早在去年初,在師父的指導(dǎo)下,搞了一款可任意短路的MOS后級驅(qū)動(dòng)電路,一直在實(shí)驗(yàn)室試燈,沒下水.本月初,我去試了一下機(jī),效果大失所望!分析后,想必是保護(hù)太過靈敏,下水沒有什么功率輸出,當(dāng)然沒什么效果.
今天,把保護(hù)點(diǎn)重新設(shè)計(jì),問題大了!在實(shí)驗(yàn)室用1200W負(fù)載試(我所有的500W機(jī)都是用的它作假負(fù)載調(diào)試的!)
先是對前級沖擊大,前級頻頻保護(hù)!后來只得惡意調(diào)高前級保護(hù)點(diǎn).2對1405,改成帶1000W才保護(hù)
再就是要改MOS驅(qū)動(dòng)的保護(hù)和時(shí)間.按理論改動(dòng)后,同樣不能啟動(dòng)1200W負(fù)載,不論脈寬大小!(在1200W上并有10W小燈).沒法了,只得改保護(hù)RC積分時(shí)間,用10K電阻+102電容,一試,OK了.很高興.興奮之余,明顯聽到前級主變壓器有吱吱聲,原來后級工作時(shí),(是說導(dǎo)通時(shí))功率太大,前級相當(dāng)于過流,只是平均功率還達(dá)不到過流點(diǎn)而已.一摸散熱片,還好,熱是熱,還能接受.一摸12V濾波電容,差點(diǎn)把手燙糊了!
好了,前級不管它了,來試試短路,沒有空載時(shí)短路,先帶載,一試,前級保護(hù)了.重啟,還是保護(hù).心里有了一種不祥的感覺,一量后級MOS,果然OVER了.用的是IRFP450.500V14A.
想了想,應(yīng)該是電流不夠,吃完飯,把3個(gè)450并在同一散熱片上,分別串上G電阻,SD直接相連.再試短路,再燒!
想想,是不是RC抗干擾積分時(shí)間太長,好,反正是燒,不燒光MOS是不會心甘的.好了把10K電阻上并上470歐電阻,電容102未變,換好3個(gè)450.同樣試機(jī).呵呵,還好,保住了一條小命.再試,呵呵,又完了…………
分析此次失敗,總結(jié)如下教訓(xùn):
峰值功率的重要性:1200W負(fù)載阻值約29歐,實(shí)測.在440V電壓上的電流就是15A左右,雖然你的占空比可調(diào)到10%,平均電流就成了1.5A約650W功率.但此時(shí)對MOS的沖擊依然是15A!保護(hù)點(diǎn)調(diào)小了,當(dāng)然沒有輸出功率!
短路時(shí),理論上應(yīng)該是不會出問題的,可能是多個(gè)MOS并聯(lián)有離散性,不平均所致.因?yàn)樵谛”Ｗo(hù)點(diǎn),的確是可以亂短路的!不論是空載還是負(fù)載,是長時(shí)間還是單次.下次搞點(diǎn)大功率的試試.
想想可控硅,的確是要加LC成本高,但如果說按剛才算的MOS來算,成本還是低于MOS后級的!占空間是大一些,但你那么多MOS并,同樣要散熱片,成本和空間同樣會增加.
另外.大家可以幫我找一下原因,剛才發(fā)的是個(gè)人的見解,不一定正確.也許是我操作或取值有問題,與理論無關(guān).
MOS后極失敗,體會 兼談最大峰值的概念 給朋友們潑泠水
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贊同!非常靈敏的短路保護(hù)是不實(shí)用的,想要不靈敏就要提高峰值電流(或者峰值功率),這樣難度就來了:
峰值電流越大要求保護(hù)響應(yīng)越快,就是RC時(shí)間常數(shù)越短,同時(shí)對管子的功率也有要求,IR的管子功率都比較小,如果你換IXYS的就好多了,再者還要求管子的DV/DT要高,這一點(diǎn)IR的同樣不行,所以得出的結(jié)論是:用IR的管子玩短路保護(hù),峰值電流不可以取的太大.說白了IR的管子就是不耐折騰.
如果做好了,峰值電流可以取管子標(biāo)稱電流的1.5-2倍,這樣就解決了保護(hù)靈敏的問題.
