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求助：MOS管上電就燒毀

我做了一個(gè)ACDC反激電源，輸入220V，輸出25V/2A，用FQP7N80做開關(guān)管可以正常工作，但是其Rds太大，所以換了Rds小的SPP11N80C3，但是不知道為什么換了之后只要上電就燒開關(guān)管和保險(xiǎn)絲。在7N80的情況下用示波器看MOS管漏級峰值為700V左右，柵級電壓為10V左右。請高手指點(diǎn)迷津。


 

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sangjuen
LV.8
2
2010-06-25 22:37
你換的SPP11N80C3是否為正品呢？再就是把吸收回路的電阻適當(dāng)減小，電容適當(dāng)加大，以降低反鋒！
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sitpds
LV.4
3
2010-06-26 00:02
@sangjuen
你換的SPP11N80C3是否為正品呢？再就是把吸收回路的電阻適當(dāng)減小，電容適當(dāng)加大，以降低反鋒！

應(yīng)該是正品，是一家長期合作的店子里拿的，而且試了好多個(gè)了。。我用示波器看峰值電壓也只有700V啊。。請問一下版主反激電源有無損吸收電路么？

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sangjuen
LV.8
4
2010-06-26 00:28
@sitpds
應(yīng)該是正品，是一家長期合作的店子里拿的，而且試了好多個(gè)了。。我用示波器看峰值電壓也只有700V啊。。請問一下版主反激電源有無損吸收電路么？
LCD、有源鉗位、諧振等技術(shù)比起RCD都能不斷提高效率，但沒有真正的“無損”！
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shayu1000
LV.8
5
2010-06-26 08:03
是不是管子內(nèi)阻大了？以前也有發(fā)現(xiàn)上電燒管的問題，VDS也沒有超過管子的耐壓（管子的耐壓測試過，符合要求），但是就是經(jīng)常燒管，換了一家供應(yīng)商就好了
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power東
LV.4
6
2010-06-26 10:18

LZ，SPP11N80C3是Coolmos 不能用于頻率過高的場合，原理與IGBT相同，要求的驅(qū)動電荷相當(dāng)大，并且Bodydiody的反向恢復(fù)時(shí)間相當(dāng)長，很容易導(dǎo)致Mosfet誤導(dǎo)通，并且Coolmos雪崩耐量也很低，總之這個(gè)管子在你這個(gè)反激電源里面是不適用的，不明白你為什么要用這個(gè)管子，成本上又沒有任何優(yōu)勢。

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qiuzhw
LV.7
7
2010-06-26 15:49

關(guān)注

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sangjuen
LV.8
8
2010-06-26 20:34
@power東
LZ，SPP11N80C3是Coolmos不能用于頻率過高的場合，原理與IGBT相同，要求的驅(qū)動電荷相當(dāng)大，并且Bodydiody的反向恢復(fù)時(shí)間相當(dāng)長，很容易導(dǎo)致Mosfet誤導(dǎo)通，并且Coolmos雪崩耐量也很低，總之這個(gè)管子在你這個(gè)反激電源里面是不適用的，不明白你為什么要用這個(gè)管子，成本上又沒有任何優(yōu)勢。
頂！
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yuyan
LV.9
9
2010-06-26 20:40
@qiuzhw
關(guān)注
不是管子的問題，我曾用4A/800V    MOS做過200W反激（帶PFC）。
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yuyan
LV.9
10
2010-06-26 20:42
@yuyan
不是管子的問題，我曾用4A/800V   MOS做過200W反激（帶PFC）。
你如果要11N80C3量產(chǎn)，這個(gè)MOS應(yīng)該不便宜！
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sitpds
LV.4
11
2010-06-26 22:57
@power東
LZ，SPP11N80C3是Coolmos不能用于頻率過高的場合，原理與IGBT相同，要求的驅(qū)動電荷相當(dāng)大，并且Bodydiody的反向恢復(fù)時(shí)間相當(dāng)長，很容易導(dǎo)致Mosfet誤導(dǎo)通，并且Coolmos雪崩耐量也很低，總之這個(gè)管子在你這個(gè)反激電源里面是不適用的，不明白你為什么要用這個(gè)管子，成本上又沒有任何優(yōu)勢。

謝謝指點(diǎn)，我是看這個(gè)管子的Rds比較小，以為可以提高效率。。這位大哥有推薦的mos管么？大概希望在800V左右的管子，可靠性高一點(diǎn)，謝謝了。。

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evdi
LV.6
12
2010-06-26 23:50

這樣燒，一般都是驅(qū)動部分的問題

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