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再談圖騰柱驅動電路之一、之二、之三匯總

一、驅動電路之一 

            由于本人最近接觸才saber，仿真能力有限，本想仿真，但實在是由于有關saber的基礎東西還很多不會呢，所以只能請教大家了

 

1、問：

（1）在下面電路中，VCC的選擇和哪些因素有關系？VCC和后級的mos管的Vgs電壓相等嗎？

（2) NPN、PNP管子的選取的依據(jù)？三極管的電流Ic要滿足什么樣的條件才能驅動后端的mos？在下帖http://www.21dianyuan.com/bbs/2169.html

15樓 胡莊主 曾提到“

1）首先要確定的是你需要多少的驅動能力？要驅動的負載（一般可認為是功率管）有多少？以MOSFET為例，驅動其實就是對MOS的門級電容的充放電，這就要考慮你有幾個MOS并聯(lián)，門級電容有多大？MOS的Rg 有多大，加上驅動回路寄生電感等，其實就是一個LRC串聯(lián)回路。

2）驅動能力用個簡化的公式來算就是I=C*Du/Dt，MOS的門級電容先確定，再來考慮你準備要幾V的門級電壓，然后就是這個電壓建立和消除的時間，也就牽涉到MOS的開通關斷速度，這會直接影響到功率管的損耗及其它問題，如應力等。這幾個想好了，所要的驅動電流也就出來了。

3)得到這個所要的驅動電流，再考慮上驅動回路的一堆寄生參數(shù)等，也就可以推出你圖騰柱電路需提供多少驅動電流（注意這是個脈沖電流）?！?/span>

針對上邊的內容我有些疑問：

1、MOS屬于單級型電壓驅動器件，是柵極電壓來控制漏極電流的，如果從表面理解的話，是不是只要保證柵極的電壓達到Vgs就可以？和電流沒有關系？？    

2、MOS管的門極電容是怎么確定的？是下圖這些參數(shù)嗎？

 

 二、驅動電路之二

 

 問：1、圖中的C18的作用？二極管D是否有必要加？要加的話，起作用？

        2、R15、R16加與不加？

             R15、R16在一般電路中，是并接在mos的GS端，起消除Cgs累計電荷的作用，防止mos處于開始處于導通或者狀態(tài)不明確的情況。在這里，采用了，脈變驅動。變壓器繞組可以起到放電作用,所以即使不加GS電阻,在驅動沒有的情況下,管子也不會自己導通。

         請有經驗的朋友們，說下，在這個時候R15和R16加與不加？影響如何？

 三、驅動電路之三

 

 問：1、各電阻的作用？D1、D2的作用？

        2、Q1、Q3構成的圖騰柱與Q2、Q4構成的圖騰柱，為何相反？為什么用兩級？難道是為了增強驅動能力？

              Q1、Q3的選擇和Q2、Q4的選擇上是否不同？

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2010-09-01 12:17

lgdyl1983 看不到圖啊，你是不是直接從word上粘過來的？

要把圖存在電腦上 然后傳上來才行呢~

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sxjnice
LV.8
3
2010-09-01 13:11

最下面的那個totem有意思，為什么要那樣呢？

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2010-09-01 13:12
@sxjnice
最下面的那個totem有意思，為什么要那樣呢？

呵呵，因為這個現(xiàn)象很可能是直接粘過來引起的，問就是想確認下~

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2010-09-01 13:13

我來嘗試回答你：

第一個：

1，VCC就是你要的MOS的驅動電壓，和后面MOS的VGS只有很小的電壓差。

2，管子的選取依據(jù)，速度、電流一個都不能少。Ic的指標，特別是可重復峰值電流的指標，要大于VCC/R?這個值。當然還要注意功耗的問題。

3，你理解的沒錯，只要柵極電壓達到VGS就可以了，和電流沒有關系。但是因為你給柵極充電的過程中是需要電流的，這個電流的大小直接影響你的柵極電壓上升速度，也就是影響你的MOS的開通的速度，進而就是影響你的電源的工作頻率，所以，對這個電流還是有要求的。而且，MOS開關速度太慢，會產生很高的開關損耗。

