我是一個(gè)做LED燈設(shè)計(jì)的工程師,既不賣燈,也不賣芯片,發(fā)此貼目的是為了澄清大家認(rèn)識(shí)誤區(qū),掃清一些芯片代理商為競(jìng)爭(zhēng)而制造的謠言----  
   我用HV9910的時(shí)間挺久、挺多, 做過大量試驗(yàn),多種設(shè)計(jì),許多電路拓樸,也曾炸機(jī)失敗,也曾成功量產(chǎn), 最終就總結(jié)出一個(gè)結(jié)論:
   HV9910是一個(gè)很經(jīng)典的芯片,但必須應(yīng)用恰當(dāng),則會(huì)安全可靠; 如果應(yīng)用電路設(shè)計(jì)不當(dāng),則會(huì)冒險(xiǎn)工作甚至炸機(jī)(芯片燒裂).
   可惜的是,HV9910的官方datasheet中建議的電路不是最好的,在許多應(yīng)用中會(huì)有危險(xiǎn),那些推薦電路不宜直接照抄去用,這點(diǎn)不知supertex自己有沒意識(shí)到.真是可惜---
    而另外一些賣芯片的,為攻擊競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,故意把工程師偶爾不當(dāng)應(yīng)用發(fā)生的炸機(jī)個(gè)例夸大渲染, 其實(shí)根本不是HV9910芯片的問題,是應(yīng)用設(shè)計(jì)的問題-----

我已經(jīng)把HV9910玩得爛熟,所以把我的看法總結(jié)如下:

HV9910的缺陷,并不是大家傳說的炸機(jī),炸機(jī)是應(yīng)用設(shè)計(jì)不當(dāng)造成--;

也不是恒流精度不高,如果單以芯片的半程監(jiān)控的電流采樣原理看,的確精度不高,很難做到±3%內(nèi); 但是如果再增加其它反饋環(huán)路(比如次級(jí)光藕反饋等等),則電流控制精度可以做到很高,逼近±1%. 其實(shí)大部分應(yīng)用中±5%的電流精度就足夠了.如果非要高精度成本增加1~2元,應(yīng)該也能接受吧.

HV9910的缺點(diǎn)是: 高壓打火,一致性不好, 價(jià)格較貴.
   高壓打火僅偶爾發(fā)生在--長(zhǎng)期潮濕應(yīng)用環(huán)境中,VIN高壓腳與CS低壓腳間發(fā)生,原因兩者片內(nèi)、外距離太近,SOP8封裝加劇些, 但其SOP16封裝的極難發(fā)生.
   一致性不好的原因是半導(dǎo)體超高壓工藝制程的固有缺陷,此芯片雖然采用了一些Metal fuse(熔斷微調(diào)),但終究難以完全解決; 應(yīng)用時(shí),如果要求高,可以采用在線性調(diào)光腳用可調(diào)電阻,來一個(gè)個(gè)燈微調(diào),此法雖繁,但有額外收獲是可以補(bǔ)償芯片外面那些分離元器件的一致性偏差(可累計(jì)),對(duì)大批量產(chǎn)很有好處.
   第3大缺點(diǎn),也是最大缺點(diǎn): 價(jià)格太貴. 現(xiàn)在LED燈貴遮蓋了它,將來LED燈急劇降價(jià)時(shí),這點(diǎn)就突出了. 尤其在那些1w~5W的小功率燈應(yīng)用,它們價(jià)格低,對(duì)成本更敏感.
   以上三大缺點(diǎn)才是芯片本身問題, 我衷心希望國(guó)人在設(shè)計(jì)HV9910替代兼容芯片時(shí),能解決這些缺點(diǎn); 如果有既能完全兼容HV9910,又改進(jìn)上述缺點(diǎn)的國(guó)產(chǎn)芯片,我將帶頭采用,免費(fèi)幫忙宣傳!

支持LZ的說法,很多人總是說這問題那問題,都沒有考慮自身的問題.電路設(shè)計(jì)合理恰當(dāng),使用元件很重要,特別對(duì)于HV9910這款I(lǐng)C來說.

有幾個(gè)人能摸透這款I(lǐng)C?估計(jì)難找!

