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郁悶中啊！電路老是炸機，有圖

  此方案老是炸機，有點開機就炸 有的老化6個小時沒事，結(jié)果第二天老化45分鐘炸，兩個小時炸。。。炸33262，100UF電容，IRFR420三個腳全擊穿短路，等測了下驅(qū)動波形，與VDS波形都很好，就是測取樣電阻1.2R的電壓波形，開與關(guān)尖峰比較大，P-P都1.7V了
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P200818
LV.5
2
2010-07-16 17:38
 
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2010-07-16 17:43
@P200818
[圖片] 
MOS的gate腳加一個10K的電阻到地。
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2010-07-16 17:44
@P200818
[圖片] 
1.2R 也不能直接到IC的4Pin上，需要加RC。
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P200818
LV.5
5
2010-07-16 17:45
@謝厚林
MOS的gate腳加一個10K的電阻到地。

關(guān)斷時快速放電？

 

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P200818
LV.5
6
2010-07-16 17:46
@謝厚林
1.2R也不能直接到IC的4Pin上，需要加RC。
我有加過RC。效果不明顯
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P200818
LV.5
7
2010-07-16 17:46
@P200818
我有加過RC。效果不明顯
不知炸機的直接原因是不是在這個開關(guān)尖峰上。
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P200818
LV.5
8
2010-07-16 17:47
@謝厚林
1.2R也不能直接到IC的4Pin上，需要加RC。

R=1K C=201

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2010-07-16 17:49
@P200818
[圖片] 
 
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2010-07-16 17:50
@謝厚林
[圖片] 
 
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P200818
LV.5
11
2010-07-16 17:52
@謝厚林
[圖片] 

這個炸機直接原因會不會是因為這個呢？

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2010-07-16 18:01
@P200818
這個炸機直接原因會不會是因為這個呢？
大哥，會不會是炸機的原因，看你的了，我們還等你的實驗結(jié)果呢。
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2010-07-16 18:08
@P200818
關(guān)斷時快速放電？ 
不是的。上電瞬間，IC還沒有工作，驅(qū)動端可能還是高阻態(tài)。因為MOS管存在miller電容，上電時通過miller電容給柵極充電，可能會導(dǎo)致MOS誤開通，如果沒有電阻給柵極放電的話，MOS會一直導(dǎo)通，最后爆掉。有了GS電阻，可以給柵極放電，就避免了這個悲劇的發(fā)生。
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2010-07-16 18:09
@P200818
這個炸機直接原因會不會是因為這個呢？
很可能是MOS的GS間沒有并電阻的緣故。
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P200818
LV.5
15
2010-07-16 18:46
@讓你記得我的好
很可能是MOS的GS間沒有并電阻的緣故。

現(xiàn)在我們是紙上談兵嘛，分析有可能發(fā)生的情況撒，100個老化了那么久炸掉3個，所以實驗不是簡單的事啊，幾個看不出效果。

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new5
LV.1
16
2010-07-16 20:12
@P200818
[圖片] 

驅(qū)動10R稍小，應(yīng)為50R左右并加接10K電阻于ＧＳ端，炸機的機率可降到０.１%以下

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52football
LV.5
17
2010-07-16 21:20
@P200818
[圖片] 

1、加?xùn)艠O電阻；

2、vcc加穩(wěn)壓；

3、布線好像也不是很好；

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P200818
LV.5
18
2010-07-17 11:35
@52football
1、加?xùn)艠O電阻；2、vcc加穩(wěn)壓；3、布線好像也不是很好；
剛才有把驅(qū)動電阻改為50R,接地10K，RC為350R，470PF，取樣電阻的電壓波形還是不見好轉(zhuǎn)，在輸入170V時尖峰比較小，P-P只有1.02V.到了220V就有點大了，P-P都1.78了最大值才800MV左右。
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P200818
LV.5
19
2010-07-17 11:38
@P200818
剛才有把驅(qū)動電阻改為50R,接地10K，RC為350R，470PF，取樣電阻的電壓波形還是不見好轉(zhuǎn)，在輸入170V時尖峰比較小，P-P只有1.02V.到了220V就有點大了，P-P都1.78了最大值才800MV左右。
示波器在高頻抑制下，200MV,2.5US,觸發(fā)16MV時P-P  1.02V,200MV觸發(fā)時P-P1.68V,低頻抑制時，觸發(fā)680MV,P-P也是1.68V。
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tercelzhang
LV.4
20
2010-07-17 12:42
@P200818
示波器在高頻抑制下，200MV,2.5US,觸發(fā)16MV時P-P 1.02V,200MV觸發(fā)時P-P1.68V,低頻抑制時，觸發(fā)680MV,P-P也是1.68V。
我以前用NCP1200做電源時, R,C 中的C取值太大也會燒MOSFET. 看看吧.
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2010-07-17 13:06
@P200818
剛才有把驅(qū)動電阻改為50R,接地10K，RC為350R，470PF，取樣電阻的電壓波形還是不見好轉(zhuǎn)，在輸入170V時尖峰比較小，P-P只有1.02V.到了220V就有點大了，P-P都1.78了最大值才800MV左右。

