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詢問(wèn):RCD正激電路的Mosfet電壓應(yīng)力Vds計(jì)算

公式1:VDS=Uin+VSN+Vspike   VSN=Uin*D/(1-D), Vspike是漏感引起的尖峰電壓

這個(gè)公式的是按照變壓器伏秒平衡所得的,正向磁化Uin*D等于反向磁化VSN*(1-D),但是,反向磁化的時(shí)間一定等于(1-D)*T嗎?實(shí)際在下一個(gè)周期Mosfet開(kāi)通前就已經(jīng)達(dá)到伏秒平衡了,那實(shí)際的反向磁化時(shí)間是小于(1-D)*T的。那上式中的VSN只是維持伏秒平衡所需的最小鉗位電壓。實(shí)際鉗位電壓如何計(jì)算呢?

 

公式2:VDS=2*Vin+Vspike

開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí),變壓器原邊線圈電壓極性反轉(zhuǎn),且反轉(zhuǎn)后電壓不變。實(shí)際測(cè)量的波形似乎與此一致。

疑問(wèn):為什么變壓器極性反轉(zhuǎn)后,電壓值不變?條件是什么?

 

非常感謝有朋友能幫助解答。

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cheng111
LV.11
2
2010-08-23 12:29

正激的與反激是的不同,VDS應(yīng)該是與輸出端無(wú)關(guān)的。輸出繞著的電壓是由輸入電壓決定,當(dāng)關(guān)斷是,繞組感應(yīng)出相同的反向電壓值。所以公式二實(shí)用。

在反激式中,開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),繞組兩端的電壓必須是穩(wěn)定的(電壓值由輸出端穩(wěn)壓電路決定)。然后經(jīng)過(guò)變壓器映射到初級(jí)繞組,再加上輸入電壓與漏感尖峰值。

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2010-08-23 15:11
@cheng111
正激的與反激是的不同,VDS應(yīng)該是與輸出端無(wú)關(guān)的。輸出繞著的電壓是由輸入電壓決定,當(dāng)關(guān)斷是,繞組感應(yīng)出相同的反向電壓值。所以公式二實(shí)用。在反激式中,開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),繞組兩端的電壓必須是穩(wěn)定的(電壓值由輸出端穩(wěn)壓電路決定)。然后經(jīng)過(guò)變壓器映射到初級(jí)繞組,再加上輸入電壓與漏感尖峰值。

謝謝回復(fù)。

公式1中沒(méi)有用到輸出來(lái)計(jì)算,只是用變壓器伏秒平衡計(jì)算的。

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2010-08-23 18:11
@戎馬書(shū)生
謝謝回復(fù)。公式1中沒(méi)有用到輸出來(lái)計(jì)算,只是用變壓器伏秒平衡計(jì)算的。

正激與反激不一樣,正激MOSFET關(guān)閉時(shí),次級(jí)整流管也是關(guān)閉的,所以次級(jí)電壓不能反射到初級(jí)來(lái),所以應(yīng)該不能用輸出電壓來(lái)計(jì)算的

供參考

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2010-08-26 10:51
@cheng111
正激的與反激是的不同,VDS應(yīng)該是與輸出端無(wú)關(guān)的。輸出繞著的電壓是由輸入電壓決定,當(dāng)關(guān)斷是,繞組感應(yīng)出相同的反向電壓值。所以公式二實(shí)用。在反激式中,開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),繞組兩端的電壓必須是穩(wěn)定的(電壓值由輸出端穩(wěn)壓電路決定)。然后經(jīng)過(guò)變壓器映射到初級(jí)繞組,再加上輸入電壓與漏感尖峰值。

對(duì)公式2還有疑問(wèn): VDS=2*Vin+Vspike

為什么開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí),變壓器原邊線圈電壓極性反轉(zhuǎn)后電壓不變?怎么計(jì)算出來(lái)的?

盼望高手解答

 

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2010-08-26 15:22
@戎馬書(shū)生
對(duì)公式2還有疑問(wèn):VDS=2*Vin+Vspike為什么開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí),變壓器原邊線圈電壓極性反轉(zhuǎn)后電壓不變?怎么計(jì)算出來(lái)的?盼望高手解答 

沒(méi)人回應(yīng),說(shuō)下自己的理解。

Mosfet導(dǎo)通時(shí),變壓器磁通密度由0升到Bm,電壓為上正下負(fù)。

在Mosfet關(guān)斷瞬間,Bm維持不變,根據(jù)楞次定律,變壓器一次側(cè)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)要阻止磁通密度的減小,所以變壓器的一次側(cè)電壓為下負(fù)上正。但是此時(shí),變壓器一次側(cè)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小是如何計(jì)算的?

根據(jù)法拉利定律:V'=N1*Ae*dB/dt,但磁通密度下降的斜率又是怎么確定的呢?

哪位朋友可以幫忙解答一下,不勝感激!

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cheng111
LV.11
7
2010-08-26 15:37
@戎馬書(shū)生
沒(méi)人回應(yīng),說(shuō)下自己的理解。Mosfet導(dǎo)通時(shí),變壓器磁通密度由0升到Bm,電壓為上正下負(fù)。在Mosfet關(guān)斷瞬間,Bm維持不變,根據(jù)楞次定律,變壓器一次側(cè)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)要阻止磁通密度的減小,所以變壓器的一次側(cè)電壓為下負(fù)上正。但是此時(shí),變壓器一次側(cè)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小是如何計(jì)算的?根據(jù)法拉利定律:V'=N1*Ae*dB/dt,但磁通密度下降的斜率又是怎么確定的呢?哪位朋友可以幫忙解答一下,不勝感激!

恩,就是法拉利.....在正激中就是這樣的....前提是正激哦

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2010-08-27 13:16
@cheng111
恩,就是法拉利.....在正激中就是這樣的....前提是正激哦
但是RCD正激磁復(fù)位過(guò)程中,dB/dt又是由什么決定的呢?
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2011-07-26 23:36
@心中有冰
正激與反激不一樣,正激MOSFET關(guān)閉時(shí),次級(jí)整流管也是關(guān)閉的,所以次級(jí)電壓不能反射到初級(jí)來(lái),所以應(yīng)該不能用輸出電壓來(lái)計(jì)算的供參考
我剛開(kāi)始接觸開(kāi)關(guān)電源,想問(wèn)下 單端正激式電路的那個(gè)續(xù)流二極管的電壓應(yīng)力是怎么計(jì)算的啊,是不是跟占空比有一定的關(guān)系啊,謝謝!
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15981904753
LV.5
10
2013-08-13 17:39
@戎馬書(shū)生
但是RCD正激磁復(fù)位過(guò)程中,dB/dt又是由什么決定的呢?

有同樣的問(wèn)題,,希望樓主繼續(xù)深究,,,

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