HV9910我剛做的時(shí)候也炸機(jī),后來雖然不炸機(jī)了,但我不敢用它做驅(qū)動(dòng),是因?yàn)檫@種芯片總會(huì)在%幾有炸機(jī)的時(shí)候,出貨最怕退貨.現(xiàn)在我用BP2808就沒有這個(gè)危險(xiǎn),是因?yàn)樗谋Ｗo(hù)電路很到位,IC的使用電流很小,損耗特低,輸出電流大于目前各種驅(qū)動(dòng)IC,很輕松的做寬電壓,缺點(diǎn)就是要加電路處理一下EMI.價(jià)格也不算貴.

9910的IC設(shè)計(jì)在高壓應(yīng)用中還是有缺陷的,最明顯體現(xiàn)在兩點(diǎn):
首先在高壓應(yīng)用中,8腳封裝的引腳規(guī)劃上就不符合安規(guī)要求.9910把VIN高壓輸入腳和CS GND安排在一起就不符合爬電距離的要求,特別是SO8封裝,在PCB布局中為了考慮焊接的可靠性,考慮到焊盤的因素,這種安全隱患更加突出.SO16封裝也許就是為了解決這個(gè)問題才有的.
其次在高壓應(yīng)用中,特別是220V應(yīng)用中.VIN連接的是一個(gè)內(nèi)置高耐壓線性恒壓源,設(shè)計(jì)的目的是為了進(jìn)一步簡(jiǎn)化外圍電路,初衷是好的,但是設(shè)計(jì)時(shí)沒有考慮到一些瞬態(tài)的變化,電路上電伊始,內(nèi)置的線性恒壓源需要向外掛的VCC電容充電,而9910的線性電源幾乎沒有任何限制,上電瞬時(shí)電流是相當(dāng)大的,這樣必然會(huì)導(dǎo)致上電瞬間,IC瞬時(shí)功率過高,這是9910剛上電就炸片子的最主要原因.使用者在使用中為了避免這種情況的發(fā)生,不得不在VIN上端接入限流器件,結(jié)果這個(gè)內(nèi)置的高壓恒壓源完全失去了存在的意義.而某些IC在內(nèi)置VCC高壓供電電源上就設(shè)計(jì)的很好,加入了限流或者恒流環(huán)節(jié),保證了IC的可靠性.
而且因?yàn)檫@個(gè)高壓供電特色,9910在推廣上過分強(qiáng)調(diào)了在寬電壓中的應(yīng)用,忽視了簡(jiǎn)單BUCK電路拓?fù)浔旧韺?duì)在寬電壓轉(zhuǎn)換中的應(yīng)力問題.另外在抗干擾環(huán)節(jié)上,9910也設(shè)計(jì)的不夠好.
至于恒流精度那些已經(jīng)討論過一遍又一遍,我就不再多說了

糾正一下,在vin上串聯(lián)電阻對(duì)系統(tǒng)效率沒有任何影響,這個(gè)電阻只起了分壓的作用,換句話說,沒有這個(gè)電阻,電壓就降到芯片上,有這個(gè)電阻,部分電壓就降到了電阻上,vin腳的電流沒有變化,不會(huì)影響效率.
這個(gè)和部分芯片內(nèi)置齊納穩(wěn)壓管還是很不一樣的

我可沒提到VIN串電阻會(huì)降低系統(tǒng)效率哦.VIN串電阻只是為了上電時(shí)限制VCC電容的充電電流同時(shí)限制IC功率而已.如果IC的最大功耗足夠大,串不串電阻對(duì)系統(tǒng)效率沒任何影響.

串不串電阻對(duì)系統(tǒng)效率的影響和IC的最大功耗沒有任何關(guān)系,串不串這個(gè)電阻,控制電路消耗的功耗都是一定的!
串這個(gè)電阻完全不影響內(nèi)置的高壓恒壓源的意義,只有完全理解了內(nèi)置高壓恒壓源電路的實(shí)現(xiàn)方式,才會(huì)了解這個(gè)電阻的真正含義.

現(xiàn)在有很多種仿HV9910的IC,其中SMD802更能穩(wěn)定些,線路上如果用填谷式PFC在110V時(shí)表現(xiàn)不理想,220V時(shí)用起來還不錯(cuò),但也要注意在溫度很高時(shí)IC的絕緣也是個(gè)問題.

