原理圖如上，參數(shù)：Vin=40VDC，Vo=20VDC，f=114KHz
MOS管：IRF9540(P-MOS)， 續(xù)流二極管：FR307， L=330uH， 輸出電容：100uF
現(xiàn)在測量發(fā)現(xiàn)：MOS關(guān)斷瞬間，S極對地有一個60V的尖峰（比Vin高了20V），同時D極對地有一個-20V的電壓尖峰（此處我完全不理解，續(xù)流二極管為什么沒有把它鉗位？），這樣的后果是：MOS管的S到D的電壓有40 20 20=80V，此處尖峰太大?。≌垎柎蠹掖颂幵撊绾谓鉀Q？謝謝！
問題找到了，主要有兩點：
1、FR307確實速度慢，我查了下資料，其反向恢復(fù)時間有500納秒，換成肖特基管MBR3100之后，MOS管關(guān)斷時，二極管開通時的尖峰（二極管兩端）小了許多，大約只有幾伏的樣子，昨天世紀電源網(wǎng)上有人說是二極管（FR307）的正向恢復(fù)時間太長，我不太理解什么是二極管的正向恢復(fù)時間（難道類似反向恢復(fù)時間？）和它對此尖峰有何影響。
2、電路中的輸入電容（圖中未畫出），位置離MOS管太遠（外接的），造成了MOS關(guān)斷時，S極對地的尖峰，今天在離MOS管很近的地方，對地加了一個47UF的電解電容和一個105電容之后，此尖峰也大大減小，大約只有幾伏
采取以上措施以后，現(xiàn)在MOS關(guān)斷時的尖峰已經(jīng)小了許多，基本在10V以內(nèi)，而且MOS兩端現(xiàn)在也沒有加任何吸收，下面我也貼一份資料，在網(wǎng)上找到的，作者專門介紹了大功率BUCK電路尖峰產(chǎn)生的原因及對策，比較有針對性，對解決我這個電路產(chǎn)生的問題有實際意義，分享一下。最后謝謝深思！