4，門極電容就是Ciss，但是實際工作中，Crss也會影響開關速度。具體原因，你可以看水蜘蛛和sometimes大俠的帖子。

第二個：

我認為你圖中有錯誤。

1，C18是隔直電容。防止偏磁。但D的用法很奇怪。無法理解。可能要結合 整個電路的原理才能想的明白了。

2，R15，R16我認為加了更安全。但Z1，Z2用法有問題。你的兩個驅動是反相的，Z1，Z2互相箝位對方的電壓，是MOS柵極電壓都限制在很低的水平上。Z1、Z2應該是雙向TVS才對。

第三個：

1，各電阻的作用？這個就不說那么細了吧？三極管工作總要提供一些偏置啊、驅動啊，邏輯上也需要有上拉什么的。

D1是防止Q1、Q3自鎖的。D2是防止Q1、Q3共通的。

2，兩個圖騰為何要反相？這要問你，也許是功能上的需求要反相。為什么用兩級，因為要反相，所以要加一級反相。當然，驅動能力也增強了。

Q1、Q3的功率不用很大，能有效驅動后面一級就可以了。后一級的驅動就要看負載了。

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sxjnice
LV.8
6
2010-09-01 13:15
@電源網-娜娜姐
呵呵，因為這個現(xiàn)象很可能是直接粘過來引起的，問就是想確認下~
Nana主編，您誤會了，剛才說那話不是說您的，而是說LZ的，呵呵……后覺得不妥，我已經改了！
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2010-09-01 13:17
@sxjnice
Nana主編，您誤會了，剛才說那話不是說您的，而是說LZ的，呵呵……后覺得不妥，我已經改了！[圖片]
哦 嘿嘿~~
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lgdyl1983
LV.2
8
2010-09-01 13:32
@電源網-娜娜姐
lgdyl1983看不到圖啊，你是不是直接從word上粘過來的？要把圖存在電腦上然后傳上來才行呢~

你好，圖都看不到嗎？

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2010-09-01 13:36
@lgdyl1983
你好，圖都看不到嗎？
看到啦~~
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lgdyl1983
LV.2
10
2010-09-01 14:20
@讓你記得我的好
我來嘗試回答你：第一個：1，VCC就是你要的MOS的驅動電壓，和后面MOS的VGS只有很小的電壓差。2，管子的選取依據(jù)，速度、電流一個都不能少。Ic的指標，特別是可重復峰值電流的指標，要大于VCC/R?這個值。當然還要注意功耗的問題。3，你理解的沒錯，只要柵極電壓達到VGS就可以了，和電流沒有關系。但是因為你給柵極充電的過程中是需要電流的，這個電流的大小直接影響你的柵極電壓上升速度，也就是影響你的MOS的開通的速度，進而就是影響你的電源的工作頻率，所以，對這個電流還是有要求的。而且，MOS開關速度太慢，會產生很高的開關損耗。4，門極電容就是Ciss，但是實際工作中，Crss也會影響開關速度。具體原因，你可以看水蜘蛛和sometimes大俠的帖子。第二個：我認為你圖中有錯誤。1，C18是隔直電容。防止偏磁。但D的用法很奇怪。無法理解?？赡芤Y合整個電路的原理才能想的明白了。2，R15，R16我認為加了更安全。但Z1，Z2用法有問題。你的兩個驅動是反相的，Z1，Z2互相箝位對方的電壓，是MOS柵極電壓都限制在很低的水平上。Z1、Z2應該是雙向TVS才對。第三個：1，各電阻的作用？這個就不說那么細了吧？三極管工作總要提供一些偏置啊、驅動啊，邏輯上也需要有上拉什么的。D1是防止Q1、Q3自鎖的。D2是防止Q1、Q3共通的。2，兩個圖騰為何要反相？這要問你，也許是功能上的需求要反相。為什么用兩級，因為要反相，所以要加一級反相。當然，驅動能力也增強了。Q1、Q3的功率不用很大，能有效驅動后面一級就可以了。后一級的驅動就要看負載了。