串不串電阻確實(shí)對(duì)控制電路穩(wěn)態(tài)時(shí)的損耗沒有影響,但是對(duì)IC自身?yè)p耗很有影響,而且對(duì)上電初始時(shí)的狀態(tài)影響最大.

這貼只討論9910,那我就拿9910來說.電路剛上電時(shí),VIN如果直接接300V高壓,假如VDD腳接1UF的電容.1UF電容通過IC內(nèi)置恒壓源充電至7.5V,瞬時(shí)IC要承受的功率可能會(huì)有好幾W,甚至十幾W幾十W,上百W,但是因?yàn)殡娙莺苄?這種瞬時(shí)功率存在時(shí)間很短,但是足以炸片子.
你可以根據(jù)電容充電公式自己算算IC在電容充電時(shí)的功率.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/84/1968661260268821.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
U0是電容初始電壓0V,UT是充滿時(shí)電壓=VDD,7.5V,U是線電壓,C是電容容值,R是充電回路等效電阻.
這時(shí)你再比較一下,串沒串電阻對(duì)IC有沒有影響,控制電路剛上電時(shí)的功耗有沒有影響.這時(shí)你就會(huì)明白這個(gè)電阻的意義了.

我確實(shí)還沒有考慮過上電時(shí)的問題,我先問個(gè)問題:
300V的電源通過R對(duì)C充電,穩(wěn)定后C(c可設(shè)為1uF)的電壓為300V,請(qǐng)問,從開始充電到C=300V這個(gè)過程,R=10k和R=10時(shí)功耗分別是多少?
你可以計(jì)算一下,答案都是1/2CVV.
不過我還沒有考慮300V對(duì)RC充電只能沖到7.5V的情況,這個(gè)我還要再分析一下是否和R有關(guān),還有就是內(nèi)部的恒壓電源在上電時(shí),內(nèi)阻是可調(diào)的,如果你外加了電阻,這個(gè)電阻會(huì)變小,如果不加電阻,這個(gè)電阻就變大,所以我也還需要分析一下.

300V電源通過R對(duì)C充電,因?yàn)?910的穩(wěn)壓源是7.5V,所以只要考慮充電至7.5V的情況.
你可以假設(shè)9910的穩(wěn)壓源等效電阻是5K(實(shí)際9910的等效電阻比這要小的多)
充電的電量為Q=C*7.5v
充電時(shí)間為t
充電時(shí)平均電流為I=Q/t
充電時(shí)9910的消耗功率 P=(300-7.5)*I   ----- 假設(shè)VIN直接接300V.
你再比較一下串入100K電阻后,9910會(huì)消耗多少功率,比較一下就知道了.

這個(gè)你可以參照一下TO92封裝的7805輸出接一個(gè)2200UF電容,輸入電壓40V,你看看7805會(huì)不會(huì)燒.

你那個(gè)0.5C*V*V是有問題的,是能量W公式,而不是功率P公式,也就是說還要除以充電時(shí)間T的
P=UI=(7.5/2)*(Q/t)=(7.5/2)*(7.5C/t)=C*V*V/2t,也就是充電時(shí)間越短,功率越大,充電時(shí)間由RC決定,C固定,R越小,功率越大,R越小,充電時(shí)間越短,充電電流越大,9910和C是串聯(lián),顯然9910承受的功耗也就越大
大多數(shù)人反映是上電就炸IC,很顯然是這個(gè)原因

我糾正三點(diǎn):
1:燒芯片的是能量,不是功率,7805外接2200uF的電容時(shí),雖然后面一段時(shí)間的充電電流小,能量小,但前面一段時(shí)間的能量太大了(這段時(shí)間乘以能量),所以燒掉;

2:我們討論的是上電時(shí),外接電阻和不接電阻消耗的能量是否一樣,和燒芯片沒有關(guān)系.我剛才仿真了一下(沒有時(shí)間計(jì)算),300V經(jīng)過穩(wěn)壓管充電到7.5V穩(wěn)定,電阻+內(nèi)阻(外接電阻)和純內(nèi)阻(無外接內(nèi)阻)消耗的能量一樣;

3:HV9910上電燒掉是因?yàn)関in腳耦合了尖峰高電壓,導(dǎo)致了電壓擊穿,不是上電的充電電流過大導(dǎo)致熱擊穿(內(nèi)部vin和cs的間距才550um).

