1、開關電源中 占空比是取決于什么 也就是說 占空比是依據(jù)什么而定的
2、開關管MOS決定了占空比嗎 頻率與占空比的關系
3、開關電源中占空比越大好還是越小好
4、我看MOS管在電路中都是導通與截止變壓器原邊的回路這邊,能不能說成MOS管是導通或者截止于原邊變壓器的回路控制,
本人不才 剛剛入行 如不嫌鄙人麻煩,請各位解答一下!萬分感謝
本人剛剛入行 準備發(fā)展與開關電源這邊 應該先看哪方面的書?
問幾個弱智的問題,請高手來解答一下 越詳細越好
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針對你的問題做如下答覆:
1:開關電源中,占空比的大小主要取決於變壓器初級與次級的匝比.設計占空比的大小,一般在反激開關電源中其占空比設定在0.45最佳.
2:在開關電源中並不是MOSFET決定占空比,而是占空比決定著MOSFET的導通/關閉時間;關係式為:D=Ton/Ton+Toff(Ton及Toff即為MOSFET的導通/關閉時間).與頻率的關係為:Ton=D/f
3:在開關電源中並無確切的衡量占空比越大越好或越小越好,一般根據(jù)實際設計經(jīng)驗其占空比相對來說適當?shù)男∮?.45其電源效率會有提高,當然其占空比越大MOSFET的導通時間就相應的加大,其溫度會有所升高.
4:至於你的第四點提問,我有點不是很明白,煩請你明瞭一些.
1:開關電源中,占空比的大小主要取決於變壓器初級與次級的匝比.設計占空比的大小,一般在反激開關電源中其占空比設定在0.45最佳.
2:在開關電源中並不是MOSFET決定占空比,而是占空比決定著MOSFET的導通/關閉時間;關係式為:D=Ton/Ton+Toff(Ton及Toff即為MOSFET的導通/關閉時間).與頻率的關係為:Ton=D/f
3:在開關電源中並無確切的衡量占空比越大越好或越小越好,一般根據(jù)實際設計經(jīng)驗其占空比相對來說適當?shù)男∮?.45其電源效率會有提高,當然其占空比越大MOSFET的導通時間就相應的加大,其溫度會有所升高.
4:至於你的第四點提問,我有點不是很明白,煩請你明瞭一些.
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@jeff-fu
針對你的問題做如下答覆:1:開關電源中,占空比的大小主要取決於變壓器初級與次級的匝比.設計占空比的大小,一般在反激開關電源中其占空比設定在0.45最佳.2:在開關電源中並不是MOSFET決定占空比,而是占空比決定著MOSFET的導通/關閉時間;關係式為:D=Ton/Ton+Toff(Ton及Toff即為MOSFET的導通/關閉時間).與頻率的關係為:Ton=D/f3:在開關電源中並無確切的衡量占空比越大越好或越小越好,一般根據(jù)實際設計經(jīng)驗其占空比相對來說適當?shù)男∮?.45其電源效率會有提高,當然其占空比越大MOSFET的導通時間就相應的加大,其溫度會有所升高.4:至於你的第四點提問,我有點不是很明白,煩請你明瞭一些.
1:開關電源中,占空比的大小主要取決於變壓器初級與次級的匝比. 這個說法不科學,如果我的電源是工作在定頻率,電流峰值檢測,DCM模式,那么我保證初級匝數(shù)不變,而變化次級,這個時候初次級匝比變了 但是占空比不變,變的只是次級放電電流的斜率而已;
3:占空比越大MOSFET的導通時間就相應的加大,其溫度會有所升高. 這并不一定,對于不是工作在QR模式的電源,電流為DCM模式,如果MOSFET的導通并非在谷底導通(假設在波峰處導通),那么增大占空比,其就有可能到谷底去導通(說得也還是定頻率的控制方式),這樣雖然導通損耗增加了點,但是開通損耗也會減少,MOS管溫度也就未必增加了.
所以對開關電源來說,不同的控制方式是不一樣的
3:占空比越大MOSFET的導通時間就相應的加大,其溫度會有所升高. 這并不一定,對于不是工作在QR模式的電源,電流為DCM模式,如果MOSFET的導通并非在谷底導通(假設在波峰處導通),那么增大占空比,其就有可能到谷底去導通(說得也還是定頻率的控制方式),這樣雖然導通損耗增加了點,但是開通損耗也會減少,MOS管溫度也就未必增加了.
所以對開關電源來說,不同的控制方式是不一樣的
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@小屁孩
1:開關電源中,占空比的大小主要取決於變壓器初級與次級的匝比. 這個說法不科學,如果我的電源是工作在定頻率,電流峰值檢測,DCM模式,那么我保證初級匝數(shù)不變,而變化次級,這個時候初次級匝比變了但是占空比不變,變的只是次級放電電流的斜率而已;3:占空比越大MOSFET的導通時間就相應的加大,其溫度會有所升高.這并不一定,對于不是工作在QR模式的電源,電流為DCM模式,如果MOSFET的導通并非在谷底導通(假設在波峰處導通),那么增大占空比,其就有可能到谷底去導通(說得也還是定頻率的控制方式),這樣雖然導通損耗增加了點,但是開通損耗也會減少,MOS管溫度也就未必增加了.所以對開關電源來說,不同的控制方式是不一樣的
ding yi ge
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