我覺得你的這個布局安排的有點問題。。。。。。

那么多信號線都從功率電感下面穿過來，這樣當然干擾大啦。

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P200818
LV.5
22
2010-07-17 14:00
@讓你記得我的好
我覺得你的這個布局安排的有點問題。。。。。。那么多信號線都從功率電感下面穿過來，這樣當然干擾大啦。
這個是PFC電感，我看了好多都這樣，有點干脆用貼片33262直接在電感下面，照樣沒事，問題是炸機不是全部，所以改了之后，雖然波形沒什么改善，不知炸機情況能不能改善。
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P200818
LV.5
23
2010-07-17 14:27
@P200818
這個是PFC電感，我看了好多都這樣，有點干脆用貼片33262直接在電感下面，照樣沒事，問題是炸機不是全部，所以改了之后，雖然波形沒什么改善，不知炸機情況能不能改善。
這個是28W的。1.5R取樣電阻是不是小了點，電流檢測峰值電壓固定在1.5V，我的峰峰值有時都1.8V啦。
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P200818
LV.5
24
2010-07-17 18:14
@P200818
這個是28W的。1.5R取樣電阻是不是小了點，電流檢測峰值電壓固定在1.5V，我的峰峰值有時都1.8V啦。

驅(qū)動電阻10R也炸的稀爛。

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貼片機
LV.8
25
2010-07-17 18:31
@P200818
[圖片] 
會不會是先炸的100uF電容,進而33262供電不正常,導(dǎo)致MOS 門極電壓不正常,炸管....進而...
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2010-07-17 18:41
@貼片機
會不會是先炸的100uF電容,進而33262供電不正常,導(dǎo)致MOS門極電壓不正常,炸管....進而...

有道理哦，一般PFC功率管炸、IC炸，都不會影響到后面的電解電容。要是電解電容短路了，輸出就沒有電壓了，PFC電感在一兩個周期內(nèi)就會飽和。然后MOS炸。。。。。。。一路炸下去。

不過，這種CRM模式的電路，假如電解電容短路了，電感退不了磁，零電流檢測不到電流過零信號，MOS還會再次開通嗎？這是個疑問。

建議樓主測量一下電解電容的溫度和溫升。

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zero3210
LV.7
27
2010-07-17 23:01
@讓你記得我的好
有道理哦，一般PFC功率管炸、IC炸，都不會影響到后面的電解電容。要是電解電容短路了，輸出就沒有電壓了，PFC電感在一兩個周期內(nèi)就會飽和。然后MOS炸。。。。。。。一路炸下去。不過，這種CRM模式的電路，假如電解電容短路了，電感退不了磁，零電流檢測不到電流過零信號，MOS還會再次開通嗎？這是個疑問。建議樓主測量一下電解電容的溫度和溫升。
不錯
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52football
LV.5
28
2010-07-19 01:15
@讓你記得我的好
有道理哦，一般PFC功率管炸、IC炸，都不會影響到后面的電解電容。要是電解電容短路了，輸出就沒有電壓了，PFC電感在一兩個周期內(nèi)就會飽和。然后MOS炸。。。。。。。一路炸下去。不過，這種CRM模式的電路，假如電解電容短路了，電感退不了磁，零電流檢測不到電流過零信號，MOS還會再次開通嗎？這是個疑問。建議樓主測量一下電解電容的溫度和溫升。

此話差矣，如果輸出電容電路的話，那么電源的保護電路應(yīng)該會起作用，除非你的輸出二極管也擊穿了。

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P200818
LV.5
29
2010-07-19 08:22
@52football
此話差矣，如果輸出電容電路的話，那么電源的保護電路應(yīng)該會起作用，除非你的輸出二極管也擊穿了。

電解電容是332262供電的去耦電容，它的溫度溫升都正常。

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P200818
LV.5
30
2010-07-19 10:27
@讓你記得我的好
有道理哦，一般PFC功率管炸、IC炸，都不會影響到后面的電解電容。要是電解電容短路了，輸出就沒有電壓了，PFC電感在一兩個周期內(nèi)就會飽和。然后MOS炸。。。。。。。一路炸下去。不過，這種CRM模式的電路，假如電解電容短路了，電感退不了磁，零電流檢測不到電流過零信號，MOS還會再次開通嗎？這是個疑問。建議樓主測量一下電解電容的溫度和溫升。
有的還是冷機開機就炸。
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