當(dāng)然,外接電阻降低了峰值充電電流,可以將充電的功耗分布在一個(gè)較長(zhǎng)的時(shí)間段,確實(shí)可以保護(hù)芯片,但是不是說加了這個(gè)外接電阻,就增加了上電的功耗.

看來,達(dá)人不少啊---兩位都是高手,您們的觀點(diǎn)并不矛盾,只是一個(gè)談功率一個(gè)談能量而已;

    經(jīng)過entertest和Banma2001一辯論,就清楚了,這也正是我這個(gè)樓主這句話“可惜的是,HV9910的官方datasheet中建議的電路不是最好的,在許多應(yīng)用中會(huì)有危險(xiǎn),那些推薦電路不宜直接照抄去用,這點(diǎn)不知supertex自己有沒意識(shí)到.真是可惜--- ”的 一個(gè)注解啊!

    實(shí)際上,Vin腳串聯(lián)一個(gè)較大的分壓限流電阻,確有許多好處,也是解決炸機(jī)的一個(gè)重要手法,可謂“小小電阻作用大”--- 可惜supertex就是沒這樣做,他們官方推薦電路大多無這個(gè)方法呢.

這就是毛澤東說的陳毅路線--huo希泥,要批判的

燒IC的是能量沒錯(cuò),但是要看時(shí)間的,1顆小的鞭炮釋放的能量肯定沒有1杯100度開水放到冷卻釋放的能量大,但是鞭炮能量釋放的時(shí)間極短,所以鞭炮會(huì)炸,水杯卻炸不了.
再換一種說法,用10V分別給1Ω-1W的電阻通電一小時(shí),1KΩ-1W通電1000小時(shí),消耗的能量其實(shí)一樣大,但是1Ω的電阻明顯比1KΩ的電阻燙,為什么?顯然功率不同,1Ω的電阻此時(shí)功率100W,而1KΩ的電阻只要0.1W,這就是區(qū)別.

同樣的道理,9910直接接300V和串個(gè)100K電阻接300V對(duì)于充電電路而言吸收的能量一樣大,但是時(shí)間長(zhǎng)短不同.
這樣,我親自算一遍給你看看:
假設(shè)線電壓U=300V,9910內(nèi)部穩(wěn)壓器的串聯(lián)平均阻抗為R1=1K,VDD腳接電容C=1uF,上電前電容電壓U0=0V,充滿時(shí)電壓Ut=7.5v,充電時(shí)間為T
1.不串電阻
根據(jù)充電公式Ut=U0+(U-U0)*[(1-e^(T/R1C)]
推算出充電時(shí)間T= R1*C*ln[(U-U0)/(U-Ut)]=25.3us
再根據(jù)電容電荷公式Q=C*Ut=7.5 uC
在根據(jù)I=Q/T 推出充電時(shí)間內(nèi)的平均電流I=292 mA
充電時(shí)間內(nèi) 9910線性穩(wěn)壓器消耗功率 P=I*I*R1=85W
整個(gè)充電過程消耗能量W=U*I*T=2.2 mJ

2.串100K電阻
充電時(shí)間T1=(R1+R2)*C*ln[(U-U0)/(U-Ut)]=2555.3us
在根據(jù)I=Q/T 推出充電時(shí)間內(nèi)的平均電流I1=2.94 mA
充電時(shí)間內(nèi) 9910線性穩(wěn)壓器消耗功率 P=I1*I1*R1=0.009W
充電時(shí)間內(nèi) 串聯(lián)電阻消耗功率 P=I1*I1*R2=0.9W
整個(gè)充電過程消耗能量W=U*I1*T1=2.2 mJ

對(duì)比一下顯而易見,串不串電阻充電過程中消耗能量一樣大,但是串電阻時(shí),能量釋放消耗的時(shí)間比不串電阻時(shí)長(zhǎng)100倍,而不串電阻比串電阻,IC瞬間功率高出將近10000倍!串電阻只延長(zhǎng)充電時(shí)間,不僅不增加功耗,相反還降低功耗.
這就是本質(zhì)區(qū)別,不串電阻那就是個(gè)鞭炮,想不炸需要運(yùn)氣,串了電阻那只是杯熱水而已.就這么簡(jiǎn)單.

