Ip,變壓器開始儲(chǔ)存能量  MOS在電路中就是一個(gè)開關(guān)最基本的你應(yīng)該找找相關(guān)的基礎(chǔ)貼再看看

我知道MOS是一個(gè)開關(guān)啊 ，我其他的都知道，就是搞不清楚為什么MOS開通的時(shí)候，變壓器不是開始儲(chǔ)能了嗎？既然開通的時(shí)候開始儲(chǔ)能就應(yīng)該有電壓啊~

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雪鐵龍
LV.6
6
2010-10-06 15:09
@冰上鴨子
開關(guān)晶體管 Tr ton時(shí),相當(dāng)于MOSDS短路 變壓器初級(jí)Np有電流 Ip,變壓器開始儲(chǔ)存能量  MOS在電路中就是一個(gè)開關(guān)最基本的你應(yīng)該找找相關(guān)的基礎(chǔ)貼再看看

剛好說反了吧？

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2010-10-06 15:24
@雪鐵龍
剛好說反了吧？

暈了 多謝龍兄!

剛回帖時(shí) 得知 前幾天買回來的1W多大洋的貼片料,工人竟把它當(dāng)垃圾丟掉了.所以就暈了我火.現(xiàn)在還在找

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yong168
LV.7
8
2010-10-06 15:37
@雪鐵龍
剛好說反了吧？
~~我再分析看看~
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2010-10-06 17:10
@yong168
MOS導(dǎo)通VDS是為0，但為什么關(guān)閉了就有電壓？還有那個(gè)好像變壓器初級(jí)電壓跟VDS是相對(duì)應(yīng)的吧~！很苦悶~

兄弟，你這個(gè)問題說明你的初中物理基礎(chǔ)不牢

MOSFET導(dǎo)通時(shí)，初級(jí)的電流有了通路，變壓器初級(jí)繞組開始儲(chǔ)能，那么MOSFET的Vds電壓其實(shí)等于流過MOSFET的電流乘上MOSFET的導(dǎo)通電阻，這個(gè)壓降很小。這個(gè)就是最簡(jiǎn)單的歐姆定理。

MOSFET關(guān)斷時(shí)，如果忽略寄生參數(shù)與吸收電路的影響，可以認(rèn)為初級(jí)沒有電流流動(dòng)，那么此時(shí)MOSFET的Vds電壓等于兩個(gè)電壓（忽略漏感的反激電壓）的疊加，直流母線電壓+初級(jí)繞組的反激電壓（也叫做次級(jí)反射電壓）。這個(gè)是串聯(lián)電路電壓相加。

 

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gaohq
LV.8
10
2010-10-06 17:24
@冰上鴨子
[圖片]暈了多謝龍兄!剛回帖時(shí)得知前幾天買回來的1W多大洋的貼片料,工人竟把它當(dāng)垃圾丟掉了.所以就暈了我火.現(xiàn)在還在找

你那的庫管這工作干的.............

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yong168
LV.7
11
2010-10-06 17:38
@心中有冰
兄弟，你這個(gè)問題說明你的初中物理基礎(chǔ)不牢MOSFET導(dǎo)通時(shí)，初級(jí)的電流有了通路，變壓器初級(jí)繞組開始儲(chǔ)能，那么MOSFET的Vds電壓其實(shí)等于流過MOSFET的電流乘上MOSFET的導(dǎo)通電阻，這個(gè)壓降很小。這個(gè)就是最簡(jiǎn)單的歐姆定理。MOSFET關(guān)斷時(shí)，如果忽略寄生參數(shù)與吸收電路的影響，可以認(rèn)為初級(jí)沒有電流流動(dòng)，那么此時(shí)MOSFET的Vds電壓等于兩個(gè)電壓（忽略漏感的反激電壓）的疊加，直流母線電壓+初級(jí)繞組的反激電壓（也叫做次級(jí)反射電壓）。這個(gè)是串聯(lián)電路電壓相加。 
新手是這樣的了，最近在看BUCK,BOOST,BUCK-BOOST,一下子變換成FLYBACK就有點(diǎn)糊涂了~~！腦子轉(zhuǎn)不過來~~呵呵，一指點(diǎn)一下就通了~謝謝你的解答
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yong168
LV.7
12
2010-10-06 17:43
@心中有冰
兄弟，你這個(gè)問題說明你的初中物理基礎(chǔ)不牢MOSFET導(dǎo)通時(shí)，初級(jí)的電流有了通路，變壓器初級(jí)繞組開始儲(chǔ)能，那么MOSFET的Vds電壓其實(shí)等于流過MOSFET的電流乘上MOSFET的導(dǎo)通電阻，這個(gè)壓降很小。這個(gè)就是最簡(jiǎn)單的歐姆定理。MOSFET關(guān)斷時(shí)，如果忽略寄生參數(shù)與吸收電路的影響，可以認(rèn)為初級(jí)沒有電流流動(dòng)，那么此時(shí)MOSFET的Vds電壓等于兩個(gè)電壓（忽略漏感的反激電壓）的疊加，直流母線電壓+初級(jí)繞組的反激電壓（也叫做次級(jí)反射電壓）。這個(gè)是串聯(lián)電路電壓相加。 
還有一個(gè)就是：MOS開通的時(shí)候，初級(jí)繞組儲(chǔ)能，繞組的電壓怎么去分析呢？
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gaohq
LV.8
13
2010-10-06 18:01
@yong168
還有一個(gè)就是：MOS開通的時(shí)候，初級(jí)繞組儲(chǔ)能，繞組的電壓怎么去分析呢？

