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某一組硅 首次開啟 輸出電壓為電源電壓VCC
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另一組硅 開啟 電容電壓與電源高壓串聯(lián) 輸出二倍的VCC
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第一次開啟的硅  再次開啟 輸出仍為二倍的VCC
顯然 除了 第一次開機(jī)的輸出電壓會(huì)是電源高壓外
而后的電壓 都應(yīng)該是電源電壓的兩倍
那么 用示波器 檢測(cè)到的電壓波形 也應(yīng)該是一樣高
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即會(huì)和自控機(jī)波形 基本一樣
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看上面的圖 紅線硅開啟對(duì)電容沖上正下負(fù)電壓
假設(shè)電容電壓還沒有沖滿 綠線那組硅開啟
電容電壓通過綠線左邊的那個(gè)硅  反壓左右在紅線左邊的那個(gè)硅上
右邊同理 因此 即使電容電壓沒有充滿 硅也會(huì)被強(qiáng)制關(guān)斷(負(fù)壓關(guān)斷)
這就是為什么 大家往往測(cè)到的波形 一個(gè)電壓高  一個(gè)低 而不是一樣高(由于555觸發(fā)占空比設(shè)定的在50%一下)
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通過上面的波形 不難看出 無感橋四硅 確實(shí)存在強(qiáng)制關(guān)斷
但關(guān)斷也有一個(gè)底線 最起碼電容上充上的電壓 要足以關(guān)斷相應(yīng)的負(fù)荷
如果理論分析是正確的 那么 觸發(fā)占空比設(shè)定在50%(頻率不易過高 電容量不能過大)用示波器測(cè)到的波形 應(yīng)該和自控機(jī)基本一樣
注:為了更好的適應(yīng)大負(fù)荷 可以在輸出串個(gè)空心電感 能有效加速硅的關(guān)斷
不容易出現(xiàn) 小電容大負(fù)載時(shí)  關(guān)不斷顯現(xiàn)
(為什么說強(qiáng)制關(guān)斷 而又會(huì)提到關(guān)不斷呢 但不矛盾 就像單硅后級(jí) 參數(shù)設(shè)計(jì)不合理 一樣關(guān)不斷 什么都要有一個(gè)條件才行)