我想設(shè)計(jì)一款物探用的電源,用來做瞬間的磁場激發(fā),負(fù)載為感性線圈,供電方式為雙極性方波,電壓12-36V,電流20A.體積和價(jià)格不考慮,只要求性能.
要求:電源能夠快速關(guān)斷,即方波的下降沿要控制在1微秒以內(nèi);工作頻率低,1KHz以下,但是對下降沿有極高的要求,越短越好,相當(dāng)于工作頻率在MHz級.
我想選擇低壓MOSFET作為功率管,搭建一個(gè)H橋,用單片機(jī)或者FPGA產(chǎn)生控制時(shí)序,使用IR2110這樣的驅(qū)動集成電路,用ZVS或者DSSA作瞬態(tài)電壓抑制,選擇高性能的驅(qū)動集成電路,看能否成功,希望得到壇子里各位大俠的幫忙選擇高性能的MOSFET和驅(qū)動集成電路(注重性能).
我想把整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程寫下來,專門開一個(gè)帖子,持續(xù)更新,希望大家支持!
我的積分不多,就設(shè)置1個(gè)吧,希望大家?guī)兔o看看
快速關(guān)斷的物探用方波電源
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看起來高手都看不上我的這個(gè)小項(xiàng)目,我自己頂一下吧,看還有什么好心人幫助我
我準(zhǔn)備用IR2110試試看了,然后選擇英飛凌的MOSFET,做一個(gè)H橋,突發(fā)奇想功率可以不是很大,我可以用多個(gè)相同的電路做發(fā)射源,最后將磁場疊加,電壓和電流減小后估計(jì)可以取得非常小的關(guān)斷延時(shí),希望能控制在1微秒以內(nèi),大家等我的消息哦
剛得到的MAXIM的回復(fù),我向他們詢問了高速驅(qū)動電路的有關(guān)問題,回復(fù)如下,看來這個(gè)產(chǎn)品參數(shù)很誘人哦.
MAX15012/MAX15013是高頻、175V半橋、n溝道MOSFET驅(qū)動器,在高壓應(yīng)用中驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)MOSFET.這些驅(qū)動器可以獨(dú)立控制,輸入到輸出的傳輸延時(shí)典型值為35ns,匹配在2ns (典型值)以內(nèi).這些高壓工作器件具備極低的傳輸延時(shí)和較高的源出或吸入電流能力,非常適合大功率、高頻、電信電源轉(zhuǎn)換器.在VDD與BST之間具有可靠的自舉二極管連接,省去了外部分立二極管.
剛才已經(jīng)申請了樣片,一個(gè)工作日后寄出
我準(zhǔn)備用IR2110試試看了,然后選擇英飛凌的MOSFET,做一個(gè)H橋,突發(fā)奇想功率可以不是很大,我可以用多個(gè)相同的電路做發(fā)射源,最后將磁場疊加,電壓和電流減小后估計(jì)可以取得非常小的關(guān)斷延時(shí),希望能控制在1微秒以內(nèi),大家等我的消息哦
剛得到的MAXIM的回復(fù),我向他們詢問了高速驅(qū)動電路的有關(guān)問題,回復(fù)如下,看來這個(gè)產(chǎn)品參數(shù)很誘人哦.
MAX15012/MAX15013是高頻、175V半橋、n溝道MOSFET驅(qū)動器,在高壓應(yīng)用中驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)MOSFET.這些驅(qū)動器可以獨(dú)立控制,輸入到輸出的傳輸延時(shí)典型值為35ns,匹配在2ns (典型值)以內(nèi).這些高壓工作器件具備極低的傳輸延時(shí)和較高的源出或吸入電流能力,非常適合大功率、高頻、電信電源轉(zhuǎn)換器.在VDD與BST之間具有可靠的自舉二極管連接,省去了外部分立二極管.
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