你好,謝謝你的回答。我還想問你幾個問題：

1、圖騰柱可以增加驅動能力，我想問下，所謂的增加驅動能力，是在哪一方面增加了？電流？電壓？？兩級圖騰柱比一級圖騰柱驅動能力強表現(xiàn)在什么地方？電流or電壓？在圖騰柱中，三極管處于什么狀態(tài)？放大還是飽和導通？

2、能不能在稍詳細一點介紹D1如何防止自鎖，以及D2D2是如何防止Q1、Q3共通的？謝謝了

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2010-09-01 14:30
@lgdyl1983
你好,謝謝你的回答。我還想問你幾個問題：1、圖騰柱可以增加驅動能力，我想問下，所謂的增加驅動能力，是在哪一方面增加了？電流？電壓？？兩級圖騰柱比一級圖騰柱驅動能力強表現(xiàn)在什么地方？電流or電壓？在圖騰柱中，三極管處于什么狀態(tài)？放大還是飽和導通？2、能不能在稍詳細一點介紹D1如何防止自鎖，以及D2D2是如何防止Q1、Q3共通的？謝謝了

1，驅動能力一般都是指電流。因為驅動電壓一般都是12V~18V之間的。是受MOS的柵極耐壓限制的。兩級比一級強也是表現(xiàn)在驅動電流的能力上。圖騰柱中，三級管處于飽和導通。

2，如果沒有D1，電流會從VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND，流過，結果就是Q1和Q3同時都導通了。電流會和大。而損壞Q1，Q3。我上面說自鎖，應該不合適。

如果沒有D2，那么在PWM-A的信號處于過渡狀態(tài)的時候，比如6V，假如VCC是12V，那么，因為輸入信號有6V，那么Q3導通。因為輸入信號只有6V，所以Q1還無法關斷。那么Q1和Q3就共通了。

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fly
12
2010-09-01 16:04
@讓你記得我的好
我來嘗試回答你：第一個：1，VCC就是你要的MOS的驅動電壓，和后面MOS的VGS只有很小的電壓差。2，管子的選取依據(jù)，速度、電流一個都不能少。Ic的指標，特別是可重復峰值電流的指標，要大于VCC/R?這個值。當然還要注意功耗的問題。3，你理解的沒錯，只要柵極電壓達到VGS就可以了，和電流沒有關系。但是因為你給柵極充電的過程中是需要電流的，這個電流的大小直接影響你的柵極電壓上升速度，也就是影響你的MOS的開通的速度，進而就是影響你的電源的工作頻率，所以，對這個電流還是有要求的。而且，MOS開關速度太慢，會產生很高的開關損耗。4，門極電容就是Ciss，但是實際工作中，Crss也會影響開關速度。具體原因，你可以看水蜘蛛和sometimes大俠的帖子。第二個：我認為你圖中有錯誤。1，C18是隔直電容。防止偏磁。但D的用法很奇怪。無法理解?？赡芤Y合整個電路的原理才能想的明白了。2，R15，R16我認為加了更安全。但Z1，Z2用法有問題。你的兩個驅動是反相的，Z1，Z2互相箝位對方的電壓，是MOS柵極電壓都限制在很低的水平上。Z1、Z2應該是雙向TVS才對。第三個：1，各電阻的作用？這個就不說那么細了吧？三極管工作總要提供一些偏置啊、驅動啊，邏輯上也需要有上拉什么的。D1是防止Q1、Q3自鎖的。D2是防止Q1、Q3共通的。2，兩個圖騰為何要反相？這要問你，也許是功能上的需求要反相。為什么用兩級，因為要反相，所以要加一級反相。當然，驅動能力也增強了。Q1、Q3的功率不用很大，能有效驅動后面一級就可以了。后一級的驅動就要看負載了。

不錯，mark再慢慢看

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cheng111
LV.11
13
2010-09-01 18:53
@fly
不錯，mark再慢慢看

讓你記得我的好版主，強啊，頂一下....

