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開關(guān)電源的輸出短路保護(hù)

我做了一個(gè)反擊式電源,加載,把輸出短路后,輸入的電流增加了一點(diǎn)點(diǎn),同時(shí)PWM的波形,幅度變小,大概10V,脈寬變窄,比空載的寬了一點(diǎn),請問各位大俠,這種情況短路保護(hù)起作用了嗎,如果沒保護(hù),該如何處理,問題在哪
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2010-07-14 08:54

“把輸出短路后,輸入的電流增加了一點(diǎn)點(diǎn)”

這個(gè)增加是相對于滿載的時(shí)候,還是相對于空載的時(shí)候?

如果是相對于空載的時(shí)候,那么保護(hù)電路起作用了。

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qfmike
LV.4
3
2010-07-14 13:33
@讓你記得我的好
“把輸出短路后,輸入的電流增加了一點(diǎn)點(diǎn)”這個(gè)增加是相對于滿載的時(shí)候,還是相對于空載的時(shí)候?如果是相對于空載的時(shí)候,那么保護(hù)電路起作用了。
在滿載的時(shí)候,輸出短路,輸入電流增加了一點(diǎn)
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2010-07-14 13:42
@qfmike
在滿載的時(shí)候,輸出短路,輸入電流增加了一點(diǎn)
如果短路的時(shí)候,輸入電流比滿載電流還大。那么短路保護(hù)電路沒有發(fā)揮作用。
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qfmike
LV.4
5
2010-07-14 14:30
@讓你記得我的好
如果短路的時(shí)候,輸入電流比滿載電流還大。那么短路保護(hù)電路沒有發(fā)揮作用。
您認(rèn)為主要是什么原因呢,怎么調(diào)整
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2010-07-14 14:39
@qfmike
您認(rèn)為主要是什么原因呢,怎么調(diào)整
你先把你的電路圖貼上來,才好給你建議啊
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2010-07-14 14:58
@讓你記得我的好
你先把你的電路圖貼上來,才好給你建議啊
對,貼圖...
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qfmike
LV.4
8
2010-07-14 15:20
@貼片機(jī)
對,貼圖...

 請指點(diǎn)

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2010-07-14 15:32
@qfmike
[圖片] 請指點(diǎn)

沒有看見你設(shè)置了輸出短路保護(hù)電路啊?

你就是用3843本身的峰值電流保護(hù)的吧?這樣子保護(hù)的話,你的MOS管會(huì)很熱的吧,輸入電流居然比滿載時(shí)還大一點(diǎn)點(diǎn),那么這些輸入的能量去哪里了呢?

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qfmike
LV.4
10
2010-07-14 15:50
@讓你記得我的好
沒有看見你設(shè)置了輸出短路保護(hù)電路?。磕憔褪怯?843本身的峰值電流保護(hù)的吧?這樣子保護(hù)的話,你的MOS管會(huì)很熱的吧,輸入電流居然比滿載時(shí)還大一點(diǎn)點(diǎn),那么這些輸入的能量去哪里了呢?
是用峰值電流控制的,沒有短路保護(hù)電路,應(yīng)該以熱能散發(fā)出去了
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2010-07-14 16:20
@qfmike
是用峰值電流控制的,沒有短路保護(hù)電路,應(yīng)該以熱能散發(fā)出去了

如果是帶負(fù)載的話,功率主要是消耗在負(fù)載上。

但短路后,負(fù)載是不消耗能量的。那么能量主要消耗在哪個(gè)或哪幾個(gè)元件上呢?要檢查一下哦,當(dāng)心長時(shí)間短路燒機(jī)!

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qfmike
LV.4
12
2010-07-14 16:24
@讓你記得我的好
如果是帶負(fù)載的話,功率主要是消耗在負(fù)載上。但短路后,負(fù)載是不消耗能量的。那么能量主要消耗在哪個(gè)或哪幾個(gè)元件上呢?要檢查一下哦,當(dāng)心長時(shí)間短路燒機(jī)!

主要MOS,和采樣電阻,如果不加短路保護(hù)電路,有什么辦法能改善嗎

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2010-07-14 16:41
@qfmike
主要MOS,和采樣電阻,如果不加短路保護(hù)電路,有什么辦法能改善嗎

我個(gè)人觀點(diǎn),你把R17阻值加大,加大到在最低輸入電壓下,能保證電路能啟動(dòng)。

把C30容量降低,比如47uF可不可以?甚至更低。

這樣應(yīng)該會(huì)有些幫助的。

主要思路就是,輸出短路時(shí),每路繞組輸出電壓都是零。3843靠C30能量維持工作。而C30電壓跌到3843欠壓保護(hù)點(diǎn)以后,電路停止工作。高壓母線通過R17給C30充電,讓3843再次開始工作,然后再次保護(hù)。那么降低C30容量,可以減少短路后,3843工作的時(shí)間。而增大R17,可以延長3843再次啟動(dòng)的時(shí)間。那么就可以減小短路時(shí)的功耗了。

但是加大R17阻值后,電源從接通輸入電源,到開始工作這段時(shí)間會(huì)比以前長一些。不知道你是否能接受。

等你的實(shí)驗(yàn)結(jié)果哦!