電阻的作用主要是為了限流,分壓只是其次.你可以照我上面計(jì)算的方法,看看串100V個(gè)穩(wěn)壓管效果如何(相當(dāng)于線電壓降低100V,其他參數(shù)沒變).進(jìn)入穩(wěn)態(tài)以后,IC的工作電流大約1mA,100V穩(wěn)壓管和100K電阻功耗差不多大,但是上電時(shí)差距明顯.計(jì)算比較一下就知道了.

我想到目前為止,我們就以下三個(gè)方面達(dá)成了一致:
1:穩(wěn)定后,是否串電阻不影響整體效率,也即串聯(lián)的電阻只是消耗了內(nèi)置的穩(wěn)壓源的一部分功耗,不額外消耗功率;
2:上電的過程不管是否串聯(lián)電阻,或者串聯(lián)不同大小的電阻,消耗的總能量是一定的;
3:燒ic的是能量,不是功率,換句話說,如果在單位時(shí)間產(chǎn)生了w的功耗,而芯片只能傳導(dǎo)出去部分功耗,就有可能燒ic;

分歧在于燒ic的原因是能量還是電壓.
看了你的分析,還是覺得有一定道理,不過有一個(gè)假設(shè)條件有問題,就是平均阻抗為1kohm.
對(duì)于內(nèi)置的穩(wěn)壓器而言,其核心電路為一個(gè)MOS管或者BJT,都存在飽和或者線性的概念.我們以9910為例,內(nèi)置了一個(gè)耗盡型的高壓NMOS管,其最大的線性區(qū)工作電壓vds大約為3V~4V之間,這個(gè)值對(duì)應(yīng)于什么概念呢?你所說的R1=1kohm就在這一段區(qū)域,vd超過這一段區(qū)域,NMOS進(jìn)入飽和區(qū),電阻開始下降,如在10V時(shí),電阻約為2kohm,在50V時(shí),電阻約為6k,在100V時(shí),電阻約為10k,在200V時(shí),電阻約為25k,在300V時(shí),電阻約為40k.
以上數(shù)據(jù)均按飽和電流為10mA計(jì),實(shí)際電路上電時(shí),電流小于這個(gè)值,所以請(qǐng)相信這些值,實(shí)際電路的電阻比我給的要大2~10倍.
現(xiàn)在你可以再分析一下不串聯(lián)電阻是否會(huì)導(dǎo)致發(fā)熱燒芯片.

你的分析還是根據(jù)穩(wěn)態(tài)來分析的.這是一個(gè)線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)原理圖.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/84/1968661260422675.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
上電時(shí),因?yàn)閂OUT接的是電容,電容兩端電壓不能突變,在充電過程中VOUT<7.5V的,那么這個(gè)運(yùn)放顯然輸出低,使這個(gè)PMOS飽和導(dǎo)通,這時(shí)相當(dāng)于300V直接加在MOS兩端,顯然電流相當(dāng)大,這時(shí)如果去討論飽和壓降是沒有道理的,而是應(yīng)該討論飽和阻抗,你說10mA時(shí)飽和壓降VDS=4V,那阻抗只有400Ω,比我舉例說的還小.300V直接加到400Ω電阻上,瞬間電流0.75A,充電時(shí)間平均電流0.37A,更要燒片子.
如果9910的線性穩(wěn)壓器具備限流功能,那么他的運(yùn)放輸出電流應(yīng)該是受控的.

這樣,你可以做這么2個(gè)試驗(yàn),用9910,VIN輸入6V,看VDD是幾V,再逐漸升高VIN電壓,看看VIN為多少V時(shí),VDD能穩(wěn)定,這時(shí)候的壓降是線性穩(wěn)壓器的飽和壓降.
再試試在VDD腳上接一可調(diào)電阻,看看VDD為7.5V時(shí),可以IC最高可以對(duì)外提供多大電流,這就是驗(yàn)證內(nèi)置穩(wěn)壓器是否具有限流功能.

