正負雙極性方波,IGBT-IPM做后級,推動用單片機,想用吸收回路將關斷時間壓縮在400uS以內(nèi),我將一直附上開發(fā)過程,也請各位大俠指教,
這是負載參數(shù),電感7.3mH,電阻2歐姆
現(xiàn)在實測關斷時間為1.5mS,吸收回路用放電阻止型,不算正常,吸收回路參數(shù):電阻100歐姆,電容1uF,快恢復二極管,請各位大蝦幫忙,指教
經(jīng)過分析,可能是光耦導通不足引起的,我在單片機的引腳外接了1K電阻再接的光耦,實測電流在3.5mA左右,而二次側(cè)需要1.75mA的電流,如果按照電流傳輸比CTR=30%算,需要6mA的電流,我把電阻換成470歐姆的試試
驅(qū)動問題解決了,在按照上述方法修改硬件,搭載了后續(xù)的吸收回路,關斷時間達到了要求,約180uS,但波形有過充,后期有震蕩,后來準備買大一點的電容來吸收,
今天wima的電容到貨了,1.5uF,替換掉原先CDE0.47uF的電容,關斷延時拉長了,約240uS,估計購買的wima電容不是無感電容。