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qfmike
LV.4
14
2010-07-14 16:46
@讓你記得我的好
我個(gè)人觀點(diǎn),你把R17阻值加大,加大到在最低輸入電壓下,能保證電路能啟動(dòng)。把C30容量降低,比如47uF可不可以?甚至更低。這樣應(yīng)該會(huì)有些幫助的。主要思路就是,輸出短路時(shí),每路繞組輸出電壓都是零。3843靠C30能量維持工作。而C30電壓跌到3843欠壓保護(hù)點(diǎn)以后,電路停止工作。高壓母線通過R17給C30充電,讓3843再次開始工作,然后再次保護(hù)。那么降低C30容量,可以減少短路后,3843工作的時(shí)間。而增大R17,可以延長3843再次啟動(dòng)的時(shí)間。那么就可以減小短路時(shí)的功耗了。但是加大R17阻值后,電源從接通輸入電源,到開始工作這段時(shí)間會(huì)比以前長一些。不知道你是否能接受。等你的實(shí)驗(yàn)結(jié)果哦!
有道理,這個(gè)想法曾經(jīng)有過念頭,謝謝
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2010-07-14 17:41
@qfmike
有道理,這個(gè)想法曾經(jīng)有過念頭,謝謝
不用客氣,希望你能把修改后的實(shí)驗(yàn)結(jié)果到這里說一下,讓我們大家都能學(xué)到知識(shí)。
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2010-07-14 17:46
@讓你記得我的好
我個(gè)人觀點(diǎn),你把R17阻值加大,加大到在最低輸入電壓下,能保證電路能啟動(dòng)。把C30容量降低,比如47uF可不可以?甚至更低。這樣應(yīng)該會(huì)有些幫助的。主要思路就是,輸出短路時(shí),每路繞組輸出電壓都是零。3843靠C30能量維持工作。而C30電壓跌到3843欠壓保護(hù)點(diǎn)以后,電路停止工作。高壓母線通過R17給C30充電,讓3843再次開始工作,然后再次保護(hù)。那么降低C30容量,可以減少短路后,3843工作的時(shí)間。而增大R17,可以延長3843再次啟動(dòng)的時(shí)間。那么就可以減小短路時(shí)的功耗了。但是加大R17阻值后,電源從接通輸入電源,到開始工作這段時(shí)間會(huì)比以前長一些。不知道你是否能接受。等你的實(shí)驗(yàn)結(jié)果哦!
對,R17用10K是有點(diǎn)小了,有100K左右差不多.R2也可以適當(dāng)調(diào)整一下...實(shí)現(xiàn)打咯式短路保護(hù)...
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qfmike
LV.4
17
2010-07-15 09:01
@貼片機(jī)
對,R17用10K是有點(diǎn)小了,有100K左右差不多.R2也可以適當(dāng)調(diào)整一下...實(shí)現(xiàn)打咯式短路保護(hù)...
 謝謝啊,確實(shí)保護(hù)了,因?yàn)檩斎腚娏飨陆盗?,而且是跳變,PWM在跳變。其實(shí)我是想用可控硅做一個(gè)過壓保護(hù),就是過壓后使可控硅導(dǎo)通,變成短路保護(hù),現(xiàn)在似乎也可以了,只是可控硅發(fā)燙,再請指點(diǎn)一下,謝謝
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qfmike
LV.4
18
2010-07-15 09:07
@qfmike
[圖片] 謝謝啊,確實(shí)保護(hù)了,因?yàn)檩斎腚娏飨陆盗?,而且是跳變,PWM在跳變。其實(shí)我是想用可控硅做一個(gè)過壓保護(hù),就是過壓后使可控硅導(dǎo)通,變成短路保護(hù),現(xiàn)在似乎也可以了,只是可控硅發(fā)燙,再請指點(diǎn)一下,謝謝
我把R32對地并了一個(gè)1K的電阻,做過壓保護(hù),大約10多分鐘了可控硅到現(xiàn)在還沒壞,沒改之前,可控硅一會(huì)就冒煙了
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2010-07-15 11:12
@qfmike
[圖片] 謝謝啊,確實(shí)保護(hù)了,因?yàn)檩斎腚娏飨陆盗?,而且是跳變,PWM在跳變。其實(shí)我是想用可控硅做一個(gè)過壓保護(hù),就是過壓后使可控硅導(dǎo)通,變成短路保護(hù),現(xiàn)在似乎也可以了,只是可控硅發(fā)燙,再請指點(diǎn)一下,謝謝

過壓保護(hù)的話,不知道你對過壓保護(hù)的精度要求高不高?從你的圖上來看,你是用穩(wěn)壓管來做保護(hù)判斷的,應(yīng)該精度不高的。

如果想比較可靠而有沒有大的損耗的保護(hù),可以考慮再加一路光耦,那樣是最可靠,功耗也是最小的保護(hù)方式了。

還有,如果保護(hù)精度不是很高,也可以考慮從原邊采樣保護(hù)。因?yàn)榉醇ぴ吂╇娎@組和次級(jí)輸出電壓是和匝數(shù)成比例關(guān)系的。