繞組上的電壓就是Vin  (忽略MOS上的壓降）

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yong168
LV.7
14
2010-10-06 18:09
@gaohq
繞組上的電壓就是Vin (忽略MOS上的壓降）
是啊，我也是這樣覺得啊，但為什么MOS開通的時(shí)候，初級(jí)繞組的電壓波形跟VDS的是一樣的呢？~
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gaohq
LV.8
15
2010-10-06 18:12
@yong168
是啊，我也是這樣覺得啊，但為什么MOS開通的時(shí)候，初級(jí)繞組的電壓波形跟VDS的是一樣的呢？~

不可能的，你最好上圖

繞組的電壓波形和VDS的波形。

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liuhou
LV.9
16
2010-10-06 18:22
不會(huì)是這樣的。
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yong168
LV.7
17
2010-10-06 18:34
@gaohq
不可能的，你最好上圖繞組的電壓波形和VDS的波形。
難道是我看的錯(cuò)了？ 
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gaohq
LV.8
18
2010-10-06 19:27
@yong168
難道是我看的錯(cuò)了？[圖片] 

你那個(gè)變壓器初級(jí)繞組電壓波形是用Saber中的波形計(jì)算器合成的吧，算錯(cuò)了

應(yīng)該是Vin - Vds

而不是Vds - Vin

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yong168
LV.7
19
2010-10-06 19:39
@gaohq
你那個(gè)變壓器初級(jí)繞組電壓波形是用Saber中的波形計(jì)算器合成的吧，算錯(cuò)了應(yīng)該是Vin-Vds而不是Vds-Vin
這是“讓你記得我的好”版主的帖子里德，反正我就郁悶了~~我再分析下先~
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gaohq
LV.8
20
2010-10-07 10:38
@yong168
這是“讓你記得我的好”版主的帖子里德，反正我就郁悶了~~我再分析下先~

要是好版主來看下就好了。你可以給他發(fā)站內(nèi)短信請(qǐng)他看看。

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acbelpe
LV.6
21
2010-10-08 08:31
MOS開通VDS當(dāng)然很低了，相當(dāng)于對(duì)地短路，關(guān)斷時(shí)相當(dāng)于開路
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bode
LV.9
22
2010-10-08 10:01

你說法有誤哦~

反激式變壓器在mos開通的時(shí)候，MOS的DS端電壓為零，變壓器初級(jí)繞組的電壓，就是供電電壓Vin，可根據(jù)初級(jí)電壓回路的基爾霍夫電壓定律得出～

MOS關(guān)閉的時(shí)候，變壓器初級(jí)的電壓，就是反射電壓，為VO×N1/N2，MOS的DS端電壓為反射電壓與供電電壓之和～

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gaohq
LV.8
23
2010-10-08 10:47
@bode
你說法有誤哦~反激式變壓器在mos開通的時(shí)候，MOS的DS端電壓為零，變壓器初級(jí)繞組的電壓，就是供電電壓Vin，可根據(jù)初級(jí)電壓回路的基爾霍夫電壓定律得出～MOS關(guān)閉的時(shí)候，變壓器初級(jí)的電壓，就是反射電壓，為VO×N1/N2，MOS的DS端電壓為反射電壓與供電電壓之和～
對(duì)啊，這點(diǎn)倒給忘了。慚愧
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songxium
LV.7
24
2010-10-08 14:09
MOS就相當(dāng)一個(gè)開關(guān)，開關(guān)導(dǎo)通時(shí)上面的電壓為零，開關(guān)閉合式上面才有電壓。
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610860616
LV.5
25
2010-10-08 14:30
@心中有冰
兄弟，你這個(gè)問題說明你的初中物理基礎(chǔ)不牢MOSFET導(dǎo)通時(shí)，初級(jí)的電流有了通路，變壓器初級(jí)繞組開始儲(chǔ)能，那么MOSFET的Vds電壓其實(shí)等于流過MOSFET的電流乘上MOSFET的導(dǎo)通電阻，這個(gè)壓降很小。這個(gè)就是最簡(jiǎn)單的歐姆定理。MOSFET關(guān)斷時(shí)，如果忽略寄生參數(shù)與吸收電路的影響，可以認(rèn)為初級(jí)沒有電流流動(dòng)，那么此時(shí)MOSFET的Vds電壓等于兩個(gè)電壓（忽略漏感的反激電壓）的疊加，直流母線電壓+初級(jí)繞組的反激電壓（也叫做次級(jí)反射電壓）。這個(gè)是串聯(lián)電路電壓相加。 

MOS管導(dǎo)通之后 Vds相當(dāng)于短路  舉個(gè)例子你可以實(shí)驗(yàn)  但是要注意安全 用一根很粗導(dǎo)線直接短路在兩節(jié)1.5V的電池上 同時(shí)趕緊用萬用表測(cè)量一下電池的兩端 看看有沒有電壓 這個(gè)時(shí)候你又發(fā)現(xiàn)導(dǎo)線上面很燙 這就是能量轉(zhuǎn)換 只不過你把電能轉(zhuǎn)換成熱能  而MOS管導(dǎo)通之后將初級(jí)繞組直接并在整流后的大電容上    一個(gè)道理由于是電感 轉(zhuǎn)化成磁能 細(xì)節(jié)就不用多說  建議你多看看書 多把基礎(chǔ)搞好啊 

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