鉭電容在什么條件下容易擊穿損壞
我們公司做的一種DC-DC電源,輸出選用的AVX的16V/100μF的電容,在高溫老化或者其它試驗過程中都未出現(xiàn)故障,但在測試剛加電幾秒鐘時經(jīng)常壞,請問各位是什么原因,謝謝
全部回復(fù)(31)
正序查看
倒序查看
@chang713
請上傳一下datasheet,tks!
我說了還沒拿到樣片,是bicmos工藝的,內(nèi)置500mA的fet,也可以外加!輸入電壓最低1.4V.
你的輸出電流也太大了,一節(jié)鋰電池很快就被你浪費了.我現(xiàn)在有SC4501,內(nèi)部只集成了2A的fet,不能外加!輸入最低也是1.4V.輸出最高32V,你算算,如果可以的話,我現(xiàn)在可以提供給你樣品.至于datasheet,我不想在這發(fā),你留下你的mail address,我發(fā)給你.我的是xeon_sun@hotmail.com
你的輸出電流也太大了,一節(jié)鋰電池很快就被你浪費了.我現(xiàn)在有SC4501,內(nèi)部只集成了2A的fet,不能外加!輸入最低也是1.4V.輸出最高32V,你算算,如果可以的話,我現(xiàn)在可以提供給你樣品.至于datasheet,我不想在這發(fā),你留下你的mail address,我發(fā)給你.我的是xeon_sun@hotmail.com
0
回復(fù)
@傻瓜
謝謝,那么如果多個電容并聯(lián)使用會不會好一點啊,因為在同一電源中用的另一種型號的鉭電容沒有出問題,也沒有加軟啟動,是多只并聯(lián)的
下面LOG1說的有道理,但鉭/陶瓷各有優(yōu)勢.
多支電容并聯(lián)后,容量增大,ESR降低.則開機時的充電電流更大.而且并聯(lián)后由于每個電容的ESR不相等,則每支所分擔(dān)的電流不等,容易引發(fā)更多問題,不是有其它參數(shù)的要求最好不并聯(lián)使用.所以并聯(lián)不能改善電容爆掉的問題.但輸入電源阻抗/響應(yīng)時間對沖擊電流是有影響的.你想,雖然計算出來沖擊電流可能有10A(比喻),但輸入電源帶載能力差,就限制了沖擊電流.如果所有外部條件都相同,有的爆有的不爆,只能說明有的電容質(zhì)量好點受得住,有的差點受不住.
多支電容并聯(lián)后,容量增大,ESR降低.則開機時的充電電流更大.而且并聯(lián)后由于每個電容的ESR不相等,則每支所分擔(dān)的電流不等,容易引發(fā)更多問題,不是有其它參數(shù)的要求最好不并聯(lián)使用.所以并聯(lián)不能改善電容爆掉的問題.但輸入電源阻抗/響應(yīng)時間對沖擊電流是有影響的.你想,雖然計算出來沖擊電流可能有10A(比喻),但輸入電源帶載能力差,就限制了沖擊電流.如果所有外部條件都相同,有的爆有的不爆,只能說明有的電容質(zhì)量好點受得住,有的差點受不住.
0
回復(fù)
@log1
鉭電容ESR值較大,即使AVX的普通100u/16V的ESR也約為0.7-0.9Ω@100KHz,即使專門的低ESR系列也大約為0.2Ω左右,所以鉭電容用開關(guān)電源不是理想器件,推薦使用陶瓷電容,100u/6.3V陶瓷電容ESR約5-8mΩ@300KHZ,并且耐壓幾乎可以不留余量,我設(shè)計產(chǎn)品中有大量6.3V耐壓用于5V輸出,25V耐壓用于24V輸出濾波,均以量產(chǎn),表現(xiàn)良好.
請教價格相差多大?
比如:AVX TPS的10V100uF對X5R的6.3V100uF
如果不方便說具體價格,請用相差價格的百分數(shù).
比如:AVX TPS的10V100uF對X5R的6.3V100uF
如果不方便說具體價格,請用相差價格的百分數(shù).
0
回復(fù)
@log1
鉭電容ESR值較大,即使AVX的普通100u/16V的ESR也約為0.7-0.9Ω@100KHz,即使專門的低ESR系列也大約為0.2Ω左右,所以鉭電容用開關(guān)電源不是理想器件,推薦使用陶瓷電容,100u/6.3V陶瓷電容ESR約5-8mΩ@300KHZ,并且耐壓幾乎可以不留余量,我設(shè)計產(chǎn)品中有大量6.3V耐壓用于5V輸出,25V耐壓用于24V輸出濾波,均以量產(chǎn),表現(xiàn)良好.
因為D電容失效有明火,華為現(xiàn)在已經(jīng)禁止使用D電容了.
D電容在使用時除了50%的電壓降額外還要旁邊加瓷片電容才行.
D電容在使用時除了50%的電壓降額外還要旁邊加瓷片電容才行.
0
回復(fù)