請(qǐng)教各路高手！
以精工的S8261為例，IC本身的耐壓有28V（VM相對(duì)VDD），而外圍使用的充電、放電FETS的VGS（柵源間電壓）耐壓只有±12V。這樣就有以下疑問(wèn)：
1.為什么IC耐壓比外圍的FETS還高？有無(wú)必要？
2.在電池電壓正常情況下，Vco=VDD，接充電器瞬間電壓較高，若大于12V，則充電FET則擊穿損壞，而IC無(wú)恙？這樣的保護(hù)板很不可靠？
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以精工的S8261為例，IC本身的耐壓有28V（VM相對(duì)VDD），而外圍使用的充電、放電FETS的VGS（柵源間電壓）耐壓只有±12V。這樣就有以下疑問(wèn)：
1.為什么IC耐壓比外圍的FETS還高？有無(wú)必要？
2.在電池電壓正常情況下，Vco=VDD，接充電器瞬間電壓較高，若大于12V，則充電FET則擊穿損壞，而IC無(wú)恙？這樣的保護(hù)板很不可靠？