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2011-04-21 14:26
@讓你記得我的好
1，驅動能力一般都是指電流。因為驅動電壓一般都是12V~18V之間的。是受MOS的柵極耐壓限制的。兩級比一級強也是表現(xiàn)在驅動電流的能力上。圖騰柱中，三級管處于飽和導通。2，如果沒有D1，電流會從VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND，流過，結果就是Q1和Q3同時都導通了。電流會和大。而損壞Q1，Q3。我上面說自鎖，應該不合適。如果沒有D2，那么在PWM-A的信號處于過渡狀態(tài)的時候，比如6V，假如VCC是12V，那么，因為輸入信號有6V，那么Q3導通。因為輸入信號只有6V，所以Q1還無法關斷。那么Q1和Q3就共通了。

請教一下，圖3 （LZ問題3）中Q3 如何導通，Q3的b極有TVS在，何時會有電壓？

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ope8363744
LV.2
15
2011-04-21 15:38
@讓你記得我的好
1，驅動能力一般都是指電流。因為驅動電壓一般都是12V~18V之間的。是受MOS的柵極耐壓限制的。兩級比一級強也是表現(xiàn)在驅動電流的能力上。圖騰柱中，三級管處于飽和導通。2，如果沒有D1，電流會從VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND，流過，結果就是Q1和Q3同時都導通了。電流會和大。而損壞Q1，Q3。我上面說自鎖，應該不合適。如果沒有D2，那么在PWM-A的信號處于過渡狀態(tài)的時候，比如6V，假如VCC是12V，那么，因為輸入信號有6V，那么Q3導通。因為輸入信號只有6V，所以Q1還無法關斷。那么Q1和Q3就共通了。

VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND應該是VCC->Q1E->Q1B->R3->D2->Q3B->Q3E->GND吧。

還有我想問下，如果把D1拿掉呢？

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2011-04-21 17:21
@讓你記得我的好
我來嘗試回答你：第一個：1，VCC就是你要的MOS的驅動電壓，和后面MOS的VGS只有很小的電壓差。2，管子的選取依據(jù)，速度、電流一個都不能少。Ic的指標，特別是可重復峰值電流的指標，要大于VCC/R?這個值。當然還要注意功耗的問題。3，你理解的沒錯，只要柵極電壓達到VGS就可以了，和電流沒有關系。但是因為你給柵極充電的過程中是需要電流的，這個電流的大小直接影響你的柵極電壓上升速度，也就是影響你的MOS的開通的速度，進而就是影響你的電源的工作頻率，所以，對這個電流還是有要求的。而且，MOS開關速度太慢，會產生很高的開關損耗。4，門極電容就是Ciss，但是實際工作中，Crss也會影響開關速度。具體原因，你可以看水蜘蛛和sometimes大俠的帖子。第二個：我認為你圖中有錯誤。1，C18是隔直電容。防止偏磁。但D的用法很奇怪。無法理解?？赡芤Y合整個電路的原理才能想的明白了。2，R15，R16我認為加了更安全。但Z1，Z2用法有問題。你的兩個驅動是反相的，Z1，Z2互相箝位對方的電壓，是MOS柵極電壓都限制在很低的水平上。Z1、Z2應該是雙向TVS才對。第三個：1，各電阻的作用？這個就不說那么細了吧？三極管工作總要提供一些偏置啊、驅動啊，邏輯上也需要有上拉什么的。D1是防止Q1、Q3自鎖的。D2是防止Q1、Q3共通的。2，兩個圖騰為何要反相？這要問你，也許是功能上的需求要反相。為什么用兩級，因為要反相，所以要加一級反相。當然，驅動能力也增強了。Q1、Q3的功率不用很大，能有效驅動后面一級就可以了。后一級的驅動就要看負載了。

補充一下  能具體解釋一下這個圖的工作過程么  謝謝?。。?！

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zhijian1024
LV.6
17
2011-04-22 11:48
@ope8363744
VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND應該是VCC->Q1E->Q1B->R3->D2->Q3B->Q3E->GND吧。還有我想問下，如果把D1拿掉呢？

