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電源網(wǎng)什么東西東西都沒有了,都過來討論三硅后機(jī)。。。。

如題,聽說三硅不錯好調(diào)脈寬浮魚好都進(jìn)來討論;

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wigbt
LV.5
2
2009-12-28 15:28

都是一個理來的   簡單的是單硅   會用的也是單硅   如果搞懂了電魚的道理   那還是單硅的好

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2009-12-29 10:39
@wigbt
都是一個理來的  簡單的是單硅  會用的也是單硅  如果搞懂了電魚的道理  那還是單硅的好

樓上兄弟說的不錯!

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444e
LV.1
4
2010-08-29 12:53
@逍遙2818
樓上兄弟說的不錯!
 
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tby2008
LV.9
5
2010-08-29 13:25
@444e
[圖片] 

這個三硅電路 不錯  在串雙硅的基礎(chǔ)上加入了單硅模式  可以進(jìn)行調(diào)整脈寬  省去了單硅時  電感發(fā)熱  消耗能量的缺點(diǎn)(及單硅不可線性調(diào)整脈寬)

上面這個電路  唯有缺點(diǎn)是  整流部分 要改進(jìn)   因?yàn)橄喈?dāng)于每個濾波電容  接了個負(fù)載

這樣的話  如果兩個輸出部分  不平衡  就會造成前級偏流 及變壓器偏磁現(xiàn)象的發(fā)生  后果是可想而至的  可以在倍壓整流的基礎(chǔ)上  在加入一組電壓  用于給串雙硅供電

這個電路輸出的波形  和單硅一樣  先平頂后尖峰

觸發(fā)模式可以選擇  串雙硅的  前硅先觸發(fā)  為電容充電  然后下面的主硅在觸發(fā)  輸出功率 而后  在相應(yīng)的脈寬后  串雙硅的  后硅觸發(fā)  硅主硅  進(jìn)行反壓關(guān)斷   工作效率相對比單硅高了很多(如果負(fù)載過重時  主硅不能關(guān)斷的話  可以在輸出串個適當(dāng)?shù)碾姼?為了不造成輸出波形的大變化  可以選擇用空心電感 EE35骨架 20~60T足以)

 

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tby2008
LV.9
6
2010-08-29 14:12
@tby2008
這個三硅電路不錯 在串雙硅的基礎(chǔ)上加入了單硅模式 可以進(jìn)行調(diào)整脈寬 省去了單硅時 電感發(fā)熱 消耗能量的缺點(diǎn)(及單硅不可線性調(diào)整脈寬)上面這個電路 唯有缺點(diǎn)是 整流部分要改進(jìn)  因?yàn)橄喈?dāng)于每個濾波電容 接了個負(fù)載這樣的話 如果兩個輸出部分 不平衡 就會造成前級偏流及變壓器偏磁現(xiàn)象的發(fā)生 后果是可想而至的 可以在倍壓整流的基礎(chǔ)上 在加入一組電壓 用于給串雙硅供電這個電路輸出的波形 和單硅一樣 先平頂后尖峰觸發(fā)模式可以選擇 串雙硅的 前硅先觸發(fā) 為電容充電 然后下面的主硅在觸發(fā) 輸出功率而后 在相應(yīng)的脈寬后 串雙硅的 后硅觸發(fā) 硅主硅 進(jìn)行反壓關(guān)斷  工作效率相對比單硅高了很多(如果負(fù)載過重時 主硅不能關(guān)斷的話 可以在輸出串個適當(dāng)?shù)碾姼袨榱瞬辉斐奢敵霾ㄐ蔚拇笞兓?nbsp;可以選擇用空心電感EE35骨架20~60T足以) 
 
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444e
LV.1
7
2010-08-29 14:39
@tby2008
[圖片] 

VS1和VS2同時觸發(fā)又如何呢?電容充電時間很短,VS1自行關(guān)斷

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444e
LV.1
8
2010-08-29 14:40
@444e
VS1和VS2同時觸發(fā)又如何呢?電容充電時間很短,VS1自行關(guān)斷

VS1和VS3同時觸發(fā)又如何呢?電容充電時間很短,VS1自行關(guān)斷

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2010-08-29 18:26
@444e
VS1和VS3同時觸發(fā)又如何呢?電容充電時間很短,VS1自行關(guān)斷

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fyzsq
LV.4
10
2010-08-29 18:39
@學(xué)齡兒童
留個記號
請各位版主和大師著重上三硅電路課
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yhliang2
LV.9
11
2010-08-29 19:42
@fyzsq
請各位版主和大師著重上三硅電路課

三硅有成熟的電路圖嗎?電源網(wǎng)還沒人上傳過。

三硅有優(yōu)勢所在嗎?肯定是沒有。

單硅、雙硅、四硅、加混頻。三硅尤如畫蛇添足。

請樓主上三硅機(jī)的圖!

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sh22983
LV.5
12
2010-08-29 21:25
@yhliang2
三硅有成熟的電路圖嗎?電源網(wǎng)還沒人上傳過。三硅有優(yōu)勢所在嗎?肯定是沒有。單硅、雙硅、四硅、加混頻。三硅尤如畫蛇添足。請樓主上三硅機(jī)的圖!

不知道三硅優(yōu)點(diǎn)在哪里?

 

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