我并沒有根據(jù)穩(wěn)態(tài)或者暫態(tài)來分析電路,只是從原理上敘述為什么你說的1k不對(duì).
鑒于某些原因,我不能給你HV9910電路圖,不過可以告訴你一般的LDO都是如你所說的PMOS管輸出,但9910是NMOS管輸出,大致可以參閱下面的電路:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/84/2704741260425292.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
現(xiàn)在應(yīng)該明白為什么要討論飽和區(qū)的概念了吧.
我手上剛好有你說的數(shù)據(jù),vin=12V時(shí),HV9910/FT6610可以驅(qū)動(dòng)到4~5mA的電流,再上升,vcc就下降,SMD802例外,12V時(shí)無負(fù)載vcc還沒有穩(wěn)定.不過這個(gè)數(shù)據(jù)對(duì)我們的分析沒有太大的意義.畢竟是NMOS管源端輸出,有飽和區(qū)和線性區(qū)的概念就夠了.

9910的穩(wěn)壓器就是LDO,這點(diǎn)你可以去看英文PDF,最高壓降1V.而且IC在進(jìn)入U(xiǎn)VLO區(qū)域之前,輸入電流最小值是5mA.
就算是如你所說,我就利用你的數(shù)據(jù).我們換一種方法計(jì)算.按照你的數(shù)據(jù)300V時(shí),等效內(nèi)阻40K
根據(jù)9910的DATASHEET,SO8封裝引腳的熱阻128度/W.

300V時(shí),內(nèi)阻40K,最大電流7.5mA,平均電流3.75mA
IC溫升△T=I*U*Rj=3.75*300*128=144度.看見沒有?若環(huán)境溫度20度,瞬間IC溫度即達(dá)到164度,顯然超過IC最高工作結(jié)溫150度(英文版數(shù)據(jù)是150度,中文PDF是125度).同樣的,IC想不燒是需要運(yùn)氣的,如果有的能工作200度不會(huì)燒,有的只能工作在150度,必然會(huì)燒.

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其實(shí)現(xiàn)在芯片多的一大把,啥芯片沒有,芯片只是一個(gè)基本功能,PWM調(diào)寬,或是PFM調(diào)頻嗎,關(guān)鍵在于用芯片的人水平如何,產(chǎn)品制程問題那多了去了,不是一塊好的芯片就能把所有問題搞定.再者,任何芯片都有自己的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì),只有根據(jù)實(shí)際情況,靈活選用合適自己用的芯片,不能一定說某芯片好,就跟風(fēng)去用,這種人,只能算個(gè)不懂電源的人才這樣做.任何開關(guān)電源芯片都是可以做恒流電源的.

說的不錯(cuò)!

1:實(shí)際電阻為40k的2~10倍,所以上電功率沒有這么大;
2:不能按簡(jiǎn)單的平均電流計(jì)算功率,所以上電功率沒有這么大;
3:封裝的熱阻是對(duì)穩(wěn)態(tài)而言的,舉個(gè)例子,1um鋁線允許流過的平均電流為1mA,其實(shí)短時(shí)間10mA的峰值電流也是可以承受的,上電就是一個(gè)時(shí)間極短的瞬態(tài)過程,即使有你說的這么大的上電功率,芯片也可以承受的住;
4:ldo的實(shí)現(xiàn)方式太多了,你相信的是9910的英文PDF,我直接看的是9910的電路,孰對(duì)孰錯(cuò)?

你可以這么試試,VIN和GND接220V整流濾波輸出,VDD和PWMD,LD同接1UF電容,RT接230K電阻,GATE和CS懸空.用示波器觀察VDD引腳何時(shí)進(jìn)入穩(wěn)定,如果覺得時(shí)間太短,不容易,可以接10uF或者100uF,觀察到的時(shí)間除10或者100,自然就算出內(nèi)阻多大了.如果一次不準(zhǔn)確可以反復(fù)幾次.也許反復(fù)上電幾次,就會(huì)炸片子.

沒轍了,我給你了具體的內(nèi)阻參數(shù)(這個(gè)本來是頂級(jí)機(jī)密的),你竟然還是不相信我.

1uF的我試了很多次,還沒有遇到炸機(jī)的(因?yàn)橛玫氖歉綦x電源,電源相對(duì)干凈).

反復(fù)上電到炸片子不能說明是電壓高擊穿還是能量大擊穿.

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精辟.