峰值電流越大要求保護(hù)響應(yīng)越快,就是RC時(shí)間常數(shù)越短,同時(shí)對管子的功率也有要求,IR的管子功率都比較小,如果你換IXYS的就好多了,再者還要求管子的DV/DT要高,這一點(diǎn)IR的同樣不行,所以得出的結(jié)論是:用IR的管子玩短路保護(hù),峰值電流不可以取的太大.說白了IR的管子就是不耐折騰.
如果做好了,峰值電流可以取管子標(biāo)稱電流的1.5-2倍,這樣就解決了保護(hù)靈敏的問題.
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@正弦芯
贊同!非常靈敏的短路保護(hù)是不實(shí)用的,想要不靈敏就要提高峰值電流(或者峰值功率),這樣難度就來了: 峰值電流越大要求保護(hù)響應(yīng)越快,就是RC時(shí)間常數(shù)越短,同時(shí)對管子的功率也有要求,IR的管子功率都比較小,如果你換IXYS的就好多了,再者還要求管子的DV/DT要高,這一點(diǎn)IR的同樣不行,所以得出的結(jié)論是:用IR的管子玩短路保護(hù),峰值電流不可以取的太大.說白了IR的管子就是不耐折騰. 如果做好了,峰值電流可以取管子標(biāo)稱電流的1.5-2倍,這樣就解決了保護(hù)靈敏的問題.
王工一下就說到點(diǎn)子上了.
我也認(rèn)為理論上是行的,因?yàn)樾」β市邪?只得換好管了.推薦幾種吧
我也認(rèn)為理論上是行的,因?yàn)樾」β市邪?只得換好管了.推薦幾種吧
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@hbzjcjw
王工一下就說到點(diǎn)子上了.我也認(rèn)為理論上是行的,因?yàn)樾」β市邪?只得換好管了.推薦幾種吧
管子功率大的、DV/DT高的價(jià)格就會高,IXYS的管子價(jià)格不便宜就是因?yàn)檫@個(gè)原因.相比之下仙童的管子可以說是物美價(jià)廉,你問問 LiZLK 他做仙童管子比較熟悉.下面有三個(gè)參數(shù)表,是三個(gè)品牌,電流耐壓都是與IRFP460A類似的管子,看看我紅線標(biāo)注的參數(shù)是不是有區(qū)別:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1004721250564319.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@正弦芯
管子功率大的、DV/DT高的價(jià)格就會高,IXYS的管子價(jià)格不便宜就是因?yàn)檫@個(gè)原因.相比之下仙童的管子可以說是物美價(jià)廉,你問問LiZLK他做仙童管子比較熟悉.下面有三個(gè)參數(shù)表,是三個(gè)品牌,電流耐壓都是與IRFP460A類似的管子,看看我紅線標(biāo)注的參數(shù)是不是有區(qū)別:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1004721250564319.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1004721250564341.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1004721250564350.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
受教了.
看來我們這些土“工程師”,還非得真正的工程師指點(diǎn)一下精髓才行
看來我們這些土“工程師”,還非得真正的工程師指點(diǎn)一下精髓才行
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@正弦芯
管子功率大的、DV/DT高的價(jià)格就會高,IXYS的管子價(jià)格不便宜就是因?yàn)檫@個(gè)原因.相比之下仙童的管子可以說是物美價(jià)廉,你問問LiZLK他做仙童管子比較熟悉.下面有三個(gè)參數(shù)表,是三個(gè)品牌,電流耐壓都是與IRFP460A類似的管子,看看我紅線標(biāo)注的參數(shù)是不是有區(qū)別:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1004721250564319.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1004721250564341.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1004721250564350.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
仙童想當(dāng)年牛啊,世界電子的西點(diǎn)軍校,英特爾和AMD的主要?jiǎng)?chuàng)始人就是在仙童走出來的,現(xiàn)在把仙童遠(yuǎn)遠(yuǎn)的甩在后面.
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@hbzjcjw
王工一下就說到點(diǎn)子上了.我也認(rèn)為理論上是行的,因?yàn)樾」β市邪?只得換好管了.推薦幾種吧
呵呵,正弦哥也來了啊,哈哈.
對于陳工師父的這個(gè)問題,我也來提提意見:
主要從以下幾個(gè)方面解決功率元件燒的問題.