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qfmike
LV.4
20
2010-07-15 11:36
@讓你記得我的好
過壓保護(hù)的話,不知道你對過壓保護(hù)的精度要求高不高?從你的圖上來看,你是用穩(wěn)壓管來做保護(hù)判斷的,應(yīng)該精度不高的。如果想比較可靠而有沒有大的損耗的保護(hù),可以考慮再加一路光耦,那樣是最可靠,功耗也是最小的保護(hù)方式了。還有,如果保護(hù)精度不是很高,也可以考慮從原邊采樣保護(hù)。因?yàn)榉醇ぴ吂╇娎@組和次級(jí)輸出電壓是和匝數(shù)成比例關(guān)系的。

因?yàn)檫@個(gè)是在原來的電源上加的,而且現(xiàn)在空間又小,我做了一下試驗(yàn),可以滿足了,我還有一個(gè)問題,現(xiàn)在想做BOOST拓?fù)涞纳龎弘娫矗@種拓?fù)淠茏龀筛綦x的嗎

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2010-07-15 11:43
@qfmike
因?yàn)檫@個(gè)是在原來的電源上加的,而且現(xiàn)在空間又小,我做了一下試驗(yàn),可以滿足了,我還有一個(gè)問題,現(xiàn)在想做BOOST拓?fù)涞纳龎弘娫矗@種拓?fù)淠茏龀筛綦x的嗎

有BOOST型隔離電源,但是不常見。

說說你的電源的具體要求吧,也許有簡單方案就可以實(shí)現(xiàn)呢?

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qfmike
LV.4
22
2010-07-15 12:31
@讓你記得我的好
有BOOST型隔離電源,但是不常見。說說你的電源的具體要求吧,也許有簡單方案就可以實(shí)現(xiàn)呢?
我要做一個(gè)DC轉(zhuǎn)DC的升壓電源,要隔離的,輸入10--20V,輸出24V,3A,先前用BOOST作了一個(gè)非隔離的,比較簡單,想在原來的基礎(chǔ)上改改
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2010-07-15 12:45
@qfmike
我要做一個(gè)DC轉(zhuǎn)DC的升壓電源,要隔離的,輸入10--20V,輸出24V,3A,先前用BOOST作了一個(gè)非隔離的,比較簡單,想在原來的基礎(chǔ)上改改

嗯,這么看來的確是用隔離型BOOST比較好。也可以考慮用傳統(tǒng)的推挽來做。

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qfmike
LV.4
24
2010-07-15 12:48
@讓你記得我的好
嗯,這么看來的確是用隔離型BOOST比較好。也可以考慮用傳統(tǒng)的推挽來做。

但是,隔離的BOOST沒有方案,不知道正激可以嗎

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2010-07-15 12:52
@qfmike
但是,隔離的BOOST沒有方案,不知道正激可以嗎

隔離BOOST網(wǎng)上一搜索就有了呀,很多的。

 

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qfmike
LV.4
26
2010-07-15 13:13
@讓你記得我的好
隔離BOOST網(wǎng)上一搜索就有了呀,很多的。[圖片] 

這個(gè)推挽的有點(diǎn)復(fù)雜了,正激不可以嗎,準(zhǔn)備用EI40做,因?yàn)檎糜袀€(gè)空板子

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2010-07-15 13:22
@qfmike
這個(gè)推挽的有點(diǎn)復(fù)雜了,正激不可以嗎,準(zhǔn)備用EI40做,因?yàn)檎糜袀€(gè)空板子

正激也是可以的。但是低壓輸入時(shí),MOS上的電流可不小,14A以上是有的。

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qfmike
LV.4
28
2010-07-15 13:30
@讓你記得我的好
正激也是可以的。但是低壓輸入時(shí),MOS上的電流可不小,14A以上是有的。
在輸入10V的話,要9A的電流的,采樣電阻差不多10W,用水泥電阻了,芯片采用3843可以吧
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2010-07-15 13:34
@qfmike
在輸入10V的話,要9A的電流的,采樣電阻差不多10W,用水泥電阻了,芯片采用3843可以吧
輸入10V,9A是平均電流。占空比50%的話,MOS上的電流就是幅值達(dá)到18A以上的梯形波了。芯片用3843是可以,但電流采樣損耗太大了,用電流互感器吧。
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qfmike
LV.4
30
2010-07-15 13:37
@讓你記得我的好
輸入10V,9A是平均電流。占空比50%的話,MOS上的電流就是幅值達(dá)到18A以上的梯形波了。芯片用3843是可以,但電流采樣損耗太大了,用電流互感器吧。

那這個(gè)方案就是不可行了,有沒有簡單一點(diǎn)的拓?fù)?,我的空間有限

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2010-07-15 13:39
@qfmike
那這個(gè)方案就是不可行了,有沒有簡單一點(diǎn)的拓?fù)?,我的空間有限
要么你用3525或TL494做推挽的?
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