拿掉D1，就會跟好版所說的Q1、Q3共通了！

D1的作用是防止Q1、Q3共通，D2的作用是讓Q3導通拉低驅動輸出端的電壓。

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2011-04-22 12:31
@讓你記得我的好
我來嘗試回答你：第一個：1，VCC就是你要的MOS的驅動電壓，和后面MOS的VGS只有很小的電壓差。2，管子的選取依據(jù)，速度、電流一個都不能少。Ic的指標，特別是可重復峰值電流的指標，要大于VCC/R?這個值。當然還要注意功耗的問題。3，你理解的沒錯，只要柵極電壓達到VGS就可以了，和電流沒有關系。但是因為你給柵極充電的過程中是需要電流的，這個電流的大小直接影響你的柵極電壓上升速度，也就是影響你的MOS的開通的速度，進而就是影響你的電源的工作頻率，所以，對這個電流還是有要求的。而且，MOS開關速度太慢，會產生很高的開關損耗。4，門極電容就是Ciss，但是實際工作中，Crss也會影響開關速度。具體原因，你可以看水蜘蛛和sometimes大俠的帖子。第二個：我認為你圖中有錯誤。1，C18是隔直電容。防止偏磁。但D的用法很奇怪。無法理解?？赡芤Y合整個電路的原理才能想的明白了。2，R15，R16我認為加了更安全。但Z1，Z2用法有問題。你的兩個驅動是反相的，Z1，Z2互相箝位對方的電壓，是MOS柵極電壓都限制在很低的水平上。Z1、Z2應該是雙向TVS才對。第三個：1，各電阻的作用？這個就不說那么細了吧？三極管工作總要提供一些偏置啊、驅動啊，邏輯上也需要有上拉什么的。D1是防止Q1、Q3自鎖的。D2是防止Q1、Q3共通的。2，兩個圖騰為何要反相？這要問你，也許是功能上的需求要反相。為什么用兩級，因為要反相，所以要加一級反相。當然，驅動能力也增強了。Q1、Q3的功率不用很大，能有效驅動后面一級就可以了。后一級的驅動就要看負載了。

好老師，

我認為你的第一個問題回答的不對吧？

因為他沒有給出驅動電壓，也就是圖騰三級管的基極電壓。

當驅動電壓高于VCC時，VGS才約等于VCC；

當驅動電壓低于VCC時，VGS會受驅動電壓的限制，即為驅動電壓 -0.7V

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zhijian1024
LV.6
19
2011-04-22 14:45
@javike
好老師，我認為你的第一個問題回答的不對吧？因為他沒有給出驅動電壓，也就是圖騰三級管的基極電壓。當驅動電壓高于VCC時，VGS才約等于VCC；當驅動電壓低于VCC時，VGS會受驅動電壓的限制，即為驅動電壓-0.7V

好版說的沒錯，上管的輸出是射隨，不是飽和輸出，VGS=Vb-Vbe.

下管沒接負壓，VGS不會為負壓。

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2011-04-22 15:06
@zhijian1024
好版說的沒錯，上管的輸出是射隨，不是飽和輸出，VGS=Vb-Vbe.下管沒接負壓，VGS不會為負壓。

沒看懂你說的什么？

前面說好版對，后面又好像是和我的分析一樣。

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2011-04-22 15:55
@javike
好老師，我認為你的第一個問題回答的不對吧？因為他沒有給出驅動電壓，也就是圖騰三級管的基極電壓。當驅動電壓高于VCC時，VGS才約等于VCC；當驅動電壓低于VCC時，VGS會受驅動電壓的限制，即為驅動電壓-0.7V

嗯，是我回答的不夠仔細。謝謝補充。

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zhijian1024
LV.6
22
2011-04-22 17:08
@javike
沒看懂你說的什么？[圖片]前面說好版對，后面又好像是和我的分析一樣。
Sorry！您的思考比我全面多了！
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2011-04-25 11:15
@ope8363744
VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND應該是VCC->Q1E->Q1B->R3->D2->Q3B->Q3E->GND吧。還有我想問下，如果把D1拿掉呢？
VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND 這可能么？電流會從E-B-B極電阻？？
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zhijian1024
LV.6
24
2011-04-25 11:26
@zhanghaipeng
VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND這可能么？電流會從E-B-B極電阻？？

