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反激電源的初級(jí)RCD吸收問題,請(qǐng)高手討論(有圖)

本人做一款12V4A的電源,磁芯用的是PQ2625,帶滿負(fù)載時(shí)MOS管漏極的波形圖如下:尖峰電壓有112V,如何修改RCD電路降低這個(gè)電壓,尖峰電壓應(yīng)為多高為好?此電壓高低對(duì)效率及MOS管的發(fā)熱有何影響?請(qǐng)高手不惜指點(diǎn)?謝謝!!
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song238
LV.3
2
2010-04-03 14:05
   
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