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快速關(guān)斷的物探用方波電源

我想設(shè)計(jì)一款物探用的電源,用來做瞬間的磁場激發(fā),負(fù)載為感性線圈,供電方式為雙極性方波,電壓12-36V,電流20A.體積和價(jià)格不考慮,只要求性能.
     要求:電源能夠快速關(guān)斷,即方波的下降沿要控制在1微秒以內(nèi);工作頻率低,1KHz以下,但是對下降沿有極高的要求,越短越好,相當(dāng)于工作頻率在MHz級.
     我想選擇低壓MOSFET作為功率管,搭建一個(gè)H橋,用單片機(jī)或者FPGA產(chǎn)生控制時(shí)序,使用IR2110這樣的驅(qū)動集成電路,用ZVS或者DSSA作瞬態(tài)電壓抑制,選擇高性能的驅(qū)動集成電路,看能否成功,希望得到壇子里各位大俠的幫忙選擇高性能的MOSFET和驅(qū)動集成電路(注重性能).
     我想把整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程寫下來,專門開一個(gè)帖子,持續(xù)更新,希望大家支持!

     我的積分不多,就設(shè)置1個(gè)吧,希望大家?guī)兔o看看
全部回復(fù)(9)
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lxsg
LV.2
2
2009-07-06 22:36
希望有高手幫忙,這個(gè)是特種電源了,本人將持續(xù)關(guān)注,希望做出具有國際水平的電源產(chǎn)品.
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lxsg
LV.2
3
2009-07-07 16:01
看起來高手都看不上我的這個(gè)小項(xiàng)目,我自己頂一下吧,看還有什么好心人幫助我
我準(zhǔn)備用IR2110試試看了,然后選擇英飛凌的MOSFET,做一個(gè)H橋,突發(fā)奇想功率可以不是很大,我可以用多個(gè)相同的電路做發(fā)射源,最后將磁場疊加,電壓和電流減小后估計(jì)可以取得非常小的關(guān)斷延時(shí),希望能控制在1微秒以內(nèi),大家等我的消息哦

剛得到的MAXIM的回復(fù),我向他們詢問了高速驅(qū)動電路的有關(guān)問題,回復(fù)如下,看來這個(gè)產(chǎn)品參數(shù)很誘人哦.

MAX15012/MAX15013是高頻、175V半橋、n溝道MOSFET驅(qū)動器,在高壓應(yīng)用中驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)MOSFET.這些驅(qū)動器可以獨(dú)立控制,輸入到輸出的傳輸延時(shí)典型值為35ns,匹配在2ns (典型值)以內(nèi).這些高壓工作器件具備極低的傳輸延時(shí)和較高的源出或吸入電流能力,非常適合大功率、高頻、電信電源轉(zhuǎn)換器.在VDD與BST之間具有可靠的自舉二極管連接,省去了外部分立二極管.

剛才已經(jīng)申請了樣片,一個(gè)工作日后寄出
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lxsg
LV.2
4
2009-07-09 17:12
很快的,今天收到了Maxim用圓通快遞給寄過來的樣品,SO 8封裝的,下一步是向英飛凌要MOS管了,呵呵,有點(diǎn)無恥.
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lxsg
LV.2
5
2009-07-12 16:00
我將盡力提升開關(guān)管工作頻率為1Mhz,陸續(xù)會將實(shí)驗(yàn)結(jié)果貼到這里來
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楚天?
LV.8
6
2009-07-19 21:37
物探電源是個(gè)什么東東?
你是要設(shè)計(jì)一個(gè)方波電壓源么?
ixys有9A的Gate Driver,你可以找找看.
過高的dv/dt導(dǎo)致的問題可是相當(dāng)大的.怕是要用隔離驅(qū)動.
我個(gè)人不太看好boost型驅(qū)動在高速H橋上的應(yīng)用.
希望你能成功.
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2009-07-25 10:01
@楚天?
物探電源是個(gè)什么東東?你是要設(shè)計(jì)一個(gè)方波電壓源么?ixys有9A的GateDriver,你可以找找看.過高的dv/dt導(dǎo)致的問題可是相當(dāng)大的.怕是要用隔離驅(qū)動.我個(gè)人不太看好boost型驅(qū)動在高速H橋上的應(yīng)用.希望你能成功.
您好,我現(xiàn)在也在做一個(gè)方波電源,幅值為50V,頻率為110HZ,輸入為12V的直流,請問能否賜教如何實(shí)現(xiàn),我現(xiàn)在一點(diǎn)思路都沒有.謝謝!
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lxsg
LV.2
8
2010-06-10 16:30
@楚天?
物探電源是個(gè)什么東東?你是要設(shè)計(jì)一個(gè)方波電壓源么?ixys有9A的GateDriver,你可以找找看.過高的dv/dt導(dǎo)致的問題可是相當(dāng)大的.怕是要用隔離驅(qū)動.我個(gè)人不太看好boost型驅(qū)動在高速H橋上的應(yīng)用.希望你能成功.
謝謝,IR2110不能產(chǎn)生負(fù)壓,驅(qū)動上面的確有問題,估計(jì)還是需要光電隔離或者變壓器隔離,但是對于我快速關(guān)斷不利啊
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hanbreen
LV.5
9
2010-06-26 14:39
@lxsg
謝謝,IR2110不能產(chǎn)生負(fù)壓,驅(qū)動上面的確有問題,估計(jì)還是需要光電隔離或者變壓器隔離,但是對于我快速關(guān)斷不利啊
你的這個(gè)電源用低壓MOSFET不行,因?yàn)橄陆笛匾福约夥逦站鸵?,尖峰吸收小峰值電壓就會很高(因?yàn)槭歉行载?fù)載),而要達(dá)到尖峰吸收小,MOSFET的結(jié)電容就要小,推薦你使用高壓射頻功率MOSFET,結(jié)電容非常小,IXYS有,但是可能很貴。
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sangjuen
LV.8
10
2010-06-27 08:37
我認(rèn)為構(gòu)架上先做好36V-20A全橋電源,再用1K方波驅(qū)動?xùn)烹娙菪〉母咚費(fèi)OS管,采用多管并聯(lián)方式得到你想要的結(jié)果!
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