mos應(yīng)該在濾波電容后面吧?

可控硅開通,PNP管關(guān),OMS沒驅(qū)動也關(guān),可控硅開通的電沒回路了.電路重復(fù)上過程.

需要設(shè)什一個延時關(guān)OMS的時間常數(shù)作為開通脈寬.

難道意思是自控單硅后級?

樓主的設(shè)計思想是這樣的:
    電路中沒有濾波電容,只有后面的容量較小的儲能電容,可控硅導通IBG關(guān)閉,電容傳向負載,為尖脈沖電容放電波形,即使接上負載,這個電路很可能都不能啟動,因為IBG晶體管并不導通,無法完成對電容的充電.后面可控硅更不能工作,一切有待實驗
      
  電路中還有一個問題:前級的控制電源開關(guān)不能接在主電路上,應(yīng)接在震蕩控制回路之中進行小電流控制比較可靠.

這是雙端自控機(以前的姑且稱為“單端”吧).電路已搭接實驗成功!有老式自控機隨負載調(diào)節(jié)頻率的特性.這個電路效率比2-4-8鐵心做的省電多了.管子也好找!

上參數(shù)試試

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頂一個!