1,使用王工在上面說的峰值電流保護(hù)模式,對于這個(gè)保護(hù),現(xiàn)在一些先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)有類似的功能,叫做2級關(guān)段.或者采用逐脈沖寬度限制輸出.
2、注意DV/DT高的影響,由于后極這么高的電壓,在功率元件關(guān)閉的瞬間,極有可能DV/DT造成DC BUS上超過2倍的額定電壓,在這么高的DV/DT上,CGD的影響不可忽視,如果驅(qū)動(dòng)沒有做好,從CGD上串過來的電流足以能夠燒掉驅(qū)動(dòng),進(jìn)而將MOS燒掉或者擊穿.對于這一點(diǎn),可以采用有源米勒鉗位技術(shù)來做到.
3、請仔細(xì)研究MOS的SOA工作曲線,對于魚機(jī)上,由于后極采用MOS,頻率在20-100HZ(我是聽說的),對應(yīng)于SOA內(nèi)的曲線,應(yīng)該可以明白為何在此,MOS會比IGBT更脆弱,IGBT的SOA接近矩形.
總的來說,要作后驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)上包含了太多東西了.
對于陳工師父的這個(gè)問題,我也來提提意見:
主要從以下幾個(gè)方面解決功率元件燒的問題.
1,使用王工在上面說的峰值電流保護(hù)模式,對于這個(gè)保護(hù),現(xiàn)在一些先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)有類似的功能,叫做2級關(guān)段.或者采用逐脈沖寬度限制輸出.
2、注意DV/DT高的影響,由于后極這么高的電壓,在功率元件關(guān)閉的瞬間,極有可能DV/DT造成DC BUS上超過2倍的額定電壓,在這么高的DV/DT上,CGD的影響不可忽視,如果驅(qū)動(dòng)沒有做好,從CGD上串過來的電流足以能夠燒掉驅(qū)動(dòng),進(jìn)而將MOS燒掉或者擊穿.對于這一點(diǎn),可以采用有源米勒鉗位技術(shù)來做到.
3、請仔細(xì)研究MOS的SOA工作曲線,對于魚機(jī)上,由于后極采用MOS,頻率在20-100HZ(我是聽說的),對應(yīng)于SOA內(nèi)的曲線,應(yīng)該可以明白為何在此,MOS會比IGBT更脆弱,IGBT的SOA接近矩形.
總的來說,要作后驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)上包含了太多東西了.
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@lizlk
呵呵,正弦哥也來了啊,哈哈.對于陳工師父的這個(gè)問題,我也來提提意見:主要從以下幾個(gè)方面解決功率元件燒的問題.1,使用王工在上面說的峰值電流保護(hù)模式,對于這個(gè)保護(hù),現(xiàn)在一些先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)有類似的功能,叫做2級關(guān)段.或者采用逐脈沖寬度限制輸出.2、注意DV/DT高的影響,由于后極這么高的電壓,在功率元件關(guān)閉的瞬間,極有可能DV/DT造成DCBUS上超過2倍的額定電壓,在這么高的DV/DT上,CGD的影響不可忽視,如果驅(qū)動(dòng)沒有做好,從CGD上串過來的電流足以能夠燒掉驅(qū)動(dòng),進(jìn)而將MOS燒掉或者擊穿.對于這一點(diǎn),可以采用有源米勒鉗位技術(shù)來做到.3、請仔細(xì)研究MOS的SOA工作曲線,對于魚機(jī)上,由于后極采用MOS,頻率在20-100HZ(我是聽說的),對應(yīng)于SOA內(nèi)的曲線,應(yīng)該可以明白為何在此,MOS會比IGBT更脆弱,IGBT的SOA接近矩形.總的來說,要作后驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)上包含了太多東西了.
老師.受教了
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IGBT后級效果不錯(cuò) 可以短路呀
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@nrqnrqnrq
IGBT后級效果不錯(cuò)可以短路呀[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/2518551250687673.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
你是一代高手,不能和你比
別人95年都在用單片機(jī)做純正弦,現(xiàn)在認(rèn)壇上還有人天天在吹B啊
別人95年都在用單片機(jī)做純正弦,現(xiàn)在認(rèn)壇上還有人天天在吹B啊
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