使用三個橋臂模塊做脈沖變流器,上電前未仔細(xì)檢查電路,結(jié)果由于IGBT柵極懸空開路,(集電極與發(fā)射極間有500v左右高電壓),導(dǎo)致IGBT炸毀!!求教事故原因的具體分析!!
從書上一般只能查到結(jié)論,就是說這樣做的話會發(fā)生炸毀事故,但是誰能把具體原因說一下啊??強(qiáng)烈期待!!希望能夠給我發(fā)信,shotel@sohu.com
感激不盡!!
求教IGBT燒毀的具體原因!!
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給你解釋一下mosfet的同樣現(xiàn)象,看mosfet的簡化模型就可以知道,當(dāng)門極
懸空的時候,如果在漏源極加電壓就會對門極電容充電,讓門極電壓逐漸升高
導(dǎo)致誤導(dǎo)通.IGBT模型要復(fù)雜多,但是基本上也是這種類似原因造成的.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
懸空的時候,如果在漏源極加電壓就會對門極電容充電,讓門極電壓逐漸升高
導(dǎo)致誤導(dǎo)通.IGBT模型要復(fù)雜多,但是基本上也是這種類似原因造成的.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 0
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@sometimes
給你解釋一下mosfet的同樣現(xiàn)象,看mosfet的簡化模型就可以知道,當(dāng)門極懸空的時候,如果在漏源極加電壓就會對門極電容充電,讓門極電壓逐漸升高導(dǎo)致誤導(dǎo)通.IGBT模型要復(fù)雜多,但是基本上也是這種類似原因造成的.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
謝謝!!非常感謝!!如果方便,能給推薦些相關(guān)資料嗎?
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@sometimes
給你解釋一下mosfet的同樣現(xiàn)象,看mosfet的簡化模型就可以知道,當(dāng)門極懸空的時候,如果在漏源極加電壓就會對門極電容充電,讓門極電壓逐漸升高導(dǎo)致誤導(dǎo)通.IGBT模型要復(fù)雜多,但是基本上也是這種類似原因造成的.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
回答的簡單易懂,c2,c3串聯(lián)分壓,c3上的電壓超過Vth+就危險
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@yimu
不知你的IGBT炸管是真的炸裂了嗎我的IGBT也少了同樣的問題為了測試不控整流模塊的好壞,IGBT門極懸空讓后電壓慢慢升高,升到5、60V時能明顯的聽到開關(guān)的聲音,懷疑IGBT在工作,當(dāng)母線電壓加到100V左右,三相工頻電進(jìn)線的一個保險管燒壞撤電源發(fā)現(xiàn)IGBT的三個引腳都是通的,但外表很好沒有炸管,是電壓不太高沒有造成炸管嗎?
IGBT的門極要焊接保護(hù)電路,即使IGBT不用在儲存狀態(tài)保護(hù)電路也不能拆去,使用中有了可靠的過流保護(hù),過壓保護(hù)、過熱保護(hù),不管如何都不會損壞IGBT管子.
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和MOS一樣，柵極電阻極大，可以做一個實驗：
用指針萬用表Rx10k檔（數(shù)字表不行），黑筆"D"，紅筆"S"，這是指針已經(jīng)偏轉(zhuǎn)了，再用手指碰一下"G"，指針立刻向右?guī)缀醯降祝f明管子已經(jīng)導(dǎo)通了。
盡管此后“G”上已經(jīng)沒有任何東西了，但"G"上積累的電荷可以一直維持導(dǎo)通狀態(tài)。
直到你將"G"和"S"短路一下，才能恢復(fù)截止。
所以當(dāng)"G"懸空時，一旦加上母線電壓，就會因管子的寄生電容存在，會對"G"充電，使得管子導(dǎo)通，從而被炸掉。
如果這時"G"和"S"間有一個10k左右的泄放電阻，"G"無法積累電荷，因此就不會出現(xiàn)這種情況了。
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