電路正常時，D2正極對地電壓是8.1V；

拿掉D1后，Q1的E極對PWM-A輸入端有3.9V電壓差，Q1的BE極與Q3的BE極會不會導通？

拿掉D1后的結果是Q1與Q3的BE會同時導通，當然Q1與Q3這時也就是共通了。

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2011-08-20 15:52
@讓你記得我的好
嗯，是我回答的不夠仔細。謝謝補充。
頂一下。
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jianyedin
LV.9
26
2011-08-20 22:28
@讓你記得我的好
嗯，是我回答的不夠仔細。謝謝補充。
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bumper_163
LV.7
27
2011-08-21 09:34
@讓你記得我的好
1，驅動能力一般都是指電流。因為驅動電壓一般都是12V~18V之間的。是受MOS的柵極耐壓限制的。兩級比一級強也是表現(xiàn)在驅動電流的能力上。圖騰柱中，三級管處于飽和導通。2，如果沒有D1，電流會從VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND，流過，結果就是Q1和Q3同時都導通了。電流會和大。而損壞Q1，Q3。我上面說自鎖，應該不合適。如果沒有D2，那么在PWM-A的信號處于過渡狀態(tài)的時候，比如6V，假如VCC是12V，那么，因為輸入信號有6V，那么Q3導通。因為輸入信號只有6V，所以Q1還無法關斷。那么Q1和Q3就共通了。
，不錯啊
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2011-08-21 21:14
@讓你記得我的好
我來嘗試回答你：第一個：1，VCC就是你要的MOS的驅動電壓，和后面MOS的VGS只有很小的電壓差。2，管子的選取依據(jù)，速度、電流一個都不能少。Ic的指標，特別是可重復峰值電流的指標，要大于VCC/R?這個值。當然還要注意功耗的問題。3，你理解的沒錯，只要柵極電壓達到VGS就可以了，和電流沒有關系。但是因為你給柵極充電的過程中是需要電流的，這個電流的大小直接影響你的柵極電壓上升速度，也就是影響你的MOS的開通的速度，進而就是影響你的電源的工作頻率，所以，對這個電流還是有要求的。而且，MOS開關速度太慢，會產生很高的開關損耗。4，門極電容就是Ciss，但是實際工作中，Crss也會影響開關速度。具體原因，你可以看水蜘蛛和sometimes大俠的帖子。第二個：我認為你圖中有錯誤。1，C18是隔直電容。防止偏磁。但D的用法很奇怪。無法理解?？赡芤Y合整個電路的原理才能想的明白了。2，R15，R16我認為加了更安全。但Z1，Z2用法有問題。你的兩個驅動是反相的，Z1，Z2互相箝位對方的電壓，是MOS柵極電壓都限制在很低的水平上。Z1、Z2應該是雙向TVS才對。第三個：1，各電阻的作用？這個就不說那么細了吧？三極管工作總要提供一些偏置啊、驅動啊，邏輯上也需要有上拉什么的。D1是防止Q1、Q3自鎖的。D2是防止Q1、Q3共通的。2，兩個圖騰為何要反相？這要問你，也許是功能上的需求要反相。為什么用兩級，因為要反相，所以要加一級反相。當然，驅動能力也增強了。Q1、Q3的功率不用很大，能有效驅動后面一級就可以了。后一級的驅動就要看負載了。
如果不要C18，出現(xiàn)偏磁對驅動信號有什么影響
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cheng111
LV.11
29
2011-08-22 10:01
@jianyedin
[圖片]
繼續(xù)飄過
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2011-08-22 13:17
@zhijian1024
電路正常時，D2正極對地電壓是8.1V；拿掉D1后，Q1的E極對PWM-A輸入端有3.9V電壓差，Q1的BE極與Q3的BE極會不會導通？拿掉D1后的結果是Q1與Q3的BE會同時導通，當然Q1與Q3這時也就是共通了。

，頂起~~~

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2011-08-22 15:19
@liuhuaqiang1118
如果不要C18，出現(xiàn)偏磁對驅動信號有什么影響
我也自己頂下
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