請(qǐng)教一下MOSFET規(guī)格參數(shù)Ear Eas的理解,和使用rating的問題.

各位前輩在使用MOSFET時(shí),Vds上的電壓有嚴(yán)格小于 Vdss嗎??

MOSFET關(guān)斷時(shí) Vds上的spike 略超過Vdss是否就是危險(xiǎn)的?

如何理解Ear Eas的定義,有了這兩個(gè)規(guī)格,spike電壓是不是可以無限超Vdss呢?

因?yàn)槲矣袊L試著去計(jì)算Ear,發(fā)現(xiàn)spike超過很多的情況,Ear仍是安全的.

關(guān)鍵詞：MOSFET

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jerry_odm

LV.2

2009-10-28 17:17

自己頂頂,

希望盡快有人有空回答我的疑問啊:)

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命運(yùn)寵愛

LV.3

2009-12-01 10:54

VDS是規(guī)格書上給你的最大額定工作電壓,在使用的時(shí)候最好不要超過這個(gè)電壓,當(dāng)然了,你超過一點(diǎn)點(diǎn)也有可能會(huì)沒有問題,因?yàn)槠骷a(chǎn)商會(huì)留有大約10%的余量的.

關(guān)斷的時(shí)候浪涌電壓不超過額定電壓就基本沒有危險(xiǎn),超過額定電壓而不達(dá)到擊穿電壓這時(shí)候有可能有危險(xiǎn),但是超過擊穿電壓就一定會(huì)雪崩擊穿.

使用的時(shí)候可以參照器件datasheet給出的SOA,使用的范圍盡量限制在SOA之內(nèi).

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命運(yùn)寵愛

LV.3

2009-12-01 10:58

EAR和EAS是MOSFET的雪崩耐量的兩個(gè)值:EAS指的是單脈沖雪崩能量,EAR指的是重復(fù)脈沖雪崩能量.

在雪崩的時(shí)候,flyback產(chǎn)生的電壓會(huì)超過額定電壓值,因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候的break voltage大于額定電壓.

關(guān)鍵詞：MOSFET

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jerry_odm

LV.2

2009-12-01 11:24

@命運(yùn)寵愛

VDS是規(guī)格書上給你的最大額定工作電壓,在使用的時(shí)候最好不要超過這個(gè)電壓,當(dāng)然了,你超過一點(diǎn)點(diǎn)也有可能會(huì)沒有問題,因?yàn)槠骷a(chǎn)商會(huì)留有大約10%的余量的.關(guān)斷的時(shí)候浪涌電壓不超過額定電壓就基本沒有危險(xiǎn),超過額定電壓而不達(dá)到擊穿電壓這時(shí)候有可能有危險(xiǎn),但是超過擊穿電壓就一定會(huì)雪崩擊穿.使用的時(shí)候可以參照器件datasheet給出的SOA,使用的范圍盡量限制在SOA之內(nèi).

謝謝命運(yùn)寵愛

所謂的擊穿電壓是指哪個(gè)spec 參數(shù)啊?

"超過額定電壓而不達(dá)到擊穿電壓這時(shí)候有可能有危險(xiǎn),但是超過擊穿電壓就一定會(huì)雪崩擊穿"

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命運(yùn)寵愛

LV.3

2009-12-07 09:54

@jerry_odm

謝謝命運(yùn)寵愛所謂的擊穿電壓是指哪個(gè)spec參數(shù)啊?"超過額定電壓而不達(dá)到擊穿電壓這時(shí)候有可能有危險(xiǎn),但是超過擊穿電壓就一定會(huì)雪崩擊穿"

你可以關(guān)注一下器件的datasheet,關(guān)于BVDSS的說明是:
VGS=0,IDSS=250uA時(shí)的VDS電壓值.

如果你有用圖示儀看BV曲線,你就知道,擊穿電壓就是器件DS上電壓達(dá)到能夠使器件內(nèi)置晶體管發(fā)生導(dǎo)通的電壓,這個(gè)時(shí)候漏電流會(huì)迅速的變大.

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caryli

LV.1

2011-04-12 16:08

@命運(yùn)寵愛

你可以關(guān)注一下器件的datasheet,關(guān)于BVDSS的說明是:VGS=0,IDSS=250uA時(shí)的VDS電壓值.如果你有用圖示儀看BV曲線,你就知道,擊穿電壓就是器件DS上電壓達(dá)到能夠使器件內(nèi)置晶體管發(fā)生導(dǎo)通的電壓,這個(gè)時(shí)候漏電流會(huì)迅速的變大.

為什么我們通?？碝osfet的Datasheet, Vds(contious)=V(br)dss,這兩者一般V(br)dss要高一些才